【DA108S1DA112S1二极管阵列专用分立器件A.S.D.TM应用保护ISDN S接口逻辑的一面】,IC型号DA112S1,DA112S1 PDF资料,DA112S1经销商,ic,电子元器件-51电子网

DA108S1

DA112S1

二极管阵列

专用分立器件

A.S.D.

应用

保护ISDN S接口逻辑的一面。

保护单片机的I / O线。

信号调理。

SO8

功能图： DA108S1

特点

阵列的8或12二极管

低输入电容

适用于数字线路保护

I / O 1

I / O 2

I / O 3

REF 1

REF 2

描述

为8或12的二极管阵列通过2个细胞构成

二极管，每个小区被用来保护信号线

从瞬时过电压被钳位作用。

I / O 4

功能图： DA112S1

符合以下标准：

IEC1000-4-22level 4 ：

15千伏（空气放电）

8千伏（接触放电）

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 4

REF 1

I / O 6

REF 2

I / O 5

1998年3月 - 埃德： 4

1/5

DA108S1 / DA112S1

绝对最大额定值

AMB

= 25°C)

符号

RRM

TSTG

参数

Repetitivepeak反向电压（ forone单二极管）

正向重复峰值电流*

功耗

存储温度范围

最大工作结温

在10秒的最大无铅焊接温度的。

8/20

价值

0.73

- 55至+ 150

150

260

单位

°C

*设备恢复到室温后，浪涌重复

热阻

符号

号（j -a）的

结到环境

参数

价值

170

单位

° C / W

电气特性

AMB

= 25°C)

符号

峰值正向电压

正向电压

反向漏电流

参数

= 12A, 8/20

= 50毫安

= 15V

DA108S1

DA112S1

马克斯。

1.2

单位

2/5

DA108S1 / DA112S1

图1 ：

输入电容

连接REF1和REF2之间

输入应用：

直流偏置+ 950毫伏

（ RMS）

在1 MHz

36 C （PF ）

典型值

V =5V

V = 15 V

REF2

I / O

REF1

6 8 10 12 14 16

直流偏压（ V）

图2 ：

典型的峰值正向电压特性（ 8 / 20μs的脉冲）

(V)

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

典型值

(V)

10.0

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

TJ = 25

典型值

TJ = 25

0.001

0.01

(A)

0.1

0.0

(A)

3/5

DA108S1 / DA112S1

应用1 ：

ISDN接口保护

剩余的雷击浪涌在变压器次级通过DA108S1被抑制

应用二：

单片机的I / O端口保护

VCC

4-6位输入端口

I / O

VCC

I / O

VCC

I / O

VCC

I / O

DA1xx S1

重要提示：

DA108S1必须严格连接到由REF1和REF2的参考电压。

4/5

DA108S1 / DA112S1

订货编号

DA1

二极管阵列

二极管的数量

串行

标记：

标志，数据代码，

DA108S1

DA112S1

DA108S

DA112S

第1条RL

RL ：磁带和卷轴

：管

封装： SO8塑料

包装机械数据

SO8 （塑料）

尺寸

REF 。

包装：

Preferencepackaging是磁带和卷轴。

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本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。

SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件

SGS - THOMSON微电子公司的书面批准。

单位为毫米

英寸

分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。

1.75

0.1

0.35

0.19

0.50

45 ° （典型值）

4.8

5.8

1.27

3.81

3.8

0.4

4.0 0.15

1.27 0.016

0.6

8° （最大）

5.0

6.2

0.189

0.228

0.050

0.150

0.157

0.050

0.024

0.197

0.244

0.25 0.004

1.65

0.48 0.014

0.25 0.007

0.020

0.069

0.010

0.065

0.019

0.010

公司SGS - THOMSON微电子集团

澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥

荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国

5/5

DA108S1

DA112S1

ASD （专用设备）

二极管阵列

主要应用

■

保护ISDN S接口的逻辑方

保护单片机的I / O线

信号调理

特点

■

阵列的8或12二极管

低输入电容

适用于数字线路保护

SO-8

功能图： DA108S1

描述

为8或12的二极管阵列通过2个细胞构成

二极管，每个小区被用来保护信号线

从瞬时过电压被钳位作用。

I/O1

I/O2

REF1

REF2

REF3

REF4

符合FOLLOWING

标准：

IEC 61000-4-2第4级：

–

15千伏（空气放电）

8千伏（接触放电）

I/O3

I/O4

功能图： DA112S1

的I / O 1 1

I/O2

I/O3

I/O4

REF1

I/O6

6 REF2

5个I / O5

2007年2月

第5版

1/8

www.st.com

特征

DA108S1 / DA112S1

表1中。

符号

RRM

英镑

特征

绝对最大额定值（T

AMB

= 25

°C

)

参数

反向重复峰值电压（对于单个二极管）

重复峰值正向电流（见

注1 ）

功耗

存储温度范围

最大工作结温

在10 s最大无铅焊接温度的。

8/20 s

价值

200

100

0.73

-55到+ 150

150

260

单位

°C

注意：

表2中。

浪涌的设备返回到环境温度后反复

热阻

参数

结到环境

价值

170

单位

° C / W

符号

号（j -a）的

表3中。

符号

电气特性（T

AMB

= 25

°C

)

参数

DA108S1

峰值正向电压

正向电压

反向漏电流

= 12 A， 8/20 μS

= 50毫安

= 15 V

DA112S1

马克斯。

1.2

单位

2/8

DA108S1 / DA112S1

特征

图1 。

输入电容

连接REF1和REF2之间

输入应用：

直流偏置+ 950毫伏

（ RMS）

在1 MHz

36 C （PF ）

典型值

V =5V

V = 15 V

REF2

I / O

REF1

6 8 10 12 14 16

直流偏压（ V）

图2中。

(V)

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

典型的峰值正向电压特性（ 8/20 μs的脉冲

典型值

TJ = 25

0.001

0.01

(A)

0.1

(V)

10.0

9.0

TJ = 25℃

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

典型值

(A)

3/8

特征

DA108S1 / DA112S1

网络连接gure 3 。

应用1 ： ISDN接口ProtectionResidual雷电浪涌的

变压器次级通过DA108S1被抑制

逻辑端

VCC

线路侧

GND

VCC

VSS

VCC

VSS

TPIxx

GND

VSS

VCC

TPIxx

VSS

DA1xx S1

图4中。

应用二：单片机的I / O端口保护

VCC

4-6位输入端口

I / O

VCC

I / O

VCC

μc

I / O

VCC

I / O

DA1xx S1

注意：

重要

： DA108S1必须严格由REF1连接到参考电压

和REF2 。

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DA108S1 / DA112S1

订购信息计划

DA 1 08的1 RL

二极管阵列

VERSION

二极管的数量

08 = 12

12 = 12

串行

包

1 = SO- 8

包装

RL =磁带&卷轴

空白=管

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