a
特点
完整的12位DAC
无需外部元件
+5 V单操作
1 mV / bit的有4.095 V满量程
真实电压输出5 mA驱动
非常低的功率-3毫瓦
应用
数字控制校准
伺服控制
过程控制设备
PC外设
REF
+5伏，并行输入
完整的12位DAC
DAC8562
功能框图
REFOUT
V
DD
DAC-8562
12-BIT
DAC
12
AGND
DAC寄存器
12
V
OUT
DGND
CE
数据
CLR
概述
该DAC8562是一个完整的，并行输入， 12位电压输出
把DAC设计，从+5 V单电源供电。建
利用它采用CBCMOS过程中，这些单芯片DAC提供
用户成本低，易于使用的5伏只有系统。
包括在芯片上，除了给DAC ，是轨对轨
放大器，锁存器和参考。引用（ REFOUT ）是
修剪到2.5伏，且片上放大器获得了
DAC输出至4.095伏满量程。用户只需要支持
帘布层+5伏电源。
该DAC8562编码标准二进制。运算放大器输出
从0到4.095伏的摆动为每比特分辨率一个1毫伏
化，并能够驱动
±
5毫安。使用低温度建
TURE -系数硅铬薄膜电阻，卓越的
已经实现了的线性误差在整个温度范围，如图所示
低线性误差与数字输入代码的关系。
数字接口是并行和高速接口到所述
最快的处理器无需等待。该接口是起来非常简单
PLE只需要一个单一的
CE
信号。异步
CLR
IN-
把套输出零电平。
该DAC8562是在两个不同的20引脚封装，
塑料DIP和SOL - 20 。每一部分的操作完全指定
化在-40 ° C至+ 85°C ，并全面+5 V
±
5 ％的电源
范围内。
对于MIL -STD- 883的应用程序，请联系您当地的ADI销售
办公室的DAC8562 / 883数据表指定操作
化在-55° C至+ 125 °C温度范围。
1
0.75
线性误差 - LSB
V
DD
= +5V
T
A
= –55
°
C, +25
°
C, +125
°
C
–55
°
C
0.5
0.25
0
–0.25
–0.5
+25
°
& 125
°
C
–0.75
–1
0
1024
2048
3072
数字输入码 - 十进制
4096
图1.线性误差与数字输入代码的关系
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
DAC8562–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
(@ V
DD
= +5.0
符号
5%, R
S
=无负载， -40℃
≤
T
A
≤
85 ℃，除非另有说明）
民
典型值
最大
单位
条件
静态性能
决议
相对精度
微分非线性
零刻度误差
满量程电压
N
INL
DNL
V
ZSE
V
FS
TCV
FS
I
OUT
LD
REG
C
L
V
REF
I
REF
LN
REJ
LD
REG
V
IL
V
IH
I
IL
C
IL
t
CEW
t
DS
t
DH
t
CLRW
t
S
满量程温度系数
模拟输出
输出电流
负载调节满量程的一半
容性负载
参考输出
输出电压
输出源电流
行拒绝
负载调整率
逻辑输入
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
输入漏电流
输入电容
接口时序规范
1, 4
芯片使能脉冲宽度
数据设置
数据保持
清除脉冲宽度
AC特性
4
输出电压建立时间
6
数字馈通
电源特性
正电源电流
功耗
电源灵敏度
注2
E级
F级
无失码
数据= 000
H
数据 - FFF
H3
E级
F级
注3 ，第4
数据= 800
H
R
L
= 402
to
∞,
数据= 800
H
无振荡
4
12
–1/2
–1
–1
±
1/4
±
3/4
±
3/4
+1/2
4.095
4.095
±
16
±
7
1
500
2.500
7
+1/2
+1
+1
+3
4.103
4.111
位
最低位
最低位
最低位
最低位
V
V
PPM /°C的
mA
最低位
pF
V
mA
%/V
％ / mA的
V
V
A
pF
ns
ns
ns
ns
4.087
4.079
±
5
3
注5
I
REF
= 0至5毫安
2.484
5
2.516
0.08
0.1
0.8
2.4
注4
30
30
10
20
To
±
1 LSB终值
16
35
3
0.6
15
3
0.002
6
1
30
5
0.004
10
10
s
纳伏秒
mA
mA
mW
mW
%/%
I
DD
P
DISS
PSS
V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.8 V
V
IL
= 0 V, V
DD
= +5 V
V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.8 V
V
IL
= 0 V, V
DD
= +5V
V
DD
=
±
5%
笔记
1
所有的输入控制信号与T指定
r
= t
f
= 5纳秒（10％至90％的5 V）和从1.6V的电压电平的定时
2
1 LSB = 1 mV的0 4.095 V的输出范围。
3
包括内部参考电压误差。
4
这些参数由设计保证，不受生产测试。
5
非常小的灌电流可在REFOUT引脚。使用外部缓冲，如果建立一个虚地。
6
建立时间规范不过去的6个LSB地面内申请负跳变。有些设备具有双重的典型建立时间
这6 LSB的区域。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
DAC8562
晶圆测试极限
参数
(@ V
DD
= 5.0 V，5 ％ ，R
L
=空载，T
A
= + 25℃ ，适用于零件号DAC8562GBC只，
除非另有说明）
符号
条件
民
典型值
最大
单位
静态性能
相对精度
微分非线性
零刻度误差
满量程电压
参考输出电压
逻辑输入
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
输入漏电流
电源特性
正电源电流
功耗
电源灵敏度
INL
DNL
V
ZSE
V
FS
V
REF
V
IL
V
IH
I
IL
I
DD
P
DISS
PSS
无失码
数据= 000
H
数据= FFF
H
–1
–1
4.085
2.490
±
