【UTC D882SSNPN外延硅晶体管中功率低电压晶体管特点*高电流输出高达3A*低饱和电压*补到B】,IC型号D882SS,D882SS PDF资料,D882SS经销商,ic,电子元器件-51电子网

UTC D882SS

NPN外延硅晶体管

中功率低电压

晶体管

特点

*高电流输出高达3A

*低饱和电压

*补到B772SS

应用

*音频功率放大器

*的DC-DC转换器

*稳压器

记号

SOT-23

D82

1 ：发射器2 ： BASE 3 ：收藏家

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极耗散（ TC = 25 ° C）

集电极耗散（ TA = 25 ° C）

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）

基极电流

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

0.6

150

-55 ~ +150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益（注1 ）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

电流增益带宽积

输出电容

符号

CBO

EBO

FE1

FE2

（SAT）

COB

测试条件

=30V,I

=3V,Ic=0

=2V,Ic=20mA

=2V,Ic=1A

Ic=2A,I

=0.2A

Ic=2A,I

=0.2A

=5V,Ic=0.1A

=10V,I

=0,f=1MHz

民

典型值

最大

1000

单位

100

200

150

0.3

1.0

400

0.5

2.0

兆赫

世界标准时间

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UTC D882SS

NPN外延硅晶体管

注1 ：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％

中hFE2分类

秩

范围

100-200

160-320

200-400

典型参数性能

图1静态特性

150

安全图2降额曲线

经营领域

图3功率降额

-Ic ，集电极电流（ A）

1.6

1.2

-IB=6mA

-IB=5mA

100

功耗（ W）

150

200

- 集成电路降额（％）

-IB=9mA

-IB=8MA

-IB=7mA

0.8

LIM

ITE

-IB=4mA

-IB=3mA

-IB=2mA

-IB=1mA

TIO

0.4

LIM

ITE

-50

100

-50

100

150

200

-collector发射极电压（ V）

TC，外壳温度（ ° C）

图4集电极输出

电容

图5电流GAIN-

带宽积

图6安全工作区

集成电路（最大），脉冲

集成电路（最大），直流

输出电容（pF ）

（兆赫），目前GAIN-

带宽积

f=1MHz

=5V

-Ic ，集电极电流（ A）

=8mA

-1

-2

-3

-2

-1

-2

-collector基极电压（ V）

IC ，集电极电流（ A）

集电极 - 发射极电压

图7直流电流增益

图8饱和电压

=-2V

-saturation电压（毫伏）

直流电流增益，H

（SAT）

-Ic ，集电极电流（mA ）

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