【TetraFETD1020UK金属闸极射频硅场效应管机械数据C（ 2 PLS ）BG（典型值）21H】,IC型号D1020,D1020 PDF资料,D1020经销商,ic,电子元器件-51电子网

TetraFET

D1020UK

金属闸极射频硅场效应管

机械数据

C

（ 2 PLS ）

B

G

（典型值）

2

1

H

D

3

P

（ 2 PLS ）一个

5

4

黄金金属化

多用途硅

DMOS射频场效应管

150W - 28V - 400MHz的

推 - 拉

特点

EXTRA低C

RSS

E

（ 4 PLS ）

F

I

N

M

O

J

K

简化放大器设计

排水1

门2

DR

销1

3脚

5脚

SOURCE （ COMMON ）

排水2

门1

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

M

N

O

P

单位为毫米

19.05

10.77

45°

9.78

5.71

27.94

1.52R

10.16

22.22

0.13

2.72

1.70

5.08

34.03

1.57R

TOL 。

0.50

0.13

5°

0.13

最大

0.02

0.13

0.50

0.13

0.08

销2

引脚4

适用于宽带应用

简单的偏置电路

英寸

0.75

0.424

45°

0.385

0.225

1.100

0.060R

0.400

0.875

0.005

0.107

0.067

0.200

1.340

0.062R

TOL 。

0.020

0.005

5°

0.005

最大

0.001

0.005

0.020

0.005

0.003

- 低噪声

高增益 - 10分贝最低

应用

HF / VHF / UHF通信

从1兆赫至400兆赫

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

P

D

BV

DSS

BV

GSS

I

D（坐）

T

英镑

T

j

*每方

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

预赛。 11/00

功耗

漏极 - 源极击穿电压*

门 - 源极击穿电压*

漏电流*

储存温度

最大工作结温

389W

70V

±20V

20A

-65 ℃150℃

200°C

D1020UK

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

分钟。

每面

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

g

fs

G

PS

漏源击穿

电压

零栅极电压

漏电流

栅极漏电流

栅极阈值电压*

正向跨导*

共源功率增益

漏EF网络效率

负载不匹配公差

输入电容

输出电容

V

GS

= 0

V

DS

= 28V

V

GS

= 20V

I

D

= 10毫安

V

DS

= 10V

P

O

= 150W

V

DS

= 28V

F = 400MHz的

I

DQ

= 2A

I

D

= 100毫安

V

GS

= 0

V

DS

= 0

V

DS

= V

GS

I

D

= 5A

1

4

10

50

20:1

V

GS

= -5V F = 1MHz的

V

GS

= 0

V

GS

= 0

F = 1MHz的

70

典型值。

MAX 。 UNIT

V

5

1

7

mA

m

A

V

S

dB

%

—

设备总

h

VSWR

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

每面

V

DS

= 28V

V

DS

= 28V

300

150

10

pF

反向传输电容V

DS

= 28V

*脉冲测试：

脉冲持续时间= 300

m

S，占空比

2%

有害材料警告

引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常

毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。

这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。

热数据

R

THJ情况

热阻结 - 壳

马克斯。 0.45 ° C / W

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

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D1020UK

3RXW

:

（ IILFLHQF \\

9GV ？ ??? 9

久？ ?? $

0+]

9GV ？ ??? 9

久？ ?? $

0+]

3LQ ?? ：

3RXW ?? ：

图1 。

输出功率与输入功率

图2中。

效率与输出功率

* DLQ

G%

0+]

9GV ？ ??? 9

久？ ?? $

3RXW ?? ：

网络连接gure 3 。

增益与输出功率

Semelab PLC 。

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预赛。 11/00

D1020UK

=6RSW

， PSHGDQFH ？ PHDVXUHG ？ JDWH ？ WR ？ JDWH

0DWFKLQJ

1HWZRUN

最佳源阻抗

= / RSW

， PSHGDQFH ？ PHDVXUHG ？ GUDLQ ？ WR ？ GUDLQ

最佳负载阻抗

Semelab PLC 。

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I

0+]

=/

5

M;

=6RSW

I

0+]

=6

5

M;