3/4
±
3/4
+1/2
4.095
2.500
+1
+1
+3
4.105
2.510
0.8
最低位
最低位
最低位
V
V
V
V
A
mA
mA
mW
mW
%/%
2.4
10
V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.8 V
V
IL
= 0 V, V
DD
= +5 V
V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.8 V
V
IL
= 0 V, V
DD
= +5 V
V
DD
=
±
5%
3
0.6
15
3
0.002
6
1
30
5
0.004
记
1
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后产率，不能保证
对于标准产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
绝对最大额定值*
1
t
CEW
t
DS
t
DH
V
DD
到DGND和AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 10 V
逻辑输入到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
V
OUT
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
V
REFOUT
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
I
OUT
短路接地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
封装功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
J
马克斯 - T的
A
)/
JA
热阻
JA
20引脚塑料DIP封装（ P） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74 ° C / W
20引脚SOIC封装（ S） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89 ° C / W
最高结温（T
J
最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40C至+ 85C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
CE
0
1
DB
11–0
0
1
数据有效
t
CLRW
CLR
0
FS
V
OUT
ZS
-1 LSB
误差带
t
S
t
S
图2.时序图
表一，控制逻辑真值表
CE
CLR
DAC寄存器功能
H
L
↑
+
X
H
H
H
H
L
↑
+
LATCHED
透明
锁存的新数据
装的都是零
锁存所有零
↑
+正逻辑转换; X不在乎。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。数字控制输入二极管保护;
然而，永久性的损害可能在受到高能静电未连接设备发生
场。未使用的设备必须存储在导电泡沫或分流器。保护性泡沫应该是
排放到目的地插座插入设备之前。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
DAC8562
销刀豆网络gurations
20引脚P- DIP
(N-20)
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
DB8
DB9
DB10
DB11
DGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
NC =无连接
20 V
DD
19
DB2
表II中。额定输出电压与输入代码
二进制
（十六进制）
十进制
输出（V ）
SOL-20
(R-20)
1
18 DB1
17
DB0
CE
CLR
DAC-8562
顶视图
（不按比例）
DAC-8562
顶视图
（不按比例）
16
15
14 REFOUT
13
12
11
V
OUT
AGND
NC
0000 0000 0000
0000 0000 0001
0000 0000 0010
0000 0000 1111
0000 0001 0000
0000 1111 1111
0001 0000 0000
0001 1111 1111
0010 0000 0000
0011 1111 1111
0100 0000 0000
0111 1111 1111
1000 0000 0000
1100 0000 0000
1111 1111 1111
000
001
002
00F
010
0FF
100
1FF
200
3FF
400
7FF
800
C00
FFF
0
1
2
15
16
255
256
511
512
1023
1024
2047
2048
3072
4095
0.000零刻度
0.001
0.002
0.015
0.016
0.255
0.256
0.511
0.512
1.023
1.024
2.047
2.048一半规模
3.072
4.095满量程
引脚说明
订购指南
针
模型
INL
（ LSB ）
温度
范围
包
选项
名字
描述
20
1-9
17-19
16
15
V
DD
DB0-DB11
CE
CLR
DAC8562EP
DAC8562FP
DAC8562FS
DAC8562GBC
±
1/2
±
1
±
1
±
1
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
+25°C
N-20
N-20
R-20
骰子
DICE特性
AGND
12
V
OUT
REFOUT
13
14
7
DB9
DGND
10
DB11
9
8
DB10
8
12
DGND
AGND
13
V
OUT
CLR
15
6
DB8
5
CE
DB0
16
17
4
DB7
14
REFOUT
DB6
11
DB1
18
19
DB2
20
V
DD
1
DB3
2
DB4
3
DB5
NC
正电源。面值
+5伏，
±
5%.
