STD70N03L
STD70N03L-1
N沟道30V - 0.0059Ω - 70A - DPAK / IPAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD70N03L
STD70N03L-1
■
■
■
■
V
DSS
30V
30V
R
DS （ ON）
<0.0073
<0.0073
I
D
70A
70A
3
1
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
3
2
1
DPAK
IPAK
描述
本产品采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这适用于最苛刻的DC-DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD70N03L
STD70N03L-1
记号
D70N03L
D70N03L-1
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
2006年6月
REV 1
1/16
www.st.com
16
目录
STD70N03L - STD70N03L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 8
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STD70N03L - STD70N03L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 20
70
50
280
70
0.47
300
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
E
AS （2）
T
j
T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.启动TJ = 25°C ，ID = 30A ， VDD = 15V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
2.14
100
275
单位
° C / W
° C / W
°C
3/16
电气特性
STD70N03L - STD70N03L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
零栅压漏V
DS
= 20V,
电流（V
GS
= 0)
V
DS
= 20V ， TC = 125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
1
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
V
GS
= 5V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A @ TJ = 125°C
V
GS
= 5V ，我
D
= 35A @ TJ = 125°C
0.0059 0.0073
0.007 0.013
0.0091 0.0113
0.0108 0.0201
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
GLS （2）
R
G
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
第三象限门
收费
门输入电阻
试验性条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
40
2200
380
49
15.7
8.3
3.4
15
1.5
21
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 70A
V
GS
=5V
（参见图7 ）
V
DS
<0V ，V
GS
=10V
F = 1MHz的门DC偏置= 0测试
信号电平= 20mV的漏极开路
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2.
栅极电荷为同步操作：看
附录A ：功率损耗的估计
4/16
STD70N03L - STD70N03L - 1
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
=35A,
R
G
=4.7, V
GS
=5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
21
95
19
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 35A ，V
GS
=0
I
SD
= 70A,
di/dt=100A/s,
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（见
图18）
32
51
3.2
试验性条件
民
典型值。
最大
70
280
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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QQ：2881677436 复制
