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DB2J209
硅外延平面型
对于高频整流器阳离子
DB3X209K在SMini2型封装
特点
短的反向恢复时间t
rr
低正向电压V
F
无卤/符合RoHS标准
（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）
单位：mm
标记符号： BE
包装
DB2J20900L浮雕式（热压密封） ： 3 000个/卷（标准）
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
反向电压
反向重复峰值电压
正向电流（平均值）
非重复峰值正向浪涌电流
*
结温
储存温度
符号
V
R
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
20
20
500
3
125
-55到+125
单位
V
V
mA
A
°C
°C
1 ：阴极
2 ：阳极
松下
JEITA
CODE
SMini2-F5-B
SC-90A
注）* ： 50赫兹正弦波1周期（不重复峰值电流）
电气特性
T
a
= 25°C±3°C
参数
正向电压
反向电流
终端电容
反向恢复时间
*
符号
V
F1
V
F2
I
R
C
t
t
rr
I
F
= 10毫安
I
F
= 500毫安
V
R
= 10 V
V
R
= 10 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 100毫安，我
rr
= 0.1
×
I
R
,
R
L
= 100
7
2.4
条件
民
典型值
最大
0.3
0.5
30
单位
V
V
A
pF
ns
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2.本产品是电击（静电等）敏感。由于必须注意对人体和泄漏的电荷支付
来自操作设备的电流。
输入和输出的3绝对频率为400兆赫
*: t
rr
测量电路
偏股申请（N - 50BU ）
t
r
10%
输入脉冲
t
p
t
I
F
输出脉冲
t
rr
t
A
V
R
波形分析仪
(SAS-8130)
R
i
= 50
90%
t
p
= 2
s
t
r
= 0.35纳秒
δ
= 0.05
脉冲发生器
(PG-10N)
R
s
= 50
I
rr
=
0.1
×
I
R
I
F
= 100毫安
I
R
= 100毫安
R
L
= 100
出版日期： 2012年7月
版本。 CED
1
DB2J209
DB2J209_我
F
-V
F
1
I
F
V
F
DB2J209_我
R
-V
R
10
1
10
2
DB2J209_Ct-VR
I
R
V
R
C
t
V
R
40
85°C
T
a
=
25°C
终端电容C
t
（PF ）
10
1
T
a
= 125°C
100°C
T
a
= 125°C
正向电流I
F
(A)
10
2
100°C
85°C
25°C
30°C
10
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
反向电流I
R
(A)
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
30°C
25°C
30
20
10
3
10
4
10
0
5
10
15
20
0
0
5
10
15
20
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
反向电压V
R
(V)
2
版本。 CED
DB2J209
SMini2-F5-B
单位：mm
1.25
±0.10
0.35
±0.05
2
0.13
0.02
+0.05
1.70
±0.10
2.50
±0.20
0 0.05
1
0.50
±0.05
0.40
±0.10
0.70
±0.10
5
°
5
°
土地模式（参考） （单位：mm ）
(0.15)
版本。 CED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息和
在这本书中描述的半导体
(1)
如果任何产品或在这本书中所描述的技术信息将被出口或提供给非本地居民，法律，
出口国家的相关规定，特别是那些在安全方面的出口管制，必须遵守。
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设备，测量仪器和家用电器） ，或特定的应用，在这本书中明确规定。
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–
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车设备，交通信号设备，燃烧设备，
寿命支持系统和安全设备） ，其中优异的质量和可靠性是必需的，或者如果发生故障或失灵
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证法。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，因此，要求的最先进的最新产品
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最大额定值的过渡状态下，如电源接通，断电和模式切换。否则，我们将不承担任何责任
缺陷可以在你的设备后出现的。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到分解，故障发生率的考虑因素
模式下，可能发生对半导体产品。措施对系统，如冗余设计，火势蔓延
或防止毛刺建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用该产品。
（ 6）使用说明，以防止击穿遵守和特点发生变化，由于外部因素（ ESD ， EOS ，
热应力和机械应力）在搬运，安装或客户的流程的时间。在使用产品而
防潮包装是必需的，满足该条件，如货架寿命和自第一开口的包所经过的时间。
（ 7 ）这本书可不能转载或复制全部或部分，未经本公司事先书面许可。
20100202
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