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CZT7090LE

增强规范

表面贴装

低VCE （ SAT ） PNP

硅功率晶体管

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

描述：

中央半导体CZT7090LE是

增强型规格低VCE （ SAT） PNP硅

功率晶体管封装在一个行业标准

SOT- 223的情况下。高集电极电流，再加上

低饱和电压，使这是一个很好的选择

用于工业和消费应用中的电

和热运行效率是重中之重。

标记：全部型号

SOT- 223案例

应用范围：

电源管理/ DC- DC转换器

便携式和电池供电产品

网络设备/电机控制器

最大额定值：

(TA=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

电动

符号

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

的hFE

COB

特性：

(TA=25°C)

测试条件

VCB=50V

VCB = 50V ， TA = 100℃

VEB=5.0V

IC=100μA

IC=10mA

IE=100μA

IC = 500毫安， IB = 5.0毫安

IC = 1.0A ， IB = 10毫安

IC = 2.0A ， IB = 50毫安

IC = 2.0A ， IB =百毫安

VCE = 2.0V ， IC = 10毫安

VCE = 2.0V ， IC = 500毫安

VCE = 2.0V ， IC = 1.0A

VCE = 2.0V ， IC = 2.0A

VCE = 2.0V ， IC = 3.0A

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

VCE = 5.0V ， IC = 50mA时F = 50MHz的

产品特点：

低的Vce （ sat）的PNP晶体管

高电流（ IC = 3.0A MAX ）

VCE （ SAT ） = 0.132V TYP @ IC = 2.0A

SOT- 223表面贴装封装

互补NPN器件： CZT3090LE

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TJ ， TSTG

6.0

3.0

5.0

2.0

-65到+150

62.5

单位

°C

° C / W

民

典型值

最大

6.0

124

132

0.888

363

314

281

228

177

175

250

300

1.0

800

单位

300

250

150

100

兆赫

增强规范

R1 （2010年1月）

CZT7090LE

增强规范

表面贴装

低VCE （ SAT ） PNP

硅功率