友达晶体管
硅NPN晶体管D882
描述及特点
*集电极 - 发射极电压BV
CBO
= 40V
*集电极电流高达3A
*高
FE
线性
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
D882
符号
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值
(环境温度Tamb = 25 )
参数
符号
集电极 - 基极电压
BV
CBO
集电极 - 发射极电压
BV
首席执行官
发射极 - 基极电压
BV
EBO
Tcase=25
集电极耗散
P
CM
Tamb=25
DC
I
CM
集电极电流
脉冲
ICP
基极电流
I
B
结温
Tj
储存温度
TSTG
电气特性
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
(Tamb=25
价值
40
30
5
10
1
3
7
0.6
+150
-55 +150
单位
V
V
V
W
W
A
A
A
所有电压参考GND除非另有说明)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
测试条件
Vc
B
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
Vc
E
= 2V ,我
C
=20mA
Vc
E
= 2V ,我
C
=1A
IC = 2A ,我
B
=0.2A
IC = 2A ,我
B
=0.2A
Vc
E
= 5V ,我
C
=0.1A
Vc
B
=10V,
I
E
=0,f=1MHz
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
30
100
200
0.3
1.0
80
45
400
0.5
2.0
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE
秩
范围
Q
100
200
160
P
320
200
E
400
无锡友达电子有限公司
地址: 5号西津路,国家高新技术产业开发区,江苏无锡中国
联系电话: 86-510-5205117 86-510-5205108
传真: 86-510-5205110
网址: www.e-youda.com
深圳办事处电话
86-755-83740369
13823533350传真
86-755-83741418
版本3.1
1 1
2004-9-20
D882
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN型
塑料封装晶体管
TO-126
8.0
±0.2
2.0
±0.2
3.2
±0.2
特点
最大额定值* T
A
=25
C
除非另有说明
o
4.14
±0.1
11.0
±0.2
1
2
3
O2.8
±0.1
O
3.2
±0.1
1.4
±0.1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
P
D
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
器件总功耗
结温和存储温度
价值
40
30
6
3
1.25
1.25
-55-150
单位
V
V
V
A
W
W
o
1.27
±0.1
15.3
±0.2
0.76
±0.1
2.28典型。
4.55
±0.1
0.5
±0.1
C
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
单位:毫米
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
V
CE
= 2V ,我
C
= 100毫安
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
V
CE
= 5 V,I
C
=0.1mA
F = 10MHz时
50
32
0.5
1.5
V
V
兆赫
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
除非另有规定编)
TEST
条件
民
40
30
6
1
10
1
60
400
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
IC = 100uA的,我
E
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
E
= 100毫安,我
C
=0
V
CB
= 40 V,I
E
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
EB
=6V ,
I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
分类的hFE的
(1)
秩
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第1页
2
D882
公司Bauelemente
NPN型
塑料封装晶体管
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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2of 2
D882
晶体管( NPN )
TO-126
1.发射器
2.收集
3. BASE
123
最大额定值* T
A
= 25° ,除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温
结温和存储温度
参数
价值
40
30
6
3
1.25
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
V
CE
= 2V ,我
C
= 100毫安
I
C
=2A,
I
C
=2A,
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.2A
I
C
=0.1mA
50
32
0.5
1.5
V
V
兆赫
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
除非
TEST
否则
特定网络版)
民
40
30
6
1
10
1
60
400
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
条件
IC = 100uA的,我
E
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
E
= 100毫安,我
C
=0
V
CB
= 40 V,I
E
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
EB
=6V ,
I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
V
CE
=5 V,
F = 10MHz时
分类的hFE的
(1)
秩
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400
网站:
WWW.PS-PFS.COM