DB151S THRU DB157S
1.5单相玻璃钝化整流桥
整流器反向电压50 1000V
DB -S
特点
该系列产品是UL列在认可
成分指数，文件号E142814
所使用的塑料材料进行保险商实验室
可燃性承认94V -0
浪涌过载额定值到50安培
理想的印刷电路板的应用
高温焊接保证265℃ / 10
5磅（ 2.3公斤）拉力秒
_
~
+
~
6.35
+
0.15
7.65
+
0.25
8.32
+
0.19
2.35
+
0.15
1.01
+
0.13
5.1
+
0.1
10.4 MAX 。
0.2
+
0.15
1.28
+
0.15
机械数据
案例：模压塑料
终端：镀导致每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：对人体标示
安装位置：任意
重量0.04盎司， 1.0克（约）
单位为毫米（高度仅1mm = 0.0394" ）
最大额定值&热特性
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
输出电流在T
A
=40 C
峰值正向浪涌电流单正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
额定值融合（ t<8.3ms ）
每个元素典型热阻
(1)
典型结电容每元
(2)
工作结温和存储温度
范围
评分在25℃环境温度，除非另有规定，电阻或电感性负载， 60赫兹。
对于容性负载电流20％ 。
符号
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
余吨
R
EJA
C
j
T
J
,
T
英镑
2
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
10
110
25.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
美国证券交易委员会
C / W
p
F
2
-55到+ 150
C
电气特性
参数
评分在25℃环境温度，除非另有规定。电阻性或电感性负载，60赫兹。
对于20％的容性负载。
符号
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
单位
V
F
I
R
1.1
10
500
V
A
最大正向电压降
每腿在1.5A
反向电流最大DC额定牛逼
A
=25 C
每个元素阻断电压DC
T
A
=125 C
注意事项：
（1）从结热阻来Ambemt于PC板的安装。
（ 2 ）测得的2.0MHz和应用4.0伏的反向电压。
½½½．½½½½½．½½
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
DB151S
THRU
DB157S
整流器SPECIALISTS
单相技术规格
表面安装桥式整流器
电压范围 - 50到1000伏特
电流 - 1.5安培
特点
*
*
*
*
浪涌过载额定值 - 80安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低成本建设
玻璃钝化结
DB-1S
机械数据
*
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL 94V- 0率阻燃
终端： MIL - STD- 202E ，方法208保证
极性：符号模压或标记体
安装位置：任意
重量： 0.38克
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
o
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
每桥最大正向电压降
元素在1.0A DC
最大DC反向电流在额定
每个元素阻断电压DC
I
2
T级的融合（ t<8.3ms ）
典型结电容（注1）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注： 1.Measured在1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125
o
C
V
F
o
DB151S DB152S
50
35
50
100
70
100
DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
200
140
200
400
280
400
1.0
50
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
1.1
10
500
伏
uAmps
A
2
美国证券交易委员会
pF
0
I
R
I
2
t
C
J
RθJ一
T
J,
T
英镑
10
25
40
-55到+ 150
C / W
C
0
2.热阻结到环境，并从交界处领导安装在PCB用0.5× 0.5" （ 13x13mm ）铜焊盘。
364
出口
EXI
后
NEXT
后
出口
NEXT
后
NEXT
额定值和特性曲线（ DB151S THRU DB157S ）
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
365
NEXT
NEXT
后
后
出口
出口
RECTRON
半导体
技术规格
DB151S
THRU
DB157S
单相玻璃钝化
硅桥式整流器
电压范围50到1000伏特电流1.5安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
浪涌过载额定值 - 60安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价，利用模压
玻璃钝化装置
极性符号上成型体
安装位置：任意
重量： 1.0克
DB -S
.310 (7.9)
.290 (7.4)
.255 (6.5)
.245 (6.2)
机械数据
*环氧：设备具有UL可燃性分类94V- 0
* UL认证认可组件目录，文件＃ E94233
.042 (1.1)
.038 (1.0)
.013 (.330)
.003 (.076)
.410 (10.4)
.360 (9.4)
.009
(9.4)
.060 (1.524)
.040 (1.016)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
.335 (8.51)
.320 (8.13)
.135 (3.4)
.115 (2.9)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
I
FSM
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J,
T
英镑
60
40
15
-55到+ 150
安培
0
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
C / W
0
工作和存储温度范围
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
每桥最大正向电压降
元素在1.0A DC
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
注：后缀“-S ”表面贴装DIP大桥。
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
o
符号
V
F
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S单位
1.1
5.0
0.5
伏
uAmps
毫安
2002-1
I
R
额定值和特性曲线（ DB151S THRU DB157S ）
图。 1 - 最大非重复正向
浪涌电流
60
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
图。 2 - 典型正向电流
降额曲线
1.5
50
8.3ms单半正弦波
（ JEDED方法）
1.0
40
30
.5
单相半波
60Hz的感应或
阻性负载
20
10
0
0
2
4
6 10
20 40 60
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140 150
环境温度（ ）
瞬时正向电流（ A）
10
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
瞬时反向电流， （ UA）
图。 3 - 典型正向
特征
图。 4 - 典型的反向特性
10
1.0
1.0
0.1
TJ = 25
TJ = 25
0.1
.01
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
