DALC208SC6
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
PP
V
RRM
V
REF
V
In
马克斯。
V
In
分钟。
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
IEC1000-4-2 ，空气放电
IEC1000-4-2 ，接触放电
每个二极管的峰值反向电压
V的基准电压差距
REF2
和V
REF1
最大工作信号输入电压
最小工作信号的输入电压
连续正向电流（单二极管装）
重复峰值正向电流（T
p
= 5
s,
F = 50 kHz）的
浪涌不重复正向电流 -
矩形波形（见曲线图1）
t
p
= 2.5
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 100毫秒
存储温度范围
最高结温
价值
15
8
9
9
V
REF2
V
REF1
200
700
单位
kV
V
V
V
V
mA
mA
6
2
1
-55到+ 150
150
A
T
英镑
T
j
°C
°C
热阻
符号
R
号（j -a）的
结到环境（注1 ）
参数
价值
500
单位
° C / W
注1 ：
设备安装在FR4 PCB与建议足迹尺寸。
电气特性
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
F
I
R
C
参数
正向电压
每个二极管的反向漏电流
线和GND之间的输入电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
见注3
7
典型值。
马克斯。
1.2
1
单位
V
A
pF
注2 ：
的动力学行为是在信息技术部分所述，第4页。
注3 ：
输入电容测量
REF2
I / O
V
R
G
+V
CC
REF1连接到GND
REF2连接到+ Vcc的
输入应用：
VCC = 5V ， Vsign = 30 mV时， F = 1兆赫
REF1
2/10
DALC208SC6
图。 1 ：
最大非重复性峰值正向电流
相对于矩形脉冲持续时间（TJ初始= 25 ℃）。
IFSM （ A）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.001
0.01
0.1
1
TP（ ms）的
10
100
1000
I / O VS REF1
或REF2
I / O VS
REF1或
REF2
图。 2 ：
反向钳位电压与峰值
脉冲电流（ TJ初始= 25 ° C） ，典型值。
方波TP = 2.5
s.
IPP （ A）
2.0
tp=2.5s
1.0
0.1
5
10
15
VCL （ V）
20
25
30
图。 3 ：
漏电流与结的变化
温度（典型值）。
IR（ μA ）
100
图。 4 ：
输入电容与反向应用
电压（典型值）。
C（ pF）的
8.0
7.5
10
7.0
1
6.5
6.0
0.1
5.5
0.01
25
50
75
TJ （ ° C）
100
125
150
F=1MHz
Vsign=30mV
Vref1/ref2=5V
5.0
0
1
2
VR （ V）
3
4
5
图。 5 ：
峰值正向压降与峰值换
病房电流（典型值） 。
方波TP = 2.5
s.
IFM （ A）
10.0
Tj=25°C
Tj=150°C
1.0
I / O VS REF 1
或REF2
0.1
0
2
4
6
8
10 12
VFM （ V）
14
16
18
20
3/10
DALC208SC6
技术信息
浪涌保护
该DALC208SC6特别优化
执行基于轨对轨浪涌保护
拓扑结构。
钳位电压V
CL
可以计算为
如下：
V
CL
+ = V
REF2
+ V
F
V
CL
- = V
REF1 -
V
F
积极激增
负浪涌
应用实例
如果我们考虑到从销的连接
REF
2
到V
CC
从REF
1
到GND被做
两首曲目为10mm长， 0.5毫米大;我们
假定这些寄生电感
轨道约6NH 。
因此，当一个IEC 1000-4-2浪涌发生时，由于
上升这个尖峰（文= 1ns的） ，电压V的时间
CL
有
一个额外的价值等于Lw.dI / DT 。
所述的dI / dt的计算公式为：的di / dt =叶/潮流
≈
24 A / NS
由于寄生电感的过电压
是： Lw.di / DT = 6× 24
≈
144V
通过考虑这些寄生效应
由于不合适的布局电感，钳位
电压将是：
V
CL
+ = +23 + 144
≈
167V
V
CL
- = -18 - 144
≈
-162V
我们可以减少尽可能这些
现象与简单的布局优化。
这就是为什么一些建议有原因
应遵循（见
段"How保证
良好的ESD protection" ） 。
有： V
F
= V
t
+ rd.Ip
(V
F
正向压降电压） / （V
t
正向压降
阈值电压）
根据该曲线图5第3页中，我们
假设的动态电阻的值
钳位二极管通常RD = 0.7Ω和V
t
=
1.2V.
