TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FD300R12KE3
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt Verlustleistung
总功耗
门发射器Spitzenspannung
栅射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值正向电流
Grenzlastintegral
I了价值
隔离Prüfspannung
绝缘测试电压
t
p
为1ms
V
R
= 0V ,T
p
= 10毫秒,T
vj
= 125°C
RMS中,f = 50Hz时, T = 1分。
T
vj
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
t
p
为1ms ,T
c
= 80°C
T
c
= 25 ° C,晶体管
V
CES
I
C, NOM
I
C
I
CRM
P
合计
V
GES
I
F
I
FRM
I了
V
ISOL
1200
300
480
600
V
A
A
A
1470
W
+/- 20
V
300
A
600
A
19
As
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管Wechselrichter /晶体管逆变器
Kollektor发射Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Kollektor发射Reststrom
集电极 - 发射极切断电流
门发射器Reststrom
栅射极漏电流
I
C
= 300A ,V
GE
= 15V ,T
vj
= 25°C
I
C
= 300A ,V
GE
= 15V ,T
vj
= 125°C
I
C
= 12毫安,V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15V...+15V
F = 1MHz的,T
vj
= 25 ° C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
F = 1MHz的,T
vj
= 25 ° C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ,T
vj
= 25°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ,T
vj
= 25°C
V
CESAT
V
GE (日)
Q
G
C
IES
C
水库
I
CES
I
GES
分钟。
-
-
5,0
典型值。
1,7
2,0
5,80
马克斯。
2,15
-
6,50
V
V
V
-
-
-
2,80
-
-
-
C
21
nF
0,85
nF
-
-
5
mA
-
-
400
nA
准备: MOD -D2 ;马克·闵采尔
批准: SM TM ;威廉·鲁舍
发布日期: 2002-10-02
修订: 3.0
1 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FD300R12KE3
Charakteristische Werte /特征值
晶体管Wechselrichter /晶体管逆变器
I
C
= 300A ,V
CC
= 600V
Einschaltverzgerungszeit ( induktive上)
开机延迟时间(感性负载)
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 125°C
I
C
= 300A ,V
CC
= 600V
Anstiegszeit ( induktive上)
上升时间(感性负载)
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 125°C
I
C
= 300A ,V
CC
= 600V
Abschaltverzgerungszeit ( induktive上)
关闭延迟时间(感性负载)
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 125°C
I
C
= 300A ,V
CC
= 600V
Fallzeit ( induktive上)
下降时间(感性负载)
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
打开每个脉冲的能量损失
Ausschaltverlustenergie亲普尔斯
关闭每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
Leitungswiderstand ,并吞芯片
引线电阻,终端芯片
T
c
= 25°C
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 125°C
I
C
= 300A ,V
CC
= 600V ,L
σ
= 80nH
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 125°C
I
C
= 300A ,V
CC
= 600V ,L
σ
= 80nH
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2,4, T
vj
= 125°C
t
P
≤
为10μs ,V
GE
≤
15V ,T
Vj
≤
125°C
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σCE
· di / dt的
E
on
E
关闭
I
SC
L
σCE
R
CC' / EE'
t
f
-
-
-
0,13
0,18
25
-
-
-
s
s
mJ
t
D,关
-
-
0,55
0,65
-
-
s
s
t
r
-
-
0,09
0,10
-
-
s
s
t
D,上
-
-
0,25
0,30
-
-
s
s
分钟。
典型值。
马克斯。
-
44
-
mJ
-
1200
-
A
-
20
-
nH
-
0,7
-
m
Charakteristische Werte /特征值
Inversdiode /续流二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 300A ,V
GE
= 0V ,T
vj
= 25°C
I
F
= 300A ,V
GE
= 0V ,T
vj
= 125°C
I
F
= 300A , - 二
F
/ DT = 3000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 300A , - 二
F
/ DT = 3000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 125°C
Ausschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 300A , - 二
F
/ DT = 3000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
14
26
-
-
mJ
mJ
Q
r
-
-
30
56
-
-
C
C
I
RM
-
-
210
270
-
-
A
A
V
F
-
-
1,65
1,65
2,15
-
V
V
2 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FD300R12KE3
Charakteristische Werte /特征值
Chopperdiode /菜刀二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
vj
= 25°C
I
F
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
vj
= 125°C
I
F
= 400A , - 二
F
/ DT = 4000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 400A , - 二
F
/ DT = 4000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 125°C
Ausschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 400A , - 二
F
/ DT = 4000A / μs的
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V ,T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
18
34
-
-
mJ
mJ
Q
r
-
-
40
75
-
-
C
C
I
RM
-
-
280
360
-
-
A
A
V
F
-
-
1,65
1,65
2,1
-
V
V
Thermische Eigenschaften /热性能
晶体管Wechelr 。 /晶体管逆变器
Innerer Wrmewiderstand ; DC
热阻,结到管壳; DC
bergangs Wrmewiderstand
热电阻,案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemp 。
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
Inversdiode /续流二极管
菜刀二极管/二极管菜刀
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1W / M * K /
λ
油脂
= 1W / M * K
R
thCK
T
VJ最大
T
VJ运
T
英镑
R
thJC
-
-
-
-
-
-
-
0,010
0,085
0,150
0,125
-
K / W
K / W
K / W
K / W
-
-
150
°C
-40
-
125
°C
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ,世赫原基
情况下,见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment ,机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment , elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
Schraube M6 / M6螺丝
M
3,0
Al
2
O
3
425
-
6,0
Nm
Anschlüsse /终端M6
M
2,5
-
5,0
Nm
G
340
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert , jedoch keine Eigenschaften
zugesichert 。在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。它是有效的同
所属技术说明。
3 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FD300R12KE3
I
C
= F(V
CE
)
V
GE
= 15V
Ausgangskennlinie ( typisch )
输出特性(典型值)
600
500
400
I
C
[A]
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
3,5
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
Ausgangskennlinienfeld ( typisch )
输出特性(典型值)
600
500
400
I
C
[A]
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
V
CE
[V]
3,0
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
I
C
= F(V
CE
)
T
vj
= 125°C
3,5
4,0
4,5
5,0
4 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FD300R12KE3
I
C
= F(V
GE
)
V
CE
= 20V
bertragungscharakteristik ( typisch )
传输特性(典型值)
600
500
400
I
C
[A]
300
200
100
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
Tvj=25°C
Tvj=125°C
11
12
13
Durchlasskennlinie德Dioden ( typisch )
二极管的正向caracteristic (典型值)
I
F
= F(V
F
)
600
525
I
F
[A]逆二极管
450
375
300
225
150
75
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
V
F
[V]
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
800
700
600
500
400
300
200
100
0
I
F
[A]牛刀二极管
5 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02