0DWFKLQJ

1HWZRUN

= / RSW

预赛。 11/00

D1020UK

L 2

克忒 - B IA s

1 0 0 n

T 2

1 n

1 0 k

1 0 0 k

L 1

D 1 0 2 0 U

1 n

1 2

1 n

T 4

1 0 0 n

1 0 0 0 u

2 8 V

8 2 0 K

6 8 0 P F

T 6

T 1

1 u

2 -1 8 P F

4个P F

9 0 P F

2 -1 8 P F

6 8 0 P F

1 u

T 3

D 1 0 2 0 U

T 5

175 MHz的测试夹具

T1,2,3

7厘米风暴产品EXE 18 19/30 S1TW同轴电缆

西门子A1 X 1

T4,5

T6

L1

L2

2孔芯

14厘米风暴产品EXE18 19/30 S1TW同轴电缆

11厘米风暴产品EXE 18 19/30 S1TW同轴电缆

6圈1.2毫米直径线，内径5毫米

1.5打开西门子A1 ×1 2洞核心0.9毫米直径线

Semelab PLC 。

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TetraFET

D1020UK

金属闸极射频硅场效应管

机械数据

C

（ 2 PLS ）

B

G

（典型值）

2

1

H

D

3

P

（ 2 PLS ）一个

5

4

黄金金属化

多用途硅

DMOS射频场效应管

150W - 28V - 400MHz的

推 - 拉

特点

EXTRA低C

RSS

E

（ 4 PLS ）

F

I

N

M

O

J

K

简化放大器设计

排水1

门2

DR

销1

3脚

5脚

SOURCE （ COMMON ）

排水2

门1

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

M

N

O

P

单位为毫米

19.05

10.77

45°

9.78

5.71

27.94

1.52R

10.16

22.22

0.13

2.72

1.70

5.08

34.03

1.57R

TOL 。

0.50

0.13

5°

0.13

最大

0.02

0.13

0.50

0.13

0.08

销2

引脚4

适用于宽带应用

简单的偏置电路

英寸

0.75

0.424

45°

0.385

0.225

1.100

0.060R

0.400

0.875

0.005

0.107

0.067

0.200

1.340

0.062R

TOL 。

0.020

0.005

5°

0.005

最大

0.001

0.005

0.020

0.005

0.003

- 低噪声

高增益 - 10分贝最低

应用

HF / VHF / UHF通信

从1兆赫至400兆赫

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

P

D

BV

DSS

BV

GSS

I

D（坐）

T

英镑

T

j

*每方

Semelab PLC 。

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预赛。 11/00

功耗

漏极 - 源极击穿电压*

门 - 源极击穿电压*

漏电流*

储存温度

最大工作结温

389W

70V

±20V

20A

-65 ℃150℃

200°C

D1020UK

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

分钟。

每面

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

g

fs

G

PS

漏源击穿

电压

零栅极电压

漏电流

栅极漏电流

栅极阈值电压*

正向跨导*

共源功率增益

漏EF网络效率

负载不匹配公差

输入电容

输出电容

V

GS

= 0

V

DS

= 28V

V

GS

= 20V

I

D

= 10毫安

V

DS

= 10V

P

O

= 150W

V

DS

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F = 400MHz的

I

DQ

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I

D

= 100毫安

V

GS

= 0

V

DS

= 0

V

DS

= V

GS

I

D

= 5A

1

4

10

50

20:1

V

GS

= -5V F = 1MHz的

V

GS

= 0

V

GS

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F = 1MHz的

70

典型值。

MAX 。 UNIT

V

5

1

7

mA

m

A

V

S

dB

%

—

设备总

h

VSWR

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

每面

V

DS

= 28V

V

DS

= 28V

300

150

10

pF

反向传输电容V

DS

= 28V

*脉冲测试：

脉冲持续时间= 300

m

S，占空比

2%

有害材料警告

引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常

毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。

这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。

热数据

R

THJ情况

热阻结 - 壳

马克斯。 0.45 ° C / W

Semelab PLC 。

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图1 。

输出功率与输入功率

图2中。

效率与输出功率

* DLQ

G%

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网络连接gure 3 。

增益与输出功率

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

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预赛。 11/00

D1020UK

=6RSW

， PSHGDQFH ？ PHDVXUHG ？ JDWH ？ WR ？ JDWH

0DWFKLQJ

1HWZRUN

最佳源阻抗

= / RSW

， PSHGDQFH ？ PHDVXUHG ？ GUDLQ ？ WR ？ GUDLQ

最佳负载阻抗

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

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I

0+]

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5

M;

=6RSW

I

0+]

=6

5

M;

0DWFKLQJ

1HWZRUN

= / RSW

预赛。 11/00

D1020UK

L 2

克忒 - B IA s

1 0 0 n

T 2

1 n

1 0 k

1 0 0 k

L 1

D 1 0 2 0 U

1 n

1 2

1 n

T 4

1 0 0 n

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2 8 V

8 2 0 K

6 8 0 P F

T 6

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2 -1 8 P F

4个P F

9 0 P F

2 -1 8 P F

6 8 0 P F

1 u

T 3

D 1 0 2 0 U

T 5

175 MHz的测试夹具

T1,2,3

7厘米风暴产品EXE 18 19/30 S1TW同轴电缆

西门子A1 X 1

T4,5

T6

L1

L2

2孔芯

14厘米风暴产品EXE18 19/30 S1TW同轴电缆

11厘米风暴产品EXE 18 19/30 S1TW同轴电缆

6圈1.2毫米直径线，内径5毫米

1.5打开西门子A1 ×1 2洞核心0.9毫米直径线

Semelab PLC 。

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