【DALC112S1低电容二极管阵列，用于ESD保护专用分立器件A.S.D.TM主要应用凡高速data】,IC型号DALC112S1RL,DALC112S1RL PDF资料,DALC112S1RL经销商,ic,电子元器件-51电子网

DALC112S1

低电容二极管

阵列，用于ESD保护

专用分立器件

A.S.D.

主要应用

凡高速datalines ESD保护

要求：

LAN / WAN设备

计算机I / O

图形视频端口

机顶盒的I / O

描述

12二极管阵列由2单元配置

二极管，每个小区被用来保护信号线

从瞬时过电压被钳位作用。

其极低的电容允许快速保护

信号没有失真。据particularlysuited的

保护的图形视频端口。

特点

ARRAYOF 12 DIODESFOR ESDPROTECTION 。

峰值反向电压V

RRM

= 18V PER

二极管。

VERYLOWCAPACITANCE PERDIODE ：C <5pF 。

非常低的漏电流：I

＆ LT ; 2

I / O 1

SO8

工作原理图

REF 1

I / O 2

I / O 3

I / O 6

REF 2

COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS ：

IEC1000-4-2level 3

8千伏（空气放电）

6千伏（ contactdischarge ）

I / O 4

I / O 5

1998年1月 - 埃德： 4

1/3

DALC112S1

典型用途

VCC

DALC112S1

绝对最大额定值

AMB

=25°C).

符号

RRM

英镑

参数

每个二极管的峰值反向电压

存储温度范围

最高结温

价值

-55到+ 150

150

单位

°C

电气特性

AMB

= 25°C).

符号

正向电压

每个二极管的反向漏电流

线和GND之间的输入电容

= 5 V, V

RMS

= 30 mV时， F = 1兆赫

（见下图1 ）

参数

= 50毫安

= 15 V

典型值。

马克斯。

1.3

单位

图1 ：

输入电容测量

REF2

I / O

REF1

连接REF1和REF2之间

输入应用：

VCC = 5V ，V

RMS

= 30 mV时， F = 1兆赫

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DALC112S1

订货编号

DALC 1月12日的1 RL

二极管阵列

低

电容

RL = tape&卷轴（2500件）。

=管（ 100个）。

VERSION

SO8封装

NB 。二极管

记号

TYPE

DALC112S1

记号

DALC12

订货编号

DALC112S1

DALC112S1RL

REF 。

包装（基地数量）

管（100）的

磁带&盘（ 2500 ）

尺寸

单位为毫米

英寸

分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。

1.75

0.069

0.1

0.35

0.19

0.50

45 ° （典型值）

4.8

5.8

1.27

3.81

3.8

0.4

4.0

1.27

0.15

0.016

5.0

6.2

0.189

0.228

0.050

0.150

0.157

0.050

0.024

0.197

0.244

0.25

1.65

0.48

0.25

0.004

0.014

0.007

0.020

0.010

0.065

0.019

0.010

包装机械数据

SO8 （塑料）

包装：首选包装磁带和卷轴。

0.6

8° （最大）

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