对于IEC 1000-4-2激增4级（联系
放电： V G = 8千伏， RG = 330Ω ） ，V
REF2
= +5V,
V
REF1
= 0V ，并且如果在第一近似中，我们
假设： IP = Vg的/ RG
≈
24A.
所以，我们发现：
V
CL
+
≈
+23V
V
CL
-
≈
-18V
注意：
该计算不考虑
由于寄生电感现象
图。 A1 ：
ESD行为;寄生现象，因不适宜布局。
Lw
REF2=+Vcc
Vf
I / O
LW迪
dt
ESD
浪涌
di
VCL + = VCC + VF + Lw中DT浪涌>0
VI / O
LW迪
dt
Vcl- =
-Vf- Lw中
di
dt
浪涌<0
REF1=GND
tr=1ns
VCL +
167V
t
-vf
积极
浪涌
-LW
di
dt
负
浪涌
LW迪
dt
VCC + VF
t
tr=1ns
-162V
Vcl-
4/10
DALC208SC6
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
PP
V
RRM
V
REF
V
In
马克斯。
V
In
分钟。
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
IEC1000-4-2 ，空气放电
IEC1000-4-2 ，接触放电
每个二极管的峰值反向电压
V的基准电压差距
REF2
和V
REF1
最大工作信号输入电压
最小工作信号的输入电压
连续正向电流（单二极管装）
重复峰值正向电流（T
p
= 5
s,
F = 50 kHz）的
浪涌不重复正向电流 -
矩形波形（见曲线图1）
t
p
= 2.5
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 100毫秒
存储温度范围
最高结温
价值
15
8
9
9
V
REF2
V
REF1
200
700
单位
kV
V
V
V
V
mA
mA
6
2
1
-55到+ 150
150
A
T
英镑
T
j
°C
°C
热阻
符号
R
号（j -a）的
结到环境（注1 ）
参数
价值
500
单位
° C / W
注1 ：
设备安装在FR4 PCB与建议足迹尺寸。
电气特性
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
F
I
R
C
参数
正向电压
每个二极管的反向漏电流
线和GND之间的输入电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
见注3
7
典型值。
马克斯。
1.2
1
单位
V
A
pF
注2 ：
的动力学行为是在信息技术部分所述，第4页。
注3 ：
输入电容测量
REF2
I / O
V
R
G
+V
CC
REF1连接到GND
REF2连接到+ Vcc的
输入应用：
VCC = 5V ， Vsign = 30 mV时， F = 1兆赫
REF1
2/10
DALC208SC6
图。 1 ：
最大非重复性峰值正向电流
相对于矩形脉冲持续时间（TJ初始= 25 ℃）。
IFSM （ A）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.001
0.01
0.1
1
TP（ ms）的
10
100
1000
I / O VS REF1
或REF2
I / O VS
REF1或
REF2
图。 2 ：
反向钳位电压与峰值
脉冲电流（ TJ初始= 25 ° C） ，典型值。
方波TP = 2.5
s.
IPP （ A）
2.0
tp=2.5s
1.0
0.1
5
10
15
VCL （ V）
20
25
30
图。 3 ：
漏电流与结的变化
温度（典型值）。
IR（ μA ）
100
图。 4 ：
输入电容与反向应用
电压（典型值）。
C（ pF）的
8.0
7.5
10
7.0
1
6.5
6.0
0.1
5.5
0.01
25
50
75
TJ （ ° C）
100
125
150
F=1MHz
Vsign=30mV
Vref1/ref2=5V
5.0
0
1
2
VR （ V）
3
4
5
图。 5 ：
峰值正向压降与峰值换
病房电流（典型值） 。
方波TP = 2.5
s.
