SBDブリッジダイオード
SBD桥式二极管
シングルインライン型
单列直插式封装
■外½寸法図OUTLINE
尺寸
Package：3S
D4SBN20
200V 4A
特長
●薄型S
I
Pパッケージ
● SBDブリッジ
●½V
F
½
I
R
品名
型号
C3
单位：mm
Weight：3.9g
（典型值）。
管理番号
（例）
控制号
ロット記号
（例）
日期代码
4.6
±0.2
φ3.2
0.1
＋0.2
25
±0.3
3.6
±0.2
D4SBN 20
0264
15
±0.3
9.5
±0.2
±0.2
3.5
＋
①
② ③
④
1.25
±0.2
1.9
±0.2
1.0
±0.1
+
±0.2
1.7
4
2.7
±0.2
17.5
±0.5
特征
●薄-S
I
P
● SBD桥
- 低V
F
ULOW
I
R
0.7
±0.1
7.5
±0.2
7.5
±0.2
7.5
±0.2
①
②
③
④
（½品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）
■定格表
评级
項 目
项
記号
条 件
符号条件
T
英镑
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
VDIS
器
50Hz的正弦波，抵抗负荷
50Hz正弦波，负载电阻
フィン付き
带散热器
Tc=103℃
Ta=25℃
●絶対最大定格
绝对最大额定值（
指定のない場合は
TC = 25 ℃ /
除非另有说明
）
品 名
型号
D4SBN20
55150
150
200
4.0
2.2
60
2.0
0.8
単½
单位
℃
℃
V
A
A
kV
N·m的
保存温度
储存温度
接合部温度
工作结温
せん頭逆電圧
最大反向电压
出力電流
平均正向电流整流
せん頭サージ順電流
峰值正向电流浪涌
絶縁耐圧
介电强度
締め付けトルク
安装力矩
フィンなし
无需散热器
50Hz的正弦波，非缲り返し1サイクルせん头値， TJ = 25 ℃
50Hz正弦波，不重复回循环峰值， TJ = 25 ？
に加わる。また， ③の交流成分が④へ
终端的情况下， AC 1分钟
（推奨値： 0.5 n×m个）
（推荐
扭矩： 0.5N的M）
●电気的·热的特性电气
特性（
指定のない場合は
TC = 25 ℃ /
除非另有说明
）
順電圧
正向电压
逆電流
反向电流
接合容量
结电容
V
F
I
R
Cj
θJC
I
F=
2A,
V
R =
200V,
パルス測定，一素子½たりの規格値
脉冲测量，每二极管
パルス測定，一素子½たりの規格値
脉冲测量，每二极管
一素子½たりの規格値
每二极管
最大
最大
典型值
最大
最大
最大
0.90
1.5
60
6.0
8.0
35
V
μA
pF
f
=
为1MHz ，V
R=
10V,
接合部リード間
交界处领导
接合部 周囲間
结到环境
接合部ケース間，フィン付き
结到外壳，带散热器
熱抵抗
热阻
θJL
θJA
℃/W
142
（J
514 - 6）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
D4SBN20
■特性図特性
图表
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
正向电压
50
前向功率耗散
12
峰值正向电流浪涌能力
峰值正向电流浪涌
I
FSM
〔A〕
80
正向功耗P
F
W〕
〔
10
0.5
罪
0.3
0.2
6
0.05
4
0.1
DC
D=0.8
正向电流I
F
〔A〕
10
Tc=150℃
（最大）
Tc=150℃
（典型值）
Tc=25℃
（最大）
Tc=25℃
（典型值）
60
8
40
正弦波
0
1
Io
tp
T
Tj=150℃
I
FSM
10毫秒10毫秒
20
0.1
0
〔
1
2
脉冲测量
每二极管
3
4
〔
5
2
D = TP / T
6
7
〔
0
1
1cycle
不重复
Tj＝25℃
〔
10
100
0
0
1
2
3
4
5
正向电压V
F
〔V〕
平均整流器ED正向电流I
O
〔A〕
周期数
逆方向特性
逆電力損失曲線
接合容量
反向电流
1000
反向功率耗散
0.8
结电容
200
DC
D=0.05
0.1
0.2
0.3
反向功耗P
R
W〕
〔
0
0.7
0.6
0.5
0.4
tp
T
Tj=150℃
（ TYP
Tc=125℃
）
D = TP / T
100
10
（ TYP ）
Tc=100℃
50
1
（
TC = 75 ℃牛逼
YP ）
0.5
0.3
0.2
0.1
罪
0.8
（
TC = 50 ℃ TY
P）
0.1
20
0.01
0
50
100
150
200
反向电压VR
〔V〕
ディ
レーティ
ングカーブー钽木卫一
平均整流器ED正向电流I
O
〔A〕
平均整流器ED正向电流I
O
〔A〕
降额曲线的Taー木卫一
4
0
0
tp
T
Io
V
R
D = TP / T
DC
P.C.B
+
3
0.5
罪
D=0.8
在玻璃环氧基板
焊接土地5mmφ
2
0.3
0.2
0.1
〔
V ＝V
〕
R
RM
1
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta ℃〕
〔
〔
〔
脉冲测量
每二极管
0
0
50
100
150
200
10
0.1
1
10
100 200
反向电压V
R
V〕
〔
反向电压V
R
V〕
〔
ディ
レーティ
ングカーブー锝木卫一
降额曲线锝ー木卫一
8
0
0
tp
T
Io
V
R
D = TP / T
散热器锝检测点
Tc
DC
6
D=0.8
0.5
罪
0.3
0.2
2
0.1
0.05
4
〔
V ＝V
〕
R
RM
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
壳温度℃ ）
〔
·正弦波50赫兹はで测定しています。
* 50Hz正弦波用于测量。
半導½½品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
·半导体产品通常都具有的特性变化。典型的是一个统计平均
的设备的能力。
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J
514 - 6）
〔
100
结电容CJ
〔 pF的〕
反向电流I
R
μA〕
〔
（
TC = 150 ℃典型值）
V
R
〔
f=1MHz
Tc=25℃
典型值
每二极管
143
QQ：2880707522 复制
