TetraFET
D2013UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
A
K
B
(2
PLS )
E
C
1
2
3
D
5
4
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
20W - 28V - 1GHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
G
(4
PLS )
F
H
J
I
M
N
适用于宽带应用
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DK
销1
3脚
5脚
SOURCE ( COMMON ) PIN 2
排水2
门1
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
6.45
1.65R
45°
16.51
6.47
18.41
1.52
4.82
24.76
1.52
0.81R
0.13
2.16
TOL 。
0.13
0.13
5°
0.76
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
英寸
0.254
0.065R
45°
0.650
0.255
0.725
0.060
0.190
0.975
0.060
0.032R
0.005
0.085
TOL 。
0.005
0.005
5°
0.03
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
引脚4
排水1
门2
高增益 - 10分贝最低
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz至2 GHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(坐)
T
英镑
T
j
*每方
Semelab PLC 。
功耗
漏极 - 源极击穿电压*
门 - 源极击穿电压*
漏电流*
储存温度
最大工作结温
83W
65V
±20V
4A
-65 ℃150℃
200°C
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
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Prelim.12/00
D2013UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 20W
V
DS
= 28V
F = 1GHz的
I
DQ
= 0.8A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.8A
1
0.72
10
40
20:1
65
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
m
A
V
S
dB
%
—
V
GS ( TH)
栅极阈值电压*
设备总
h
VSWR负载不匹配公差
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
每面
V
DS
= 0
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
48
24
2
pF
pF
pF
*脉冲测试:
脉冲持续时间= 300
m
S,占空比
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装,以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 2.1 ° C / W
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
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D2013UK
3RXW
:
“ UDLQ ? ( IILFLHQF \\
3RXW
:
I
, GT
9GV
*+]
$
9
* DLQ
G%
3LQ ??? :
I
, GT
9GV
*+]
$
9
3RXW
“ UDLQ ? ( IILFLHQF \\
3LQ ??? :
3RXW
* DLQ
图1
OutputPower和增益随输入功率。
,0'
摹%F
图2
输出功率和效率与输入功率。
最佳源和负载阻抗
频率
兆赫
ZS
ZL
3RXW ?? : ?? 3 ( 3
W
W
I 0+]
I 0+]
9GV ? ?? 9
久? ???? $
久? ???? $
1000MHZ
1.3 - j4.6
2.5 - j2.6
科幻gure 3
IMD比。输出功率。
典型的S参数
!
#
!频率
!兆赫
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
VDS = 28V , IDQ = 0.8A
MHZ马云红50
S11
MAG
0.841
0.871
0.891
0.902
0.923
0.933
0.955
0.955
0.966
0.955
S21
MAG
24.547
11.482
6.683
4.365
3.055
2.113
1.758
1.413
1.161
0.944
S12
MAG
昂
0.01318 13
0.01
0
0.00653 10
0.00596 49
0.00891 71
0.01349 79
0.01862 85
0.02344 82
0.02851 80
0.03236 80
S22
MAG
0.49
0.61
0.708
0.767
0.813
0.851
0.881
0.902
0.902
0.902
昂
-122
-146
-156
-163
-170
-174
-175
-177
179
177
昂
98
69
52
40
27
22
19
12
5
3
昂
-94
-125
-137
-146
-155
-165
-166
-170
-177
-179
Semelab PLC 。
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D2013UK
1 0
克忒-B IA s
1 K 2
1 0 0 N·
1 ·N·
1 K 2
1 K 2
L 1
3 6 P F
T 3
T 4
T 5
T 6
D 2 0 1 3 U
+ 2 8 V
1 0 0 N·
1 0 0 U F
1 ·N·
L 2
L 3
T 1 1
T 1 2
T 1 3
T 1 4
3 6 P F
T 1 9
T 2
T 1
1-8 P F
1-8 P F
3 6 P F
2.2 P F
1 0 P F
8 0.2 P F
3 0.6 P F
1-8 P F
3 6 P F
T 7
T 8
T 9
T 1 0
D 2 0 1 3 U
T 1 5
T 1 6
T 1 7
T 1 8
1000MHz的测试夹具
基板0.8mm厚PTFE /玻璃
所有的微带线W = 2.7毫米
T1
T2, T19
T3, T7
T4, T8
T5, T9
T6, T10
T11, T15
T12, T16
T13, T17
T14, T18
23mm
50MM 50欧姆UT34的半刚性同轴电缆
6mm
8mm
15mm
9mm
8mm
7mm
11mm
5mm
L1,L2, 6圈24swg enamelld铜线, 3毫米I,D 。
L3 1.5转24 SWG漆包铜线西门子B62152 - A7X 2孔芯
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