TetraFET
D2290UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
顶视图
E
4
3
D
C
K
L
1
F
B
2
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
1W - 12.5V - 1GHz的
单端
特点
简化放大器设计
适用于宽带应用
A
J
G
H
I
SOT143封装
引脚1 - 漏极
2脚 - 来源
3脚 - 门
PIN 4 - 源
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
“ LP ？
$
%
＆放大器;
'
(
)
*
+
,
-
.
/
PLQ
PD [
%6&
%6&
5()
PP
PLQ
PD [
%6&
%6&
5()
， QFKHV
高增益 - 10分贝最低
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz到1GHz的
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
Semelab PLC 。
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
1W
40V
±20V
2A
-65 125°C
150°C
文档编号3890
问题3
D2290UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 1W
V
DS
= 12.5V
F = 1GHz的
V
DS
= 0V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
I
DQ
= 50毫安
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
0.5
0.18
10
40
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
12
10
1
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 175 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
文档编号3890
问题3
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