TetraFET
D2081UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
尺寸（mm） 。
0 .3 2
0 .2 4
0 .1 0
0 .0 2
16
M AX 。
13
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
750MW - 12V - 1GHz的
单端
特点
简化放大器设计
适用于宽带应用
低C
RSS
1 .7 0
M AX 。
10
M AX 。
6 .7
6 .3
3 .1
2 .9
4
3 .7 7 .3
3 .3 6 .7
简单的偏置电路
低噪声（典型值< 2分贝NF ）
高增益 - 11分贝最低
=表面贴装
3
1
2
1 .0 5
0 .8 5
2 .3 0
4 .6 0
0 .8 0
0 .6 0
应用
VHF / UHF通信
从DC到2.5GHz的
SOT–223
销1
3脚
门
来源
销2
引脚4
漏
漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
2W
65V
±20V
200mA
-65 125°C
150°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 5/96
D2081UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 750MW
V
DS
= 12V
F = 1GHz的
V
DS
= 0V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 28V V
GS
= 0
V
DS
= 28V V
GS
= 0
I
DQ
= 75毫安
|
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
1
0.18
11
40
10:1
65
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
姆欧
dB
%
—
12
6
0.5
pF
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 70 ° C / W
S上V参数
d
= 12V，我
d
= 75毫安
频率
兆赫
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
S11
MAG
0.47
0.46
0.47
0.49
0.51
0.53
0.54
0.55
0.56
0.57
0.58
0.60
0.60
0.59
0.58
0.56
0.54
0.51
S12
昂
-95
-120
-131
-146
-156
-163
-180
178
175
163
150
144
140
130
123
115
110
108
S21
昂
50
80
100
110
110
104
100
96
91
85
80
75
70
66
63
58
54
50
S22
昂
90
76
68
59
51
45
40
36
33
28
26
24
22
21
20
19
20
20
MAG
0.04
0.05
0.07
0.10
0.15
0.20
0.25
0.29
0.34
0.40
0.45
0.48
0.52
0.55
0.58
0.60
0.62
0.62
MAG
5.20
4.40
3.50
3.00
2.60
2.30
2.10
1.80
1.60
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.95
0.90
0.90
0.90
MAG
0.32
0.35
0.38
0.43
0.48
0.54
0.58
0.60
0.63
0.65
0.66
0.66
0.66
0.65
0.65
0.64
0.64
0.63
昂
-90
-91
-94
-98
-103
-108
-112
-116
-120
-126
-129
-133
-135
-138
-140
-142
-144
-145
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 5/96
D2081UK
典型性能BFM21为1GHz
偏置条件V
d
= 12V，我
dq
= 75毫安
1000
900
800
700
POW ER安输出 （M W）
BIAS
C3
R1
T1
C1
C5
C2
C6
T2
C4
L1
T3
L2
C7
600
500
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
POW ER输入（M W）
+12V
BFM21UK 1GHz的测试电路
C1, C7
C3, C4
L1
L2
33pF的ATC100B
1–8pF
T1
T2
T3
50Ω微带的11mm长
50Ω微带线，长15mm
50Ω微带线，长5mm
1000pF的NPO
0.1H
为1.6mm TCW 10毫米（半圈）
预赛。 5/96
C2, C5, C6
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
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