DAC7545
DA
C75
45
DAC
7 54
5
SBAS150A - 1987年8月 - 修订2003年2月
CMOS 12位乘法
数位类比转换器
微处理器兼容
特点
q
四象限乘法
q
低增益TC ：为2ppm /
°
TYP
q
单调性保证温度过高
q
单5V至15V电源
q
q
q
q
TTL / CMOS逻辑兼容
低输出漏： 10nA的最大
低输出电容： 70pF最大
直接替代AD7545 ，
PM-7545
描述
该DAC7545是一种低成本，CMOS 12位，四象限
乘法，数字 - 模拟转换器（DAC），与输入数据
锁存器。输入数据被载入DAC作为一个12位的
数据字。该数据流经到DAC当两个
芯片选择（CS ）和写（WR）的引脚处于逻辑低电平。
激光微调薄膜电阻和出色的CMOS电压
年龄交换机提供真正的12位积分和微分
线性度。该器件工作于+ 5V单电源为+ 15V供电
并采用SO - 20封装;设备指定
在商用温度范围。
该DAC7545非常适合用于电池供电或者其他低
功率应用，因为功耗小于
与CMOS逻辑输入和V使用时0.5MW
DD
= +5V.
R
FB
20
1
V
REF
19
12-Bit
乘法DAC
2
出1
AGND
12
WR 17
CS 16
输入
数据锁存器
12
DB
11
-dB
0
（引脚4-15 ）
18
3
V
DD
DGND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 1987-2003年，德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
V
DD
到DGND ................................................ ........................... -0.3V ， 17
数字输入到DGND .............................................. ................. -0.3V ，V
DD
V
RFB
, V
REF
，至DGND ............................................... .........................
±25V
V
销1
到DGND ................................................ ........................ -0.3V ，V
DD
AGND至DGND ............................................... ......................... -0.3V ，V
DD
功耗：任何包装到+ 75°C ....................................为450mW
减额高于+ 75 ℃，通过................................为6mW /°C的
工作温度：
商用J，K， L，和GL ......................................... .. -40 ° C至+ 85°C
存储温度................................................ ...... ?? 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
注： （ 1 ）工作条件超过上述所列可能导致永久性损坏
该设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何其他条件超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
相对的
增益误差（ LSB ）
包
精度（ LSB ）
V
DD
= +5V
PACKAGE -LEAD标志
(1)
±2
±1
±1/2
±1/2
±20
±10
±5
±2
SO-20
＆ QUOT ;
SO-20
＆ QUOT ;
DW
＆ QUOT ;
DW
＆ QUOT ;
特定网络版
温度
范围
包
记号
订购
数
运输
媒体， QUANTITY
Rails的，
Rails的，
Rails的，
Rails的，
38
38
38
38
产品
DAC7545
＆ QUOT ;
DAC7545
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C DAC7545JU DAC7545JU
＆ QUOT ;
DAC7545KU DAC7545KU
-40 ° C至+ 85°C DAC7545LU DAC7545LU
＆ QUOT ;
DAC7545GLU DAC7545GLU
注： （ 1 ）有关最新规格和包装的信息，请访问我们的网站： www.ti.com 。
引脚连接
顶视图
SO
出1
AGND
DGND
（MSB）的DB
11
DB
10
DB
9
DB
8
DB
7
DB
6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DAC7545
20 R
FB
19 V
REF
18 V
DD
17 WR
16 CS
15分贝
0
（ LSB ）
14分贝
1
13分贝
2
12分贝
3
11分贝
4
DB
5
10
写周期时序图
CS
t
CS
t
CH
V
DD
0
WR
t
WR
V
DD
t
DH
0
V
DD
0
写模式
CS
和
WR
低， DAC回应
数据总线（ DB
0
-dB
11
）输入。
模式选择
HOLD MODE
或
CS
or
WR
高，数据总线
（ DB
0
-dB
11
）被锁定; DAC
保存最后的数据存在时
WR
or
CS
假定高的状态。
t
DS
DATA IN
（ DB
0
-dB
11
)
V
IH
V
IL
数据
有效
注： V
DD
= + 5V ，T
R
= t
F
= 20ns的。 V
DD
= + 15V ，T
R
= t
F
= 40ns的。所有输入信号
上升和下降，从10％测量的时间，以90 ％的V
DD
。定时测量
参考电平为（Ⅴ
IH
+ V
IL
)/2.
