CZTA42 NPN
CZTA92 PNP
表面贴装
补充
高压
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CZTA42 , CZTA92
类型是互补的表面贴装环氧模
硅外延平面晶体管设计用于高
电压应用。
标记:全部型号
SOT- 223案例
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
CZTA42
300
300
6.0
500
2.0
CZTA92
300
300
5.0
单位
V
V
V
mA
W
°C
° C / W
-65到+150
62.5
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
CZTA42
符号
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
测试条件
VCB=200V
VBE=6.0V
VBE=3.0V
IC=100A
IC=1.0mA
IE=100A
IC = 20mA时, IB = 2.0毫安
IC = 20mA时, IB = 2.0毫安
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 30毫安
VCE = 20V , IC = 10毫安中,f = 100MHz的
VCB = 20V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
民
-
-
-
300
300
6.0
-
-
25
40
40
50
-
最大
100
100
-
-
-
-
0.5
0.9
-
-
-
-
3.0
CZTA92
民
-
-
-
300
300
5.0
-
-
25
40
25
50
-
最大
250
-
100
-
-
-
0.5
0.9
-
-
-
-
6.0
兆赫
pF
单位
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
R3 (2010年1月)
CZTA42 NPN
CZTA92 PNP
表面贴装
补充
高压
硅晶体管
SOT- 223案例 - 机械外形
前导码:
1)基础
2 )集电极
3 )辐射源
4 )集热器
标记:
全部型号
R3 (2010年1月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CZTA42 NPN
CZTA92 PNP
表面贴装
补充
高压硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体CZTA42 ,
CZTA92类型是互补的表面
安装环氧模塑硅平面外延
设计用于高电压的晶体管
应用程序。
标识代码:全型号
SOT- 223案例
最大额定值:
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ , TSTG
Θ
JA
-65到+150
62.5
°C
° C / W
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
CZTA42
300
300
6.0
500
2.0
CZTA92
300
300
5.0
单位
V
V
V
mA
W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
CZTA42
符号
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
测试条件
VCB=200V
VBE=6.0V
VBE=3.0V
IC=100A
IC=1.0mA
IE=100A
IC = 20mA时, IB = 2.0毫安
IC = 20mA时, IB = 2.0毫安
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE=10V,
VCE=20V,
IC=30mA
IC = 10毫安中,f = 100MHz的
300
300
6.0
0.5
0.9
25
40
40
50
3.0
25
40
25
50
6.0
兆赫
pF
民
最大
100
100
-
300
300
5.0
0.5
0.9
CZTA92
民
最大
250
-
100
单位
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
VCB = 20V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
R2 ( 2004年17月)