瞬时正向电压（V）的
.01
0
20
40
60
80
100
120 140
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
RECTRON
思雨
R
表面安装桥式整流器
反向电压
50---1000V
正向电流
1. 5A
DBS
DB151S ...... DB157S
表面贴装桥式整流器
反向电压50 1000V
正向电流1.5 A
特征
特点
·高电流浪涌承受½力
高浪涌电流能力
·高温焊接保证高tempererature焊接保证：
260℃/10
秒
260 ℃ / 10秒
·引线和管½皆符合RoHS标准。
铅和符合RoHS规范体
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例：模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性：符号模压或标记体
·安装½½:
任意
单位：英寸（毫米）
安装位置：任意
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
符号
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
最大均方根电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
TC = 100 ℃
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
40
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
单½
单位
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJA
TJ ， TSTG
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
典型热阻
工½结温和存储温度
工作结存储温度范围
-55--- +150
℃
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
符号
符号
最大正向电压
最大正向电压
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
1.1
10
500
25
单½
单位
V
μA
I
F
= 1.5A
TA = 25 ℃
TA = 125 ℃
V
F
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V ， F = 1MHz的
典型结电容
I
R
Cj
pF
大昌电子
大昌电子
RECTRON
半导体
技术规格
DB151S
THRU
DB1512S
单相玻璃钝化
硅桥式整流器
电压范围50到1200伏特电流1.5安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
浪涌过载额定值 - 64安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价，利用模压
玻璃钝化装置
极性符号上成型体
安装位置：任意
重量： 1.0克
DB -S
.310 (7.9)
.290 (7.4)
.255 (6.5)
.245 (6.2)
机械数据
*环氧：设备具有UL可燃性分类94V- 0
* UL认证认可组件目录，文件＃ E94233
.042 (1.1)
.038 (1.0)
.013 (.330)
.003 (.076)
.410 (10.4)
.360 (9.4)
.009
(0.229)
.060 (1.524)
.040 (1.016)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
.346 (8.8)
.307 (7.8)
.135 (3.4)
.115 (2.9)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
工作和存储温度范围
I
FSM
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J,
T
英镑
40
40
安培
0
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S DB1512S单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1200
840
1200
伏
伏
伏
安培
C / W
0
-55到+ 150
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
每桥最大正向电压降
元素在1.5A DC
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
o
符号
V
F
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S DB1512S单位
1.1
5.0
0.5
伏
uAmps
毫安
2005-4
REV ：一
I
R
注： 1，后缀“-S ”表面贴装DIP大桥。
2. “完全符合RoHS标准” ， “ 100 ％镀锡（无铅） ” 。
额定值和特性曲线（ DB151S THRU DB1512S ）
图。 1 - 最大非重复正向
浪涌电流
60
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
图。 2 - 典型正向电流
降额曲线
1.5
50
8.3ms单半正弦波
（ JEDED方法）
1.0
40
30
.5
单相半波
60Hz的感应或
阻性负载
20
10
0
0
2
4
6 10
20 40 60
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140 150
环境温度（ ）
瞬时正向电流（ A）
10
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
瞬时反向电流， （ UA）
图。 3 - 典型正向
特征
图。 4 - 典型的反向特性
10
1.0
1.0
0.1
TJ = 25
TJ = 25
0.1
.01
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
瞬时正向电压（V）的
.01
0
20
40
60
80
100
120 140
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
RECTRON
BL
银河电子
硅桥式整流器
特点
等级达到1000V PRV
浪涌过载额定值到30安培峰值
玻璃钝化芯片路口
6.3± 0.2
DB151S - - - DB157S
电压范围： 50 --- 1000 V
电流： 1.5 A
DB -S
1± 0.1
7.9± 0.2
8.3± 0.3
6.4± 0.1
0.3
1.2± 0.3
10± 0.6
可靠的低造价，利用模压
塑料技术导致廉价的产品
每MIL -STD- 202方法208铅焊
导语：镀银铜，镀solderde
8.3± 0.1
94V-O
极性符号上成型体
重量： 0.016盎司， 0.45克
2.5± 0.15
塑料材料具有UL易燃性分类
5± 0.2
单位：毫米
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
DB
151S
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD
输出电流
@T
A
=25
DB
152S
100
70
100
DB
153S
200
140
200
DB
154S
400
280
400
1.5
DB
155S
600
420
600
DB
156S
800
560
800
DB
157S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
50
35
50
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时FORW ARD电压
在1.5 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
40
A
V
F
I
R
T
J
T
英镑
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
工作结温范围
存储温度范围
www.galaxycn.com
文档编号0287004
BL
银河电子
1.
