TetraFET
D2230UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
尺寸（mm） 。
5.50 ± 0.15
1.27 ± 0.05
2 PL 。
2 PL 。
0.47
1.65
2 PL 。
0.3 R.
4 PL 。
2.313
± 0.2
4
3
3.00 2.07
0.381
2 PL 。 2 PL 。
5
1.27
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
5W - 12.5V - 1GHz的
单端
0.360
± 0.005
6
1.27
6.50 ±
0.15
2
1
0.47
2 PL 。
0.80
4 PL 。
4.90 ± 0.15
7
1.27
8
0.10 R.
典型值。
特点
0.10
典型值。
0.508
0.10
典型值。
简化放大器设计
适用于宽带应用
F- 0127包装
PIN 1 - 源
PIN 2 - 漏
3脚 - 漏
PIN 4 - 源
PIN 5 - 源
PIN 6 - GATE
PIN 7 - GATE
PIN 8 - 源
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 10分贝最低
陶瓷材料：氧化铝。
份也可与AlN或氧化铍供给为
改进的耐热性。
联系Semelab了解详细信息。
应用
HF / VHF / UHF通信
从1 MHz至2 GHz的
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
Semelab PLC 。
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
网站
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
17.5W
40V
±20V
4A
-65 ℃150℃
200°C
预赛。 2/99
D2230UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 5W
V
DS
= 12.5V
F = 1GHz的
V
DS
= 0V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
I
DQ
= 0.2A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
0.5
0.36
10
40
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
2
1
7
mA
m
A
V
S
dB
%
—
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
h
VSWR负载不匹配公差
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
24
20
2
pF
pF
pF
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
m
S，占空比
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 6 ° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
网站
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
预赛。 2/99
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