IFM （ A）
10.0
Tj=25°C
Tj=150°C
1.0
I / O VS REF 1
或REF2
0.1
0
2
4
6
8
10 12
VFM （ V）
14
16
18
20
3/10
DALC208SC6
技术信息
浪涌保护
该DALC208SC6特别优化
执行基于轨对轨浪涌保护
拓扑结构。
钳位电压V
CL
可以计算为
如下：
V
CL
+ = V
REF2
+ V
F
V
CL
- = V
REF1 -
V
F
积极激增
负浪涌
应用实例
如果我们考虑到从销的连接
REF
2
到V
CC
从REF
1
到GND被做
两首曲目为10mm长， 0.5毫米大;我们
假定这些寄生电感
轨道约6NH 。
因此，当一个IEC 1000-4-2浪涌发生时，由于
上升这个尖峰（文= 1ns的） ，电压V的时间
CL
有
一个额外的价值等于Lw.dI / DT 。
所述的dI / dt的计算公式为：的di / dt =叶/潮流
≈
24 A / NS
由于寄生电感的过电压
是： Lw.di / DT = 6× 24
≈
144V
通过考虑这些寄生效应
由于不合适的布局电感，钳位
电压将是：
V
CL
+ = +23 + 144
≈
167V
V
CL
- = -18 - 144
≈
-162V
我们可以减少尽可能这些
现象与简单的布局优化。
这就是为什么一些建议有原因
应遵循（见
段"How保证
良好的ESD protection" ） 。
有： V
F
= V
t
+ rd.Ip
(V
F
正向压降电压） / （V
t
正向压降
阈值电压）
根据该曲线图5第3页中，我们
假设的动态电阻的值
钳位二极管通常RD = 0.7Ω和V
t
=
1.2V.
对于IEC 1000-4-2激增4级（联系
放电： V G = 8千伏， RG = 330Ω ） ，V
REF2
= +5V,
V
REF1
= 0V ，并且如果在第一近似中，我们
假设： IP = Vg的/ RG
≈
24A.
所以，我们发现：
V
CL
+
≈
+23V
V
CL
-
≈
-18V
注意：
该计算不考虑
由于寄生电感现象
图。 A1 ：
ESD行为;寄生现象，因不适宜布局。
Lw
REF2=+Vcc
Vf
I / O
LW迪
dt
ESD
浪涌
di
VCL + = VCC + VF + Lw中DT浪涌>0
VI / O
LW迪
dt
Vcl- =
-Vf- Lw中
di
dt
浪涌<0
REF1=GND
tr=1ns
VCL +
167V
t
-vf
积极
浪涌
-LW
di
dt
负
浪涌
LW迪
dt
VCC + VF
t
tr=1ns
-162V
Vcl-
4/10
DALC208
低电容二极管阵列
特点
■
■
■
■
保护4条线路
峰值反向电压： V
RRM
= 9元二极管V
每个二极管的极低电容：C < 5 pF的
非常低的漏电流：I
R
< 1 μA
SOT23-6L
（塑胶）
1
好处
■
■
■
■
■
具有成本效益的解决方案与分立相比
解
高效率的ESD抑制
无显著信号失真由于很
低电容
的单片集成提供高可靠性
降低PCB面积消耗与分立
解
REF 2
REF 1
I / O 1
I / O 4
图1 。
工作原理图
符合下列标准
■
■
IEC61000-4-2第4级
MIL STD 883G -方法3015-7 ： 3级，
人体模型
I / O 2
I / O 3
应用
其中，静电放电和/或上方和下冲
保护datalines是必需的：
■
■
■
■
■
■
■
描述
该DALC208SC6二极管阵列被设计为
保护，其连接到数据组件
从以上电压输电线路引起的
静电放电（ ESD ）或其他
瞬变。这是轨对轨保护器件还
适合过冲和下冲抑制
对敏感的逻辑输入。
该DALC208SC6的低电容
防止显著信号失真。
敏感的逻辑输入保护
基于微处理器设备
音频/视频输入
便携式电子产品
网
ISDN设备
USB接口
2008年3月
第七版
1/14
www.st.com
14
特征
DALC208
1
表1中。
符号
V
PP
V
RRM
ΔV
REF
V
In
马克斯。
V
In
分钟。
I
F
I
FRM
特征
绝对最大额定值（T
AMB
= 25 °C)
参数
IEC61000-4-2 ，空气放电
IEC61000-4-2 ，接触放电
每个二极管的峰值反向电压
V的基准电压差距
REF2
和V
REF1
最大工作信号输入电压
最小工作信号的输入电压
连续正向电流（单二极管装）
重复峰值正向电流（T
p
= 5毫秒， F = 50千赫）
浪涌不重复正向电流 - 矩形波（见
曲线上
图3. ）
t
p
