TetraFET
D1018UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
A
C
E
( 2 PLS )
K
1
2
3
4
F
G
8
J
典型值。
7
6
5
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
100W - 28V - 500MHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
D
M
Q
P
I
N
O
H
适用于宽带应用
低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 10分贝最低
DD
销1
3脚
5脚
7针
SOURCE ( COMMON ) PIN 2
排水2
引脚4
SOURCE ( COMMON ) 6 PIN
门1
引脚8
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
P
Q
mm
9.14
12.70
45°
6.86
0.76
9.78
19.05
4.19
3.17
1.52R
1.65R
16.51
22.86
0.13
6.35
10.77
TOL 。
0.13
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.64
0.13
排水1
SOURCE ( COMMON )
门2
SOURCE ( COMMON )
TOL 。
0.005
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.025
0.005
英寸
0.360
0.500
45°
0.270
0.030
0.385
0.750
0.165
0.125
0.060R
0.065R
0.650
0.900
0.005
0.250
0.424
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz到500MHz的
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(坐)
T
英镑
T
j
*每方
功耗
漏极 - 源极击穿电压*
门 - 源极击穿电压*
漏电流*
储存温度
最大工作结温
250W
70V
±20V
15A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话( 01455 ) 556565.电传: 341927.传真:( 01455 ) 552612 。
预赛。 10/95
D1018UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
η
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
V
GS
= 0
V
DS
= 28V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 100W
V
DS
= 28V
F = 500MHz的
I
DQ
= 1.2A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 3A
1
2.4
10
50
20:1
V
GS
= -5V F = 1MHz的
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
70
典型值。
MAX 。 UNIT
V
3
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
180
90
7.5
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
栅极阈值电压*
设备总
VSWR负载不匹配公差
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
每面
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
*脉冲测试:
脉冲持续时间= 300
s
,占空比
≤
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装,以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 0.7 ° C / W
Semelab PLC 。
电话( 01455 ) 556565.电传: 341927.传真:( 01455 ) 552612 。
预赛。 10/95