2
DAC7545
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SBAS150A
电气特性
V
REF
= +10V, V
出1
= 0V ，而ACOM = DCOM中，除非另有规定。
DAC7545
V
DD
= +5V
参数
静态性能
决议
准确性
GRADE
所有
J
K
L
GL
J
K
L
GL
J
K
L
GL
所有
T
A
= +25
°
C
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±20
±10
±5
±2
±5
T
最大
-T
MIN(1)
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±20
±10
±6
±3
±5
V
DD
= +15V
T
A
= +25
°
C
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±25
±15
±10
±6
±10
T
最大
-T
MIN(1)
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±25
±15
±10
±7
±10
单位测试条件/评论
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
微分非线性
增益误差（与内部研发
FB
)
(2)
10位单调性，T
民
给T
最大
10位单调性，T
民
给T
最大
12位单调性，T
民
给T
最大
12位单调性，T
民
给T
最大
DAC寄存器加载FFF
H
.
增益误差是使用可调
在图2和图3的电路。
增益温度COEF网络cient
(3)
（ ΔGain / ΔTemperature ）
直流电源抑制
(3)
（ ΔGain / ΔV
DD
)
输出漏电流在输出1
动态性能
目前的稳定时间
(3)
PPM / ° C典型值是为2ppm /°C的
对于V
DD
= +5
%/%
nA
s
V
DD
±
5%
DB
0
-dB
11
= 0V ; WR ， CS = 0V
1/2 LSB 。出1负载= 100Ω
从测得的DAC输出
WR下降的边缘。 CS = 0V 。
所有
J，K ，L， GL
所有
0.015
10
2
0.03
50
2
0.01
10
2
0.02
50
2
传播延迟
(3)
（来自数字输入
更改为90 ％期末模拟输出）
毛刺能量
交流反馈在我
OUT
1
参考输入
输入电阻（引脚19 AGND ）
交流输出
输出电容
(3)
: C
出1
C
输出2
数字输入
V
IH
（输入高电压）
V
IL
（输入低电压）
I
IN
（输入电流）
(7)
输入电容
(3)
： DB
0
-dB
11
WR ， CS
开关特性
(8)
片选写设置时间，t
CS
片选写保持时间，t
CH
写入脉冲宽度，T
WR
数据建立时间，t
DS
数据保持时间，t
DH
电源，I
DD
所有
所有
所有
所有
300
400
5
7
25
70
200
2.4
0.8
±1
5
20
280
200
0
250
175
140
100
10
2
100
10
250
250
5
7
25
70
200
13.5
1.5
±1
5
20
180
120
0
160
100
90
60
10
2
100
10
ns
出1负载= 100Ω 。
EXT
= 13pF
(4)
(5)
nV-s表示
V
REF
= ACOM
MVP -P
(5)
V
REF
=
±10V,
10kHz的正弦波
k
(6)
k
pF
pF
V
(6)
V
A
pF
pF
ns
(6)
ns
(5)
ns
(6)
ns
(6)
ns
(5)
ns
(6)
ns
(5)
ns
(6)
mA
A
A
(5)
输入电阻TC = 300PPM / ℃，
(5)
5
7
25
70
200
2.4
0.8
±10
5
20
380
270
0
400
280
210
150
10
2
500
10
5
7
25
70
200
13.5
1.5
±10
5
20
200
150
0
240
170
120
80
10
2
500
10
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
DB
0
-dB
11
= 0V ; WR ， CS = 0V
DB
0
-dB
11
= V
DD
; WR ， CS = 0V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
见时序图
t
CS
≥
t
WR
, t
CH
≥
0
所有数字输入V
IL
或V
IH
所有数字输入0V或V
DD
所有数字输入0V或V
DD
注： （ 1 ）温度范围-J ， K，L ， GL和-40 ° C至+ 85°C 。 （2）这包括5ppm的最大值，增益的TC的效果。 （ 3 ）有保证的，未经测试。 （4）数据块
0
-dB
11
= 0V
到V
DD
或V
DD
到0V。 （ 5 ）典型。 （ 6 ）最小。 （ 7 ）逻辑输入是MOS门。典型输入电流（ + 25℃）小于1nA的。 （8）在+ 25 ℃样品进行测试，以确保
合规性。
DAC7545
SBAS150A