十二进制数据位输入。 DB11
为MSB ，而DB0则为LSB的。
芯片使能。低电平有效输入。
低电平有效数字输入，可清除
DAC寄存器为零，设置DAC
以最小的规模。
数字地输入逻辑。
模拟地。接地参考
内部带隙基准电压，
在DAC和输出缓冲器。
从DAC的输出电压。固定
0 V至4.095 V的输出电压范围
1毫伏/ LSB 。内部温度
TURE稳定参考维护
固定的满量程电压无关
时间，温度和电源
的变化。
标称2.5 V基准电压输出
年龄。该节点必须重新如果被缓冲
引入来驱动外部负载。
无连接。离开引脚悬空。
基材是常见的V
DD
.
晶体管数量： 524
DIE SIZE ： 0.70× 0.105英寸; 7350 SQ MILS
–4–
REV 。一
DAC8562
手术
该DAC8562是一个完整的准备使用的12位数字 -
模转换器。只有一个+ 5V电源是必要的
操作。它包含一个电压转换时， 12位，激光微调
数字 - 模拟转换器，曲率校正的带隙为参考
ENCE ，轨到轨输出运算放大器，以及一个DAC寄存器。在标准杆
等位基因数据接口由12个数据位， DB0 - DB11和
低电平有效
CE
频闪。此外，异步
CLR
针
将设置所有DAC寄存器位为零造成的V
OUT
是─
来零伏。此功能对于上电复位或有用
系统故障恢复到一个已知的状态。
D / A转换器部分
电流是由一个P沟道的上拉装置，其不仅能够支持提供
层接地端接负载，在-5 ％尤为重要
提供4.75伏的公差值。
V
DD
P沟道
V
OUT
N沟道
内部DAC是一个12位的电压模式设备与输出
把那个摇摆从AGND潜力的2.5伏的内部
带隙电压。它采用一激光器修整R-2R梯形这是
以N沟道MOSFET开关。的输出电压
DAC具有恒定性独立的数字输入
代码。 DAC输出（未提供给用户）的内部
连接到轨到轨输出运算放大器。
扩增fi er节
AGND
图4.等效模拟输出电路
图5和图中的典型性能特征6节
化提供输出摆幅性能信息近
接地与满刻度作为负荷的函数。除了电阻
略去负载驱动能力，放大器也被仔细
设计特点是高达500 pF的电容负载
驱动能力。
参考科
内部DAC的输出是由低功率缓冲CON-
消费精密放大器。这种低功耗放大器包含
差分对PNP输入级，它提供低失调
电压和低噪声，以及扩增零的能力
缩放DAC输出电压。轨到轨放大器被配置
置的在1.6384 ，以便设置所述的增益（= 4.095 V / 2.5 V）的
4.095伏的满量程输出（ 1毫伏/ LSB ） 。参见图3为
模拟部分的等效电路示意图。
REFOUT
2.5V
带隙
参考
电压开关12位
R- 2R D / A转换器
2R
R
卜FF器
2R
R1
R
2R
R2
内部2.5 V曲率校正带隙参考电压进行
ENCE的激光调整为初始精度，低温度
TURE系数。由附图中产生的电压是
可在REFOUT引脚。因为REFOUT并不意
以驱动外部负载，它必须是缓冲的，指的是应用
系统蒸发散节以获取更多信息。相当于发射器跟着
该REFOUT引脚的下输出电路示于图3 。
绕过REFOUT引脚不需要进行适当的操作
化。图7示出宽带噪声性能。
电源
轨到轨
产量
扩音器
V
OUT
该DAC8562的非常低的功率消耗是一个直接
的电路优化设计，采用采用CBCMOS亲的结果
塞斯。通过使用CMOS的用于低功率特性
的逻辑，和低噪声时，互为紧密匹配
tary双极晶体管，良好的模拟的精度。
对于功耗敏感的应用，重要的是
注意， DAC8562的内部功率消耗是
强烈地依赖于实际的逻辑的输入电压电平
目前在DB0 - DB11 ，
CE
和
CLR
销。由于这些指令
看跌期权是标准CMOS逻辑结构，它们有助于静
功耗依赖于实际的驾驶逻辑V
OH
和
V
OL
电压电平。在图9中的曲线图显示了用于─效果
河谷DAC8562电源电流的实际值的函数
输入逻辑电压。因此，以获得最佳的使用功耗
CMOS的逻辑与TTL提供在最小耗散
静止状态。 A V
INL
= 0 V的DB0 - DB11引脚提供
600最低的待机功耗
A
采用+5 V电源。
AV = 4.096 / 2.5
= 1.636V/V
SPDT
CH FET
开关
2R
2R
图3.等效DAC8562原理
模拟部分
该运算放大器具有16
s
典型的沉降时间为0.01％。那里
对于负回转信号在建立时间略有差别
与积极的。见示波器照片中的典型Per-
formances本数据手册的部分。
输出部分
该放大器的轨到轨输出级的设计
提供精密性能的同时，无论是附近的操作
电源。图4示出的等效输出概略
轨到轨放大器，它的N沟道下拉场效应管的
将直接拉动的输出负载到地。输出采购
REV 。一
–5–
QQ：2880707522 复制