= 2.5 s
t
p
= 1 s
t
p
= 100 s
存储温度范围
最高结温
价值
15
8
9
9
V
REF2
V
REF1
200
700
单位
kV
V
V
V
V
mA
mA
I
FSM
6
2
1
-55到+ 150
150
A
T
英镑
T
j
°C
°C
表2中。
符号
R
号（j -a）的
热阻
参数
结到环境
(1)
价值
500
单位
° C / W
1.装置安装在FR4 PCB与建议足迹尺寸。
表3中。
符号
V
F
I
R
C
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
参数
正向电压
每个二极管的反向漏电流
线和GND之间的输入电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
SEE
图2中。
7
典型值。
马克斯。
1.2
1
10
单位
V
A
pF
图2中。
输入电容测量
REF2
I / O
V
R
+V
CC
G
REF1连接到GND
REF2连接到+ Vcc的
输入应用：
VCC = 5 V ， Vsign = 30 mV时， F = 1兆赫
REF1
2/14
技术信息
DALC208
2
2.1
技术信息
浪涌保护
该DALC208SC6特别优化的基础上，铁路进行突波保护
铁路拓扑结构。
钳位电压V
CL
可以计算如下：
V
CL
+ = V
REF2
+ V
F
积极激增
V
CL
- = V
REF1
- V
F
负浪涌
同
V
F
= V
T
+ R
d
.I
p
(V
F
正向压降电压） / （V
T
正向压降阈值电压）
根据该曲线
图7
我们假设的动态电阻的值
钳位二极管典型地，R
d
= 0.7
Ω
和V
T
= 1.2 V.
对于IEC 61000-4-2浪涌4级（接触放电： V
g
= 8千伏，R
g
=330
Ω),
V
REF2
= +5 V,
V
REF1
= 0V ，并且如果在第一近似中，我们假设：我
p
= V
g
/ R
g
′
24 A.
所以，我们发现：
–
–
V
CL
+′ +23V
V
CL
-′ -18V
注意：
该计算不考虑因寄生电感账户的现象。
2.2
电涌保护器的应用实例
如果我们考虑到从销REF的连接
2
到V
CC
从REF
1
到GND是
由10毫米长为0.5mm大两个轨道进行;我们假设寄生
这些轨道的电感约为6 nH的。所以，当一个IEC 61000-4-2浪涌发生时，由于
这个尖峰的上升时间（tr = 1纳秒），则电压V
CL
有一个额外的价值等于Lw.dI / DT 。
所述的dI / dt的计算公式为：
的di / dt = IP / TR
′
24 A / NS
由于寄生电感的过电压是：
Lw.dI / DT = 6× 24
′
144V
通过考虑这些寄生电感的影响是由于不合适的布局，所述
钳位电压将是：
–
–
V
CL
+ = +23 + 144
′
167V
V
CL
- = -18 - 144
′
-162V
我们可以减少尽可能多的这些现象用简单的布局优化。
这就是为什么一些建议必须遵循的原因（见
第2.3节：如何
保证良好的ESD保护） 。
4/14
DALC208
网络连接gure 8 。
技术信息
ESD行为：寄生现象是由于不适当的布局
VCL +
167V
ESD
浪涌
Vf
I / O
Lw
REF2=+Vcc
LW迪
dt
LW迪
dt
VCC + VF
t
tr=1ns
积极
浪涌
VI / O
LW迪
dt
di
VCL + = VCC + VF + Lw中DT浪涌>0
di
浪涌<0
Vcl- = -Vf- Lw中
dt
tr=1ns
t
-vf
-LW
di
dt
负
浪涌
REF1=GND
-162V
Vcl-
2.3
如何保证良好的ESD保护
而DALC208SC6提供高的抗ESD浪涌，有效地保护
依赖于电路板的布局。以同样的方式，与轨对轨的拓扑结构，所述轨道
从V
REF2
销与电源+ V
CC
与从V
REF1
连接到GND必须尽可能短
尽可能避免过度由于寄生现象的电压。看
网络连接gure 8 。
它往往很难靠近连接电源到DALC208SC6不同于地面
由于接地平面，它允许一个短的连接。
以保证相同的效率为正的浪涌时的连接不能短
不够，我们建议把100 nF的的电容接近DALC208SC6 ，
V之间
REF2
和地面，以防止这类过电压干扰。
SEE
图9 。
增加这个电容将允许更好的保护提供一个恒定电压
在激增。
图10 ，图11中的
和
图12
示出了ESD保护的根据改进
上述的建议。
5/14
QQ：2881677436 复制