BL
银河电子
硅桥式整流器
特点
等级达到1000V PRV
浪涌过载额定值到30安培峰值
玻璃钝化芯片路口
6.3± 0.2
DB151S - - - DB157S
电压范围： 50 --- 1000 V
电流： 1.5 A
DB -S
1± 0.1
7.9± 0.2
8.3± 0.3
6.4± 0.1
0.3
1.2± 0.3
10± 0.6
可靠的低造价，利用模压
塑料技术导致廉价的产品
每MIL -STD- 202方法208铅焊
导语：镀银铜，镀solderde
8.3± 0.1
94V-O
极性符号上成型体
重量： 0.016盎司， 0.45克
2.5± 0.15
塑料材料具有UL易燃性分类
5± 0.2
单位：毫米
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
DB
151S
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD
输出电流
@T
A
=25
DB
152S
100
70
100
DB
153S
200
140
200
DB
154S
400
280
400
1.5
DB
155S
600
420
600
DB
156S
800
560
800
DB
157S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
50
35
50
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时FORW ARD电压
在1.5 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
40
A
V
F
I
R
T
J
T
英镑
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
工作结温范围
存储温度范围
www.galaxycn.com
文档编号0287004
BL
银河电子
1.
DB151S
THRU
DB157S
单相1.5 AMP的表面安装桥式整流器
电压范围
50到1000伏特
当前
1.5安培
DB-1S
.310(7.9)
.290(7.4)
.255(6.5)
.245(6.2)
~
~
特点
*理想的印刷电路板
*可靠的低造价，利用模压
塑料技术
*高浪涌电流能力
*极性：标记体
*安装位置：任意
*重量： 1.0克
+
.042(1.1)
.038(1.0)
.365(9.3)
.355(9.0)
.013(.33)
.003(.08)
.410(10.4)
.360(9.4)
.060(1.5)
.040(1.0)
.135(3.4)
.115(2.9)
.205(5.2)
.195(5.0)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分25℃环境温度uniess otherwies规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度在Ta = 40℃
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
每个桥接件最大正向电压降在1.0A DC
反向电流最大DC
TA = 25℃
在额定阻断电压DC
工作温度范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
TA = 125℃
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
1.1
10
500
-65 +125
-65 +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
mA
mA
C
C
额定值和特性曲线（ DB151S THRU DB157S ）
图1 - 典型正向电流
降额曲线
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
单相
半波60Hz的
负载电阻或电感
图2 -最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
50
平均正向电流（ A）
40
30
TJ = 25℃
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
20
10
0
25
50
75
100 125
150
175
外壳温度（ C）
0
1
5
10
50
100
循环次数在60Hz
图3 ，典型正向
特征
50
瞬时正向电流（ A）
图4 ，典型的反向
特征
50
3.0
1.0
TJ = 25℃
脉宽300US
1 ％占空比
反向漏电流（毫安）
10
10
3.0
1.0
0.1
0.1
TJ = 25℃
.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
0
20
40
60
80
100 120 140
FORWARD VOLT
年龄， （ V）
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
DB151S THRU DB157S
单相玻璃钝化
硅表面贴装桥式整流器
反向电压 - 50到1000伏特
正向电流 - 1.5安培
特点
50安培峰值高浪涌过载额定值
理想的印刷电路板
塑料材料具有保险商实验室
可燃性分类94V -O
玻璃钝化结
机械数据
案例模压塑料， DB -S
终端：信息每MIL -STD- 202 ，
方法208保证
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或
感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
O
在T
A
= 40℃ （注2 ）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压
在1.5A DC和25 ℃
最大反向电流
在额定DC阻断
电压
@T
A
= 25℃
I
R
@T
A
=125
℃
C
J
R
0JA
R
0JL
T
J
,T
英镑
500
25
40
15
-55到+150
毫安
Pf
℃/w
℃/w
℃
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
DB
50
35
50
DB
100
70
100
DB
200
140
200
DB
400
280
400
1.5
DB
600
420
600
DB
800
560
800
DB
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
151S 152S 153S 154S 155S 156S 157S
I
FSM
50
安培
伏
μAMPS
V
F
1.1
5
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注： 1.Measured在1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2.Units安装在P.C.B.用0.5 * 0.5 “（13 * 13毫米）的铜垫。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2003年10月12日
DB151S THRU DB157S
图1 -降额曲线输出
整流电流
1.5
60
图2 -最大非重复峰值
正向浪涌电流每支架
PEAK
正向浪涌电流（ A）
T
J
=150
C
单正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向输出电流（ A）
60Hz
电阻或
感性负载
1.0
50
40
30
0.5
P.C.B.mounted上
0.51*0.51"(13*13mm)
铜垫
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
10
0
1
10
100
环境温度（
c)
F
ig.3 ，典型的正向特性
每腿
10
100
循环次数在60赫兹
图4 - 典型的反向漏
特性每支架
瞬时正向电流（ A）
(μA)
瞬时反向电流
10
T
J
=125
C
1
1
0.1
TJ=25
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
T
J
=50
C
0.01
0
20
40
60
80
100
瞬时正向电压（ v）的
图5 - 典型结电容
每腿
100
T
J
=25
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
额定峰值反向电压的百分比（V ）
图6 - 典型的瞬态热阻抗
C / W ）
瞬态热阻抗（
100
结电容（PF ）
10
10
1
0.1
1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
T，加热时间（秒）
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2003年10月12日
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