TetraFET
D1053UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
B
A
A
K
D
E
C
（ 2 PLS ）
2
1
3
4 5
9 8
7 6
O
（ 2 PLS ）
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
50W - 28V - 1GHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
F
G
H
J
I
M
N
适用于宽带应用
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DB
销1
3脚
5脚
7针
9针
SOURCE （ COMMON ）
排水2
漏极4
3号门
门1
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
mm
1.52
1.52
45°
16.38
6.35
18.41
12.70
5.08
24.76
1.52
0.81R
0.13
2.16
1.65R
销2
引脚4
引脚6
引脚8
排水1
排水3
4门
门2
TOL 。
0.13
0.13
5°
0.26
0.13
0.13
0.26
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
0.13
英寸
0.060
0.060
45°
0.645
0.250
0.725
0.500
0.200
0.975
0.060
0.032R
0.005
0.085
0.065R
TOL 。
0.005
0.005
5°
0.010
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
高增益 - 12 dB（最小值）
应用
VHF / UHF通信
从400 MHz到1 GHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
175W
70V
±20V
5A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
D1053UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
栅极阈值电压*
正向跨导*
栅极阈值电压
匹配方之间
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
I
D
= 10毫安
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
V
DS
= V
GS
1
0.8
70
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
姆欧
0.1
V
V
GS （ TH）比赛
设备总
G
PS
η
VSWR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
输入电容
输出电容
P
O
= 50W
V
DS
= 28V
F = 1GHz的
I
DQ
= 0.8A
7.5
45
20:1
dB
%
—
60
30
2.5
pF
pF
pF
每面
V
DS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
反向传输电容V
DS
= 28V
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 1.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
TetraFET
D1053UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
B
A
A
K
D
E
C
（ 2 PLS ）
2
1
3
4 5
9 8
7 6
O
（ 2 PLS ）
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
50W - 28V - 1GHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
F
G
H
J
I
M
N
适用于宽带应用
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DB
销1
3脚
5脚
7针
9针
SOURCE （ COMMON ）
排水2
漏极4
3号门
门1
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
mm
1.52
1.52
45°
16.38
6.35
18.41
12.70
5.08
24.76
1.52
0.81R
0.13
2.16
1.65R
销2
引脚4
引脚6
引脚8
排水1
排水3
4门
门2
TOL 。
0.13
0.13
5°
0.26
0.13
0.13
0.26
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
0.13
英寸
0.060
0.060
45°
0.645
0.250
0.725
0.500
0.200
0.975
0.060
0.032R
0.005
0.085
0.065R
TOL 。
0.005
0.005
5°
0.010
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
高增益 - 12 dB（最小值）
应用
VHF / UHF通信
从400 MHz到1 GHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
175W
70V
±20V
5A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
D1053UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
栅极阈值电压*
正向跨导*
栅极阈值电压
匹配方之间
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
I
D
= 10毫安
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
V
DS
= V
GS
1
0.8
70
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
姆欧
0.1
V
V
GS （ TH）比赛
设备总
G
PS
η
VSWR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
输入电容
输出电容
P
O
= 50W
V
DS
= 28V
F = 1GHz的
I
DQ
= 0.8A
7.5
45
20:1
dB
%
—
60
30
2.5
pF
pF
pF
每面
V
DS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
反向传输电容V
DS
= 28V
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 1.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
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