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TetraFET
LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
6.35
(0.250)
0.64
(0.025)
5.33
(0.210)
0.89
(0.035)
2 PLS 。
2.29
(0.090)
0.51
(0.020)
REF 。
0.64
4.32
(0.170) (0.025)
SEME
D1082UK
金属闸极射频硅场效应管
4
7
± 1
7
± 1
7
± 1
6.10
(0.240)
1.14
(0.045)
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
4W - 28V - 200MHz的
单端
特点
简化放大器设计
适用于宽带
应用
低C
RSS
简单的偏置电路
1
16.76
(0.660)
2
3
2.29
(0.090)
4.57
(0.180)
0.76
(0.030)
REF 。
0.51
(0.020)
REF 。
- 低噪声
高增益 - 13分贝最低
=表面贴装
1.02
(0.040)
应用
TO- 251封装
引脚1 - 门
PIN 3 - 来源
PIN 2 - 漏
引脚4 - 漏
低成本DC至200兆赫
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
J
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
62.5W
70V
±20V
5A
-65 125°C
150°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.传真：（ 01455 ） 552612.电子邮件rf@semelab.co.uk
预赛。 7/96
LAB
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
V
DS
= 28V
P
O
= 4W
V
DS
= 0V
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
I
DQ
= 0.1A
F = 200MHz的
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1
0.8
13
40
20:1
60
30
2.5
pF
SEME
D1082UK
分钟。
70
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
VSWR负载不匹配公差
V
DS
= 28V V
GS
= 0
V
DS
= 28V V
GS
= 0
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 2 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.传真：（ 01455 ） 552612.电子邮件rf@semelab.co.uk
预赛。 7/96
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D824L8B-4
DTC115GV
DSS71C12C
DL6554
DX30J-132SE
DUD512Z
DN7Q24TTEB
DM54H55W
D3804X
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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2024
1500
CAN/TO-3
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