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3
讨论
特定网络阳离子
相对精度
此术语（也被称为终点的线性度）描述了
传输模拟输出功能，数字输入代码。
相对精度描述了偏离直线
零点和满度后进行了调整。
单调性
单调性保证了模拟输出将增加
或保持不变，增加数字输入代码。该
DAC7545保证单调位至12位，除
级被指定为10位的单调性。
电源抑制
电源抑制比的灵敏度的测量
输出（满刻度），以在所述电源电压的变化。
微分非线性
微分非线性是一个理想的1LSB的偏差
改变在输出中，对于相邻的输入代码改变。一
1 LSB差分非线性规范，确保单
张力。
电路描述
图1示出的DAC的一部分的简化示意
该DAC7545 。从V电流
REF
销从切换
OUT 1至AGND的FET开关。这种电路结构
保持性的参考引脚常数，等于
与R
LDR
的，所以参考可以由一个电压被提供
或者电流，交流或直流，正或负的极性，并具有
的电压范围内达到
±20V
即使V
DD
= 5V 。第r
LDR
is
等于R ，并且通常为11kW 。
该DAC7545的输出电容的代码依赖
和从最小值（ 70pF ）而变化，在代码000H到
最大（ 200pF的）的代码FFFH 。
输入缓冲器是CMOS反相器，设计成
当DAC7545是从一个5V电源供电（V
DD
），则
逻辑门限与TTL兼容。作为简单的CMOS IN-
变流器，有一系列的操作，其中所述逆变器
操作中的线性区域，从而吸引更多的供应
目前较正常。最大限度地减少通过这个过渡时间
线性区域和投保的数字输入
操作为接近铁轨尽可能将最大限度地减少
供应漏电流。
增益误差
增益误差是衡量满量程输出的差异
与理想的DAC输出;为DAC7545提供了理想输出
是 - （四千零九十六分之四千零九十五） （Ⅴ
REF
） 。增益误差可以调节到零
利用外部调整，请参见应用部分。
输出漏电流
，在OUT 1出现与装载DAC的电流
全部为零。
倍增馈通误差
交流输出误差是由于从V容性馈通
REF
到OUT 1与装有全零的DAC ;这个测试是
使用10kHz的正弦波进行。
输出电流稳定时间
需要到内稳定输出的时间
±0.5
最低位
来自于全零码的变更最终值对所有的人，
或全部为全零的。
V
REF
R
R
R
R
传播延迟
内部电路的延迟测量为时间
从一个数字码变化的点上的
输出达到90 ％的终值。
2R
2R
2R
2R
2R
R
FB
出1
数模转换毛刺脉冲
在纳伏 - 秒测得的假信号能量的区域。
以突波能量的主要贡献是内部电路的时序
差异和电荷注入数字化
逻辑。测量是在V进行
REF
= GND ，
一个OPA600作为输出运算放大器，和G
1
（相
补偿）= 0pF 。
DB11
（MSB）
DB10
DB9
DB0
（ LSB ）
AGND
该DAC7545图1.简化DAC电路。
4
DAC7545
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SBAS150A
应用
单极性工作
图2显示了连接的单极操作的DAC7545
化。高档DAC7545被指定为1LSB增益
错误，所以增益调整通常不需要;然而，该
显示电阻用于调节满量程误差。值
的R
1
应该被最小化，以减少错配的影响
荷兰国际集团的内部和克斯特之间的温度系数
最终电阻。所需的一系列调整为1.5倍
范围就足够了。例如，对于一个DAC7545JP ，所述
指定增益误差为
±25LSB,
因此，一系列的
调整
±37LSB
将是足够的。公式1结果
458W的用于电位计的值（使用500Ω ） 。
距离。消除这种电容会导致过度振荡
并增加了假信号能量，因此，该电容器必须
是尽可能地小，以减少稳定时间。
图2中可与输入一起使用的电路的最大电压为
±20V
只要输出放大器偏置处理
游览。表I表示模拟输出4
码到DAC为图2 。
双极性工作
图3和表II中示出了所建议的电路和
对于双极性操作码的关系。该DAC功能用途
偏移二进制码。逆变器，U
1
上的MSB线转换
二进制补码输入到偏移二进制码。如果
反转是由软件完成，U
1
可以省略。
二进制代码
最高位
最低位
1111 1111 1111
1000 0000 0000
0000 0000 0001
0000 0000 0000
模拟输出
–V
IN
(4095/4096)
–V
IN
(2048/4096) = –1/2V
IN
–V
IN
(1/4096)
0V
R
1
=
R
阶梯
(
3
增益误差
)
4096
(1)
+5V
R
2
C
1
33pF
出1
V
OUT
OPA604
V
IN
R
1
V
DD
V
REF
R
FB
表一，单极性码。
数据输入
最高位
最低位
0111 1111 1111
0000 0000 0001
0000 0000 0000
1111 1111 1111
1000 0000 0000
模拟输出
+V
IN
(2047/2048)
+V
IN
(1/2048)
0V
–V
IN
(1/2048)
–V
IN
(2048/2048)
DAC7545
AGND
DGND
DB
0
-dB
11
图2单极性的二进制运算。
加的R
1
会引起一个负增益误差。对
弥补这个错误，R
2
必须添加。 R的值
2
应该是三分之一R的值
1
.
