RECTRON
半导体
技术规格
DB151S
THRU
DB1512S
单相玻璃钝化
硅桥式整流器
电压范围50到1200伏特电流1.5安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
浪涌过载额定值 - 64安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价，利用模压
玻璃钝化装置
极性符号上成型体
安装位置：任意
重量： 1.0克
DB -S
.310 (7.9)
.290 (7.4)
.255 (6.5)
.245 (6.2)
机械数据
*环氧：设备具有UL可燃性分类94V- 0
* UL认证认可组件目录，文件＃ E94233
.042 (1.1)
.038 (1.0)
.013 (.330)
.003 (.076)
.410 (10.4)
.360 (9.4)
.009
(0.229)
.060 (1.524)
.040 (1.016)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
.346 (8.8)
.307 (7.8)
.135 (3.4)
.115 (2.9)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
工作和存储温度范围
I
FSM
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J,
T
英镑
40
40
安培
0
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S DB1512S单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1200
840
1200
伏
伏
伏
安培
C / W
0
-55到+ 150
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
每桥最大正向电压降
元素在1.5A DC
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
o
符号
V
F
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S DB1512S单位
1.1
5.0
0.5
伏
uAmps
毫安
2005-4
REV ：一
I
R
注： 1，后缀“-S ”表面贴装DIP大桥。
2. “完全符合RoHS标准” ， “ 100 ％镀锡（无铅） ” 。
额定值和特性曲线（ DB151S THRU DB1512S ）
图。 1 - 最大非重复正向
浪涌电流
60
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
图。 2 - 典型正向电流
降额曲线
1.5
50
8.3ms单半正弦波
（ JEDED方法）
1.0
40
30
.5
单相半波
60Hz的感应或
阻性负载
20
10
0
0
2
4
6 10
20 40 60
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140 150
环境温度（ ）
瞬时正向电流（ A）
10
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
瞬时反向电流， （ UA）
图。 3 - 典型正向
特征
图。 4 - 典型的反向特性
10
1.0
1.0
0.1
TJ = 25
TJ = 25
0.1
.01
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
瞬时正向电压（V）的
.01
0
20
40
60
80
100
120 140
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
RECTRON
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