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DALC112S1
低电容二极管
阵列,用于ESD保护
专用分立器件
A.S.D.
TM
主要应用
凡高速datalines ESD保护
要求:
LAN / WAN设备
计算机I / O
图形视频端口
机顶盒的I / O
描述
12二极管阵列由2单元配置
二极管,每个小区被用来保护信号线
从瞬时过电压被钳位作用。
其极低的电容允许快速保护
信号没有失真。据particularlysuited的
保护的图形视频端口。
特点
ARRAYOF 12 DIODESFOR ESDPROTECTION 。
峰值反向电压V
RRM
= 18V PER
二极管。
VERYLOWCAPACITANCE PERDIODE :C <5pF 。
非常低的漏电流:I
R
& LT ; 2
A.
I / O 1
SO8
工作原理图
REF 1
I / O 2
I / O 3
I / O 6
REF 2
COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS :
IEC1000-4-2level 3
8千伏(空气放电)
6千伏( contactdischarge )
I / O 4
I / O 5
1998年1月 - 埃德: 4
1/3
DALC112S1
典型用途
VCC
DALC112S1
绝对最大额定值
(T
AMB
=25°C).
符号
V
RRM
T
英镑
T
j
参数
每个二极管的峰值反向电压
存储温度范围
最高结温
价值
18
-55到+ 150
150
单位
V
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
F
I
R
C
正向电压
每个二极管的反向漏电流
线和GND之间的输入电容
V
cc
= 5 V, V
RMS
= 30 mV时, F = 1兆赫
(见下图1 )
参数
I
F
= 50毫安
V
R
= 15 V
7
典型值。
马克斯。
1.3
2
单位
V
A
pF
图1 :
输入电容测量
REF2
I / O
G
REF1
V
CC
+V
CC
连接REF1和REF2之间
输入应用:
VCC = 5V ,V
RMS
= 30 mV时, F = 1兆赫
2/3
DALC112S1
订货编号
DALC 1月12日的1 RL
二极管阵列
电容
RL = tape&卷轴(2500件) 。
=管( 100个) 。
VERSION
SO8封装
NB 。二极管
记号
TYPE
DALC112S1
记号
DALC12
订货编号
DALC112S1
DALC112S1RL
REF 。
包装(基地数量)
管(100)的
磁带&盘( 2500 )
尺寸
单位为毫米
英寸
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
1.75
0.069
0.1
0.35
0.19
0.50
45 ° (典型值)
4.8
5.8
1.27
3.81
3.8
0.4
4.0
1.27
0.15
0.016
5.0
6.2
0.189
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.024
0.197
0.244
0.25
1.65
0.48
0.25
0.004
0.014
0.007
0.020
0.010
0.065
0.019
0.010
包装机械数据
SO8 (塑料)
A
a1
a2
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
包装:首选包装磁带和卷轴。
0.6
8° (最大)
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有任何不侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换所有informationprevious LY提供。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
1998年意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 - 中
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
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DALC112S1
低电容二极管
阵列,用于ESD保护
专用分立器件
A.S.D.
TM
主要应用
凡高速datalines ESD保护
要求:
LAN / WAN设备
计算机I / O
图形视频端口
机顶盒的I / O
描述
12二极管阵列由2单元配置
二极管,每个小区被用来保护信号线
从瞬时过电压被钳位作用。
其极低的电容允许快速保护
信号没有失真。据particularlysuited的
保护的图形视频端口。
特点
ARRAYOF 12 DIODESFOR ESDPROTECTION 。
峰值反向电压V
RRM
= 18V PER
二极管。
VERYLOWCAPACITANCE PERDIODE :C <5pF 。
非常低的漏电流:I
R
& LT ; 2
A.
I / O 1
SO8
工作原理图
REF 1
I / O 2
I / O 3
I / O 6
REF 2
COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS :
IEC1000-4-2level 3
8千伏(空气放电)
6千伏( contactdischarge )
I / O 4
I / O 5
1998年1月 - 埃德: 4
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DALC112S1
典型用途
VCC
DALC112S1
绝对最大额定值
(T
AMB
=25°C).
符号
V
RRM
T
英镑
T
j
参数
每个二极管的峰值反向电压
存储温度范围
最高结温
价值
18
-55到+ 150
150
单位
V
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C).
符号
V
F
I
R
C
正向电压
每个二极管的反向漏电流
线和GND之间的输入电容
V
cc
= 5 V, V
RMS
= 30 mV时, F = 1兆赫
(见下图1 )
参数
I
F
= 50毫安
V
R
= 15 V
7
典型值。
马克斯。
1.3
2
单位
V
A
pF
图1 :
输入电容测量
REF2
I / O
G
REF1
V
CC
+V
CC
连接REF1和REF2之间
输入应用:
VCC = 5V ,V
RMS
= 30 mV时, F = 1兆赫
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DALC112S1
订货编号
DALC 1月12日的1 RL
二极管阵列
电容
RL = tape&卷轴(2500件) 。
=管( 100个) 。
VERSION
SO8封装
NB 。二极管
记号
TYPE
DALC112S1
记号
DALC12
订货编号
DALC112S1
DALC112S1RL
REF 。
包装(基地数量)
管(100)的
磁带&盘( 2500 )
尺寸
单位为毫米
英寸
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
1.75
0.069
0.1
0.35
0.19
0.50
45 ° (典型值)
4.8
5.8
1.27
3.81
3.8
0.4
4.0
1.27
0.15
0.016
5.0
6.2
0.189
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.024
0.197
0.244
0.25
1.65
0.48
0.25
0.004
0.014
0.007
0.020
0.010
0.065
0.019
0.010
包装机械数据
SO8 (塑料)
A
a1
a2
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
包装:首选包装磁带和卷轴。
0.6
8° (最大)
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有任何不侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换所有informationprevious LY提供。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
1998年意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 - 中
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:赵小姐
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DALC112
ST
2022
334680
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DALC112
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7900
贴◆插
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电话:13910052844(微信同步)
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