跨反馈电阻器，电容器，用于compen-
沙爹相移由于电路的寄生电容
板， DAC输出电容和运算放大器的输入电容
表II 。二进制补码表电路
图3中。
R
3
, R
4
和R
5
必须在0.01％匹配，并且必须是
相同类型的电阻（优选线绕或金属箔） ，
以使温度系数匹配;的R不匹配
3
值与R
4
造成偏移和满量程误差。不匹配
的R
5
与R
4
和R
3
使满量程误差。
R
2
+5V
18
V
IN
R
1
V
DD
19
V
REF
DB
11
4
11
U
1
（见正文）
常见的模拟
12
数据输入
20
R
FB
出1
DAC7545
DB
10
-dB
0
AGND
2
C
1
33pF
1
OPA604
or
1/2 OPA2604
R
3
10k
R
6
5k 10%
R
4
20k
R
5
20k
V
OUT
OPA604
or
1/2 OPA2604
图3.双极性工作（二进制补码） 。
DAC7545
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5
DAC7545
DA
C75
45
DAC
7 54
5
SBAS150A - 1987年8月 - 修订2003年2月
CMOS 12位乘法
数位类比转换器
微处理器兼容
特点
q
四象限乘法
q
低增益TC ：为2ppm /
°
TYP
q
单调性保证温度过高
q
单5V至15V电源
q
q
q
q
TTL / CMOS逻辑兼容
低输出漏： 10nA的最大
低输出电容： 70pF最大
直接替代AD7545 ，
PM-7545
描述
该DAC7545是一种低成本，CMOS 12位，四象限
乘法，数字 - 模拟转换器（DAC），与输入数据
锁存器。输入数据被载入DAC作为一个12位的
数据字。该数据流经到DAC当两个
芯片选择（CS ）和写（WR）的引脚处于逻辑低电平。
激光微调薄膜电阻和出色的CMOS电压
年龄交换机提供真正的12位积分和微分
线性度。该器件工作于+ 5V单电源为+ 15V供电
并采用SO - 20封装;设备指定
在商用温度范围。
该DAC7545非常适合用于电池供电或者其他低
功率应用，因为功耗小于
与CMOS逻辑输入和V使用时0.5MW
DD
= +5V.
R
FB
20
1
V
REF
19
12-Bit
乘法DAC
2
出1
AGND
12
WR 17
CS 16
输入
数据锁存器
12
DB
11
-dB
0
（引脚4-15 ）
18
3
V
DD
DGND
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 1987-2003年，德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
V
DD
到DGND ................................................ ........................... -0.3V ， 17
数字输入到DGND .............................................. ................. -0.3V ，V
DD
V
RFB
, V
REF
，至DGND ............................................... .........................
