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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入D44C系列
Very
低集电极饱和电压
·快速
开关
应用
·设计
各种具体的和
通用的应用程序
-Shunt
和开关稳压器
ULOW
高频逆变器
转换器等。
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
D45C系列
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
BASE
条件
D45C1,2,3
D45C4,5,6
D45C7,8,9
集电极 - 基极电压
发射极开路
D45C10,11,12
D45C1,2,3
D45C4,5,6
集电极 - 发射极电压
D45C7,8,9
D45C10,11,12
开基
Fig.1简化外形( TO- 220 )和符号
OR
CT
U
价值
-40
-55
单位
V
-70
-90
-30
-45
V
-60
-80
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流 - 峰值
基极电流(DC)的
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-4
-6
-1
V
A
A
A
W
T
C
=25℃
30
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
D45C2,3,5,6,8,9,11,12
D45C1,4,7,10
V
BESAT
I
CES
I
EBO
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
D45C2,3,5,6,8,9,11,12
h
FE-1
直流电流增益
D45C1,4,7,10
D45C1,4,7,10
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
h
FE-2
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-1V
25
10
条件
I
C
= -1A ,我
B
=-50mA
D45C系列
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
-0.5
I
C
= -1A ,我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ,我
B
=-0.1A
V
CE
=额定V
CES
V
EB
= -5V ;我
C
=0
40
-1.3
-100
-10
120
V
V
μA
μA
f
T
开关时间
t
r
t
s
t
f
导½
ND
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
D45C3,6,9,12
I
C
= -2A ; V
CE
=-1V
跃迁频率
I
C
=-20mA;V
CE
=-4V;
f=1.0MHz
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -1.0A ; V
CC
=-20V
I
B1
=-I
B2
=-0.1A
直流电流增益
D45C2,5,8,11
OR
CT
U
20
20
40
兆赫
0.2
0.6
0.3
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
D45C系列
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·补键入D44C系列
·非常低集电极饱和电压
·快速切换
应用
·专为各种特定的和
通用的应用程序
·分流器和开关稳压器
·低频和高频逆变器
转换器等。
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
D45C系列
Fig.1简化外形( TO- 220 )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
D45C1,2,3
V
CBO
集电极 - 基极电压
D45C4,5,6
D45C7,8,9
D45C10,11,12
D45C1,2,3
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
D45C4,5,6
D45C7,8,9
D45C10,11,12
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流 - 峰值
基极电流(DC)的
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-55
-70
-90
-30
-45
-60
-80
-5
-4
-6
-1
30
150
-55~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
D45C2,3,5,6,8,9,11,12
D45C1,4,7,10
条件
I
C
= -1A ,我
B
=-50mA
符号
D45C系列
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
-0.5
I
C
= -1A ,我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ,我
B
=-0.1A
V
CE
=额定V
CES
V
EB
= -5V ;我
C
=0
40
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-1V
D45C1,4,7,10
D45C1,4,7,10
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
25
10
20
I
C
= -2A ; V
CE
=-1V
I
C
=-20mA;V
CE
=-4V;
f=1.0MHz
20
40
-1.3
-100
-10
120
V
V
BESAT
I
CES
I
EBO
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
D45C2,3,5,6,8,9,11,12
V
A
A
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
D45C2,5,8,11
D45C3,6,9,12
f
T
跃迁频率
兆赫
开关时间
t
r
t
s
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -1.0A ; V
CC
=-20V
I
B1
=-I
B2
=-0.1A
0.2
0.6
0.3
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
D45C系列
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
A
A
A
D45C11 / NZT45C11
D45C11
NZT45C11
C
B
E
C
E
C
TO-220
SOT-223
B
PNP电流驱动器晶体管
该器件是专为功率放大器,稳压器和开关
电路中的速度是很重要的。从过程5P来源。看
NZT751的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
I
C
T
J
, T
英镑
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流 -
工作和存储结温范围
价值
80
4.0
-55到+150
单位
V
A
°
C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
D45C11
60
480
2.1
62.5
最大
*NZT45C11
1.2
9.7
103
单位
W
毫瓦/°C的
°
C / W
°
C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
D45C11 / NZT45C11
PNP电流驱动器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 100毫安,我
B
= 0
V
CB
= 90 V,I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V,I
C
= 0
60
10
100
V
A
A
基本特征
h
FE
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 0.2 A,V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A,V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A,I
B
= 50毫安
I
C
= 1.0 A,I
B
= 100毫安
40
20
120
0.5
1.3
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
= 4.0 V,
32
兆赫
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
英文内容
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
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原厂一级代理,原装现货
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
D45C11
FSC
24+
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱先生
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D45C11
FSC
2024+
9675
TO-220AB
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
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22000
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原装正品假一赔百!
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