TetraFET
D2008UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
DIA 。
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
5W - 28V - 400MHz的
单端
特点
5.08 (0.200)
典型值。
简化放大器设计
适用于宽带
应用
2.54
(0.100)
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 14 dB（最小值）
45
TO- 39封装
PIN1 - 漏极
PIN2码 - GATE
PIN3 - 消息来源
应用
VHF通信
从DC至400MHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
29W
65V
±20V
2A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/97
D2008UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 5W
V
DS
= 28V
F = 400MHz的
V
DS
= 0
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
I
DQ
= 0.2A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.4A
1
0.36
13
40
20:1
65
典型值。
MAX 。 UNIT
V
2
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
20
11
1
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 6.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/97
TetraFET
D2008UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
DIA 。
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
5W - 28V - 400MHz的
单端
特点
5.08 (0.200)
典型值。
简化放大器设计
适用于宽带
应用
2.54
(0.100)
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 14 dB（最小值）
45
TO- 39封装
PIN1 - 漏极
PIN2码 - GATE
PIN3 - 消息来源
应用
VHF通信
从DC至400MHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
29W
65V
±20V
2A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/97
D2008UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 5W
V
DS
= 28V
F = 400MHz的
V
DS
= 0
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
I
DQ
= 0.2A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.4A
1
0.36
13
40
20:1
65
典型值。
MAX 。 UNIT
V
2
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
20
11
1
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 6.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
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