±25V
V
销1
到DGND ................................................ ........................ -0.3V ，V
DD
AGND至DGND ............................................... ......................... -0.3V ，V
DD
功耗：任何包装到+ 75°C ....................................为450mW
减额高于+ 75 ℃，通过................................为6mW /°C的
工作温度：
商用J，K， L，和GL ......................................... .. -40 ° C至+ 85°C
存储温度................................................ ...... ?? 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
注： （ 1 ）工作条件超过上述所列可能导致永久性损坏
该设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何其他条件超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
相对的
增益误差（ LSB ）
包
精度（ LSB ）
V
DD
= +5V
PACKAGE -LEAD标志
(1)
±2
±1
±1/2
±1/2
±20
±10
±5
±2
SO-20
＆ QUOT ;
SO-20
＆ QUOT ;
DW
＆ QUOT ;
DW
＆ QUOT ;
特定网络版
温度
范围
包
记号
订购
数
运输
媒体， QUANTITY
Rails的，
Rails的，
Rails的，
Rails的，
38
38
38
38
产品
DAC7545
＆ QUOT ;
DAC7545
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C DAC7545JU DAC7545JU
＆ QUOT ;
DAC7545KU DAC7545KU
-40 ° C至+ 85°C DAC7545LU DAC7545LU
＆ QUOT ;
DAC7545GLU DAC7545GLU
注： （ 1 ）有关最新规格和包装的信息，请访问我们的网站： www.ti.com 。
引脚连接
顶视图
SO
出1
AGND
DGND
（MSB）的DB
11
DB
10
DB
9
DB
8
DB
7
DB
6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DAC7545
20 R
FB
19 V
REF
18 V
DD
17 WR
16 CS
15分贝
0
（ LSB ）
14分贝
1
13分贝
2
12分贝
3
11分贝
4
DB
5
10
写周期时序图
CS
t
CS
t
CH
V
DD
0
WR
t
WR
V
DD
t
DH
0
V
DD
0
写模式
CS
和
WR
低， DAC回应
数据总线（ DB
0
-dB
11
）输入。
模式选择
HOLD MODE
或
CS
or
WR
高，数据总线
（ DB
0
-dB
11
）被锁定; DAC
保存最后的数据存在时
WR
or
CS
假定高的状态。
t
DS
DATA IN
（ DB
0
-dB
11
)
V
IH
V
IL
数据
有效
注： V
DD
= + 5V ，T
R
= t
F
= 20ns的。 V
DD
= + 15V ，T
R
= t
F
= 40ns的。所有输入信号
上升和下降，从10％测量的时间，以90 ％的V
DD
。定时测量
参考电平为（Ⅴ
IH
+ V
IL
)/2.
2
DAC7545
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SBAS150A
电气特性
V
REF
= +10V, V
出1
= 0V ，而ACOM = DCOM中，除非另有规定。
DAC7545
V
DD
= +5V
参数
静态性能
决议
准确性
GRADE
所有
J
K
L
GL
J
K
L
GL
J
K
L
GL
所有
T
A
= +25
°
C
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±20
±10
±5
±2
±5
T
最大
-T
MIN(1)
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±20
±10
±6
±3
±5
V
DD
= +15V
T
A
= +25
°
C
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±25
±15
±10
±6
±10
T
最大
-T
MIN(1)
12
±2
±1
±1/2
±1/2
±4
±1
±1
±1
±25
±15
±10
±7
±10
单位测试条件/评论
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
微分非线性
增益误差（与内部研发
FB
)
(2)
10位单调性，T
民
给T
最大
10位单调性，T
民
给T
最大
12位单调性，T
民
给T
最大
12位单调性，T
民
给T
最大
DAC寄存器加载FFF
H
.
