UTC D45H2
PNP外延硅晶体管
PNP外延硅
晶体管
描述
在UTC D45H2是通用动力的应用
和切换。
特征
*低集电极 - 发射极饱和电压
VCE(sat)=-1v(MAX)@-15A
*快速开关速度
1
TO-220
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流(DC)的
集电极耗散(TC = 25 ° C)
集电极耗散( TA = 25 ° C)
结温
储存温度
* PW< = 10ms时,占空比Cycle< = 50 %
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Pc
T
j
T
英镑
价值
-30
-5
-10
50
1.67
150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
电气特性
(Ta=25°C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极饱和
电压
基极发射极饱和电压
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CES
I
EBO
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
h
FE1
F
T
C
CB
吨
TSTG
tf
测试条件
V
CE
=额定; V
首席执行官
,V
EB
=0
V
EB
=-5V,Ic=0
I
C
=-10A,I
B
=-0.1A
I
C
=-10A,I
B
=-1A
I
C
=-10A,V
CE
=-1V
V
CE
=-10V,I
C
=-0.5A
VCB=-10V,f=1MHZ
Ic=-5A,I
B
=-0.5A
I
B
=-0.5A
民
典型值
最大
-10
1
-1
-1.5
单位
A
A
V
V
兆赫
PF
nS
nS
nS
100
40
230
135
500
100
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R203-003,B
UTC D45H2
PNP外延硅晶体管
直流电流增益
100
典型CHARACTERISTION
功率降额
功耗,P
D
(瓦特)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
75
100
50
温度Tc ( ℃ )
125
150
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
直流电流增益,H
FE
V
CE
= 1V
T
J
= 25℃
80
60
40
20
5
10
集电极电流,I
C
( AMP)
直流电流增益
200
V
CE
= 1V
T
J
= 25℃
电压V (伏特)
"On"电压
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
V
CE ( SAT )
@I
C
/I
B
=10
V
BE ( SAT )
@I
C
/I
B
=10
T
J
= 25℃
直流电流该隐,H
FE
160
120
80
40
0
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
集电极电流,I
C
( AMP)
集电极电流,I
C
( AMP)
正向偏置安全工作区
T
C
<70℃
值班Cycle<50 %
集电极电流,I
C
( AMP)
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1
D45H1,2
D45H4,5
D45H7,8,9
D45H10,11,12
DC
1μs
10μs
100μs
1ms
100
50
10
20
5
2
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R203-003,B
UTC D45H2
PNP外延硅晶体管
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世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R203-003,B