DAC7551
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SLAS441 - 2005年3月
12位超低毛刺电压输出
数位类比转换器
特点
2.7 V至5.5 V单电源供电
12位线性度和单调性
轨至轨电压输出
建立时间： 5 μs（最大值）
超低毛刺能量： 0.1 NVS
低功耗： 200 μA （最大值）
省电： 2 μA （最大）
上电复位至零标度
SPI兼容串行接口：高达50 MHz的
菊花链功能
异步硬件清除
规定温度范围： -40 ° C至105℃
小的， 2毫米x 3毫米， 12引脚SON封装
描述
该DAC7551是一个单信道，电压输出
DAC，具有出色的线性度和单调性。其
专有架构最大限度地减少故障的能量。该
低功耗DAC7551采用2.7 V至工作
5.5 V电源。该DAC7551输出放大器可以
驱动2 kΩ的， 200 - pF负载轨到轨与5 - μs的稳定
时间;输出范围通过外部电压设定
参考。
3线串行接口，工作时钟速率最高达
50 MHz和与SPI， QSPI兼容，
MICROWIRE和DSP接口标准。零件
掺入的上电复位电路，以确保
DAC输出上电至0 V并保持有
直到一次有效的写周期设备发生。该
此外还具有省电功能，可降低
该装置的电流消耗低于2 μA 。
小尺寸和低功耗性能使
DAC7551非常适合电池供电的便携式
应用程序。的功耗通常
0.5毫瓦5 V ， 0.23 mW的3 V ，并减少了1 μW
在掉电模式。
该DAC7551可在12引脚SON封装
并规定在-40°C至105 ℃。
应用
便携式电池供电仪器
数字增益与失调调节
可编程电压及电流源
可编程衰减器
工业过程控制
功能框图
V
DD
IOV
DD
V
REF
H
SCLK
SYNC
SDIN
POWER- ON
RESET
接口
逻辑
移
注册
DAC
注册
STRING
DAC
V
FB
_
+
V
OUT
掉电
逻辑
SDO CLR
GND
V
REF
L
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标..
产品预览资料涉及产品的地层
发展略去或设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器保留
有权改变或者恕不另行通知停止这些产品。
版权所有 2005年，德州仪器
产品预览
DAC7551
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
包
包
代号
DRN
特定网络版
温度
范围
-40C至105C
包
记号
D51
订购
数
DAC7551IDRNT
DAC7551IDRNR
运输
媒体
250件磁带和卷轴
2500片卷带
DAC7551
(1)
12 SON
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
V
DD
到GND
数字输入电压至GND
V
OUT
到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温（T
J
MAX ）
(1)
0.3 V至6 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-40C至105C
-65_C到150_C
150°C
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条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
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电气特性
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ，V
REF
H = V
DD
, V
REF
L = GND ，R
L
= 2 kΩ到GND ;
L
= 200 pF到GND ;所有规格-40 ° C至105 ° C，
除非另有说明
参数
STATIC
性能
(1)
12
±0.35
指定的单调设计
载入DAC寄存器全部为零
±0.08
±1
±0.5
±12
±12
±0.15
±0.5
7
3
V
DD
= 5 V
2× V
REF
L
R
L
= 2 kΩ的; 0 pF的<
L
< 200 pF的
1
R
L
=
∞
R
L
= 2 k
数模转换毛刺脉冲
数字馈通
输出噪声密度（ 10 kHz偏置
频）
总谐波失真
直流输出阻抗
短路电流
开机时间
参考输入
V
REF
H，输入范围
V
REF
L，输入范围
参考输入阻抗
参考电流
逻辑输入
(2)
输入电流
V
IN_L
，输入低电压
V
IN_H
，输入高电压
引脚电容
(1)
(2)
线性测试使用30 4065减少代码范围;输出卸载。
通过设计和特性参数，未经生产测试。
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
0.7 V
DD
3
±1
0.3 V
DD
A
V
V
pF
V
REF
= V
DD
= 5 V
V
REF
= V
DD
= 3 V
V
REF
L < V
REF
H
0
0
GND
100
130
65
250
123
V
DD
V
DD
V
V
k
A
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
走出掉电模式下，V
DD
= 5 V
走出掉电模式下，V
DD
= 3 V
F
OUT
= 1千赫，女
S
= 1 MSPS ， BW = 20 kHz的
1 LSB变化主进位
470
1000
0.1
0.1
70
–85
1
50
20
15
15
s
nV-s表示
nV-s表示
内华达州/ rtHz的
dB
mA
0.75
V
REF
H
5
位
最低位
最低位
mV
mV
％ FSR
％ FSR
μV/°C
PPM的FSR /°C的
mV / V的
V
s
V / μs的
pF
决议
相对精度
微分非线性
偏移误差
零刻度误差
增益误差
满量程误差
零刻度误差漂移
增益温度COEF网络cient
PSRR
输出特性
(2)
输出电压范围
输出电压建立时间
压摆率
容性负载稳定性
测试条件
民
典型值
最大
单位
3
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电气特性（续）
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ，V
REF
H = V
DD
, V
REF
L = GND ，R
L
= 2 kΩ到GND ;
L
= 200 pF到GND ;所有规格-40 ° C至105 ° C，
除非另有说明
参数
电源要求
V
DD
I
DD
（正常操作）
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
I
DD
（所有掉电模式）
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
参考输入阻抗
功率英法fi效率
I
OUT
/I
DD
I
负载
= 2毫安， V
DD
= 5 V
93%
V
IH
= V
DD
和V
IL
= GND
0.2
0.05
100
2
2
A
k
DAC主动和不包括负载电流
V
IH
= V
DD
和V
IL
= GND
2.7
150
100
5.5
200
150
V
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
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时序特性
(1) (2)
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ，R
L
= 2 kΩ到GND ;所有规格-40 ° C至105 ° C，除非另有说明
参数
t
1 (3)
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
(1)
(2)
(3)
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC下降沿到SCLK下降沿设置
时间
数据建立时间
数据保持时间
SCLK下降沿到SYNC上升沿
最小SYNC高电平时间
SCLK下降沿到SDO有效
CLR脉冲宽度低
测试条件
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 3.6 V至5.5 V
民
20
20
10
10
10
10
4
4
5
5
4.5
4.5
0
0
20
20
待定
待定
待定
待定
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
所有输入信号均采用t指定
R
= t
F
= 1毫微秒（10％ 90 ％的V
DD
）和定时从一个电压电平（V
IL
+ V
IH
)/2.
见串行写操作时序图
图1 。
最大SCLK频率为50兆赫在V
DD
= 2.7 V至5.5 V.
t
1
SCLK
t
8
SYNC
t
4
t
3
t
2
t
7
t
5
SDIN
D15
D14
t
6
D13
D12
D11
D1
D0
D15
D0
输入字n + 1
D14
D0
输入字n
SDO
t
9
D15
未定义
CLR
输入字n
t
10
图1.串行写操作
5
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