增益误差是使用可调
在图2和图3的电路。
增益温度COEF网络cient
(3)
（ ΔGain / ΔTemperature ）
直流电源抑制
(3)
（ ΔGain / ΔV
DD
)
输出漏电流在输出1
动态性能
目前的稳定时间
(3)
PPM / ° C典型值是为2ppm /°C的
对于V
DD
= +5
%/%
nA
s
V
DD
±
5%
DB
0
-dB
11
= 0V ; WR ， CS = 0V
1/2 LSB 。出1负载= 100Ω
从测得的DAC输出
WR下降的边缘。 CS = 0V 。
所有
J，K ，L， GL
所有
0.015
10
2
0.03
50
2
0.01
10
2
0.02
50
2
传播延迟
(3)
（来自数字输入
更改为90 ％期末模拟输出）
毛刺能量
交流反馈在我
OUT
1
参考输入
输入电阻（引脚19 AGND ）
交流输出
输出电容
(3)
: C
出1
C
输出2
数字输入
V
IH
（输入高电压）
V
IL
（输入低电压）
I
IN
（输入电流）
(7)
输入电容
(3)
： DB
0
-dB
11
WR ， CS
开关特性
(8)
片选写设置时间，t
CS
片选写保持时间，t
CH
写入脉冲宽度，T
WR
数据建立时间，t
DS
数据保持时间，t
DH
电源，I
DD
所有
所有
所有
所有
300
400
5
7
25
70
200
2.4
0.8
±1
5
20
280
200
0
250
175
140
100
10
2
100
10
250
250
5
7
25
70
200
13.5
1.5
±1
5
20
180
120
0
160
100
90
60
10
2
100
10
ns
出1负载= 100Ω 。
EXT
= 13pF
(4)
(5)
nV-s表示
V
REF
= ACOM
MVP -P
(5)
V
REF
=
±10V,
10kHz的正弦波
k
(6)
k
pF
pF
V
(6)
V
A
pF
pF
ns
(6)
ns
(5)
ns
(6)
ns
(6)
ns
(5)
ns
(6)
ns
(5)
ns
(6)
mA
A
A
(5)
输入电阻TC = 300PPM / ℃，
(5)
5
7
25
70
200
2.4
0.8
±10
5
20
380
270
0
400
280
210
150
10
2
500
10
5
7
25
70
200
13.5
1.5
±10
5
20
200
150
0
240
170
120
80
10
2
500
10
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
DB
0
-dB
11
= 0V ; WR ， CS = 0V
DB
0
-dB
11
= V
DD
; WR ， CS = 0V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
见时序图
t
CS
≥
t
WR
, t
CH
≥
0
所有数字输入V
IL
或V
IH
所有数字输入0V或V
DD
所有数字输入0V或V
DD
注： （ 1 ）温度范围-J ， K，L ， GL和-40 ° C至+ 85°C 。 （2）这包括5ppm的最大值，增益的TC的效果。 （ 3 ）有保证的，未经测试。 （4）数据块
0
-dB
11
= 0V
到V
DD
或V
DD
到0V。 （ 5 ）典型。 （ 6 ）最小。 （ 7 ）逻辑输入是MOS门。典型输入电流（ + 25℃）小于1nA的。 （8）在+ 25 ℃样品进行测试，以确保
合规性。
DAC7545
SBAS150A
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3
讨论
特定网络阳离子
相对精度
此术语（也被称为终点的线性度）描述了
传输模拟输出功能，数字输入代码。
相对精度描述了偏离直线
零点和满度后进行了调整。
单调性
单调性保证了模拟输出将增加
或保持不变，增加数字输入代码。该
DAC7545保证单调位至12位，除
级被指定为10位的单调性。
电源抑制
电源抑制比的灵敏度的测量
输出（满刻度），以在所述电源电压的变化。
微分非线性
微分非线性是一个理想的1LSB的偏差
改变在输出中，对于相邻的输入代码改变。一
1 LSB差分非线性规范，确保单
张力。
电路描述
图1示出的DAC的一部分的简化示意
该DAC7545 。从V电流
REF
销从切换
OUT 1至AGND的FET开关。这种电路结构
保持性的参考引脚常数，等于
与R
LDR
的，所以参考可以由一个电压被提供
或者电流，交流或直流，正或负的极性，并具有
的电压范围内达到
±20V
即使V
DD
= 5V 。第r
LDR
is
等于R ，并且通常为11kW 。
该DAC7545的输出电容的代码依赖
和从最小值（ 70pF ）而变化，在代码000H到
最大（ 200pF的）的代码FFFH 。
输入缓冲器是CMOS反相器，设计成
当DAC7545是从一个5V电源供电（V
DD
），则
逻辑门限与TTL兼容。作为简单的CMOS IN-
变流器，有一系列的操作，其中所述逆变器
操作中的线性区域，从而吸引更多的供应
目前较正常。最大限度地减少通过这个过渡时间
线性区域和投保的数字输入
操作为接近铁轨尽可能将最大限度地减少
供应漏电流。
增益误差
增益误差是衡量满量程输出的差异
与理想的DAC输出;为DAC7545提供了理想输出
是 - （四千零九十六分之四千零九十五） （Ⅴ
REF
） 。增益误差可以调节到零
利用外部调整，请参见应用部分。
输出漏电流
，在OUT 1出现与装载DAC的电流
全部为零。
倍增馈通误差
交流输出误差是由于从V容性馈通
REF
到OUT 1与装有全零的DAC ;这个测试是
使用10kHz的正弦波进行。
输出电流稳定时间
需要到内稳定输出的时间
±0.5
最低位
来自于全零码的变更最终值对所有的人，
或全部为全零的。
V
REF
R
R
R
R
传播延迟
内部电路的延迟测量为时间
从一个数字码变化的点上的
输出达到90 ％的终值。
2R
2R
2R
2R
2R
R
FB
出1
数模转换毛刺脉冲
在纳伏 - 秒测得的假信号能量的区域。
以突波能量的主要贡献是内部电路的时序
差异和电荷注入数字化
逻辑。测量是在V进行
REF
= GND ，
一个OPA600作为输出运算放大器，和G
1
（相
补偿）= 0pF 。
DB11
（MSB）
DB10
DB9
DB0
（ LSB ）
AGND
该DAC7545图1.简化DAC电路。
4
DAC7545
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SBAS150A
应用
单极性工作
图2显示了连接的单极操作的DAC7545
化。高档DAC7545被指定为1LSB增益
错误，所以增益调整通常不需要;然而，该
显示电阻用于调节满量程误差。值
的R
1
应该被最小化，以减少错配的影响
荷兰国际集团的内部和克斯特之间的温度系数
最终电阻。所需的一系列调整为1.5倍
范围就足够了。例如，对于一个DAC7545JP ，所述
指定增益误差为
±25LSB,
因此，一系列的
调整
±37LSB
将是足够的。公式1结果
458W的用于电位计的值（使用500Ω ） 。
距离。消除这种电容会导致过度振荡
并增加了假信号能量，因此，该电容器必须
是尽可能地小，以减少稳定时间。
图2中可与输入一起使用的电路的最大电压为
±20V
只要输出放大器偏置处理
游览。表I表示模拟输出4
码到DAC为图2 。
双极性工作
图3和表II中示出了所建议的电路和
对于双极性操作码的关系。该DAC功能用途
偏移二进制码。逆变器，U
1
上的MSB线转换
二进制补码输入到偏移二进制码。如果
反转是由软件完成，U
1
可以省略。
二进制代码
最高位
最低位
1111 1111 1111
1000 0000 0000
0000 0000 0001
0000 0000 0000
模拟输出
–V
IN
(4095/4096)
–V
IN
(2048/4096) = –1/2V
IN
–V
IN
(1/4096)
0V
R
1
=
R
阶梯
(
3
增益误差
)
4096
(1)
+5V
R
2
C
1
33pF
出1
V
OUT
OPA604
V
IN
R
1
V
DD
V
REF
R
FB
表一，单极性码。
数据输入
最高位
最低位
0111 1111 1111
0000 0000 0001
0000 0000 0000
1111 1111 1111
1000 0000 0000
模拟输出
+V
IN
(2047/2048)
+V
IN
(1/2048)
0V
–V
IN
(1/2048)
–V
IN
(2048/2048)
DAC7545
AGND
DGND
DB
0
-dB
11
图2单极性的二进制运算。
加的R
1
会引起一个负增益误差。对
弥补这个错误，R
2
必须添加。 R的值
2
应该是三分之一R的值
1
.
跨反馈电阻器，电容器，用于compen-
沙爹相移由于电路的寄生电容
板， DAC输出电容和运算放大器的输入电容
表II 。二进制补码表电路
图3中。
R
3
, R
4
和R
5
必须在0.01％匹配，并且必须是
相同类型的电阻（优选线绕或金属箔） ，
以使温度系数匹配;的R不匹配
3
值与R
4
造成偏移和满量程误差。不匹配
的R
5
与R
4
和R
3
使满量程误差。
R
2
+5V
18
V
IN
R
1
V
DD
19
V
REF
DB
11
4
11
U
1
（见正文）
常见的模拟
12
数据输入
20
R
FB
出1
DAC7545
DB
10
-dB
0
AGND
2
C
1
33pF
1
OPA604
or
1/2 OPA2604
R
3
10k
R
6
5k 10%
R
4
20k
R
5
20k
V
OUT
OPA604
or
1/2 OPA2604
图3.双极性工作（二进制补码） 。
DAC7545
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5
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