STD110NH02L
N沟道24V - 0.0044Ω - 80A - DPAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD110NH02L
1.
■
■
■
■
V
DSSS
24V
R
DS （ ON）
<0.0048
I
D
80A
(1)
3
1
限于通过引线接合值
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
DPAK
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这是适合FOT最苛刻的DC- DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD110NH02LT4
记号
D110NH02L
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年8月
第七版
1/15
www.st.com
15
目录
STD110NH02L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
电气特性
STD110NH02L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
On
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安，V
GS
= 0
V
DS
= 20
V
DS
= 20, T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
V
GS
= 5V ，我
D
= 20A
1
0.0044 0.0050
0.0050 0.0095
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
Q
gls(3)
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
,
I
D
= 40A
V
DS
= 15V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
52
4450
1126
141
69
13
9
27
64
16
93
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 10V ，我
D
= 80A
V
GS
= 10V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
< 0V ，V
GS
= 10V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. Q
OSS =
C
OSS
* V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
SEE
部分附录A
3.栅极电荷为同步操作
4/15
STD110NH02L
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
图13第8页
分钟。
典型值。
14
224
69
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
54
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 40A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
J
= 150°C
图15第8页
47
58
2.5
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/15
QQ：2881677436 复制
