TetraFET
D2293UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
10W - 12.5V - 500MHz的
单端
特点
简化放大器设计
适用于宽带应用
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
SOT 171
销1
3脚
5脚
来源
门
来源
销2
引脚4
引脚6
来源
漏
来源
高增益 - 10 dB（最小值）
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz到1GHz的
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流*
储存温度
最大工作结温
42W
40V
±20V
8A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网站
http://www.semelab.co.uk
预赛。九十九分之七
D2293UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 10W
V
DS
= 12.5V
F = 500MHz的
V
DS
= 0
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
I
DQ
= 0.4A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.6A
1
0.72
11
50
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
6
7
mA
m
A
V
S
dB
%
—
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
h
VSWR负载不匹配公差
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
48
40
4
pF
pF
pF
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
m
S，占空比
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
Max.4.2 ° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
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预赛。九十九分之七
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