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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第560页 > D45VH10G
D44VH10 ( NPN )
D45VH10 ( PNP )
其他芯片
功率晶体管
这些互补硅功率晶体管设计
高速开关应用中,例如开关稳压器和
高频逆变器。该装置也非常适合于驱动
对于高功率开关电路。
特点
http://onsemi.com
快速切换 -
t
f
= 90纳秒(最大)
指定@ 100 ℃的关键参数
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0 V(最大) 8.0 A
互补对简化电路设计
无铅包可用*
15 A
其他芯片
功率晶体管
80 V, 83 W
记号
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CEV
V
EB
I
C
I
CM
P
D
价值
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
100
7.0
15
20
集电极电流 - 连续
-Peak (注1 )
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
83
0.67
W
W / ℃,
°C
T
J
, T
英镑
- 55
150
1
2
3
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
D4xVH10G
AYWW
CASE 221A -09
TO-220AB
x
A
Y
WW
G
= 4或5
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
1.5
单位
热阻,结到外壳
° C / W
° C / W
°C
订购信息
设备
D44VH10
D44VH10G
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
热阻,结到环境
62.5
275
最大无铅焊接温度的
用途: 1/8“案件从5秒
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲宽度
v
6.0毫秒,占空比
v
50%.
D45VH10
D45VH10G
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年11月 - 修订版5
出版订单号:
D44VH/D
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
开关特性
动态特性
基本特征
(注2 )
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
C
= 0, f
TEST
= 1.0兆赫)
电流增益带宽积
(I
C
= 0.1 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20兆赫)
基射极饱和电压
(I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 0.4 ADC)
(I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 0.8 ADC)
(I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 0.4 ADC ,T
C
= 100°C)
(I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 0.8 ADC ,T
C
= 100°C)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 0.4 ADC)
(I
C
= 8.0 ADC ,我
B
= 0.8 ADC)
(I
C
= 15 ADC ,我
B
= 3.0 ADC ,T
C
= 100°C)
直流电流增益
(I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 4.0 ADC ,V
CE
= 1.0伏)
发射基地截止电流
(V
EB
= 7.0伏,我
C
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
=额定V
CEV
, V
BE (OFF)的
= 4.0伏)
(V
CE
=额定V
CEV
, V
BE (OFF)的
= 4.0伏,T
C
= 100°C)
集电极 - 发射极耐受电压(注2 )
(I
C
= 25 MADC ,我
B
= 0)
特征
(V
CC
= 20伏直流,我
C
= 8.0 ADC ,
I
B1
= I
B2
= 0.8 ADC)
D44VH10 ( NPN ) , D45VH10 ( PNP )
http://onsemi.com
D44VH10
D45VH10
D44VH10
D45VH10
D44VH10
D45VH10
D44VH10
D45VH10
D44VH10
D45VH10
V
CEO ( SUS )
符号
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
EBO
I
CEV
C
ob
h
FE
f
T
t
d
t
s
t
r
t
f
35
20
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
120
275
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
700
250
10
100
1.2
1.0
1.1
1.5
0.4
1.0
0.8
1.5
90
50
10
-
-
-
-
-
-
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
-
2
D44VH10 ( NPN ) , D45VH10 ( PNP )
1000
V
CE
= 1 V
h
FE
,直流电流增益
h
FE
,直流电流增益
25°C
125°C
-40°C
100
1000
V
CE
= 1 V
125°C
25°C
100
-40°C
10
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( AMPS )
图1. D44VH10直流电流增益
图2. D45VH10直流电流增益
1000
V
CE
= 5 V
h
FE
,直流电流增益
25°C
125°C
1000
V
CE
= 5 V
h
FE
,直流电流增益
125°C
25°C
100
-40°C
100
-40°C
10
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( AMPS )
图3. D44VH10直流电流增益
图4. D45VH10直流电流增益
0.40
饱和电压(伏)
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
25°C
125°C
-40°C
饱和电压(伏)
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.5
0.4
-40°C
0.3
25°C
0.2
0.1
0
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
125°C
图5. D44VH10接通电压
图6. D45VH10接通电压
http://onsemi.com
3
D44VH10 ( NPN ) , D45VH10 ( PNP )
1.2
饱和电压(伏)
饱和电压(伏)
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
1.0
0.8
0.6
25°C
0.4
0.2
0
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
-40°C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
25°C
0.4
0.2
0
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
-40°C
125°C
125°C
图7. D44VH10接通电压
图8. D45VH10接通电压
100
I
C
,集电极电流( AMPS )
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
D44H/45H8
D44H/45H10,11
P
D
,功耗(瓦)
T
A
T
C
1.0毫秒
100
ms
10
ms
3.0 60
2.0 40
T
C
1.0 20
T
A
T
C
70° C
dc
占空比
50%
1.0
ms
0
0
0
20
40
60
80
100
120
T,温度( ° C)
140
160
图9.最大额定正向偏置
安全工作区
图10.功率降额
R(T ) ,瞬态热
电阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
Z
QJC (T )
= R(T )R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
- T
C
= P
( PK)
Z
QJC (T )
5.0
10
20
50
P
( PK)
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500 1.0 k
吨,时间( ms)的
图11.热响应
http://onsemi.com
4
D44VH10 ( NPN ) , D45VH10 ( PNP )
包装尺寸
TO-220
CASE 221A -09
ISSUE AE
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.161
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
MILLIMETERS
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
4.09
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
-T-
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
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这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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D44VH/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    D45VH10G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
D45VH10G
ON(安森美)
22+
10273
原装原厂公司现货
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
D45VH10G
ON(安森美)
24+
7800
TO-220(TO-220-3)
原装正品现货,可开增值税专用发票
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联系人:李先生
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D45VH10G
ON/安森美
2418+
3000
TO-220
正规报关原装现货系列订货技术支持
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5000
NA
全新原装欢迎咨询
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D45VH10G
ON
24+
8300
TO-220
全新原装现货,欢迎询购!!
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联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
D45VH10G
ON/安森美
10000
21+
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0.1
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D45VH10G
ONSEMI/安森美
2024+
9675
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D45VH10G
ON
24+
68500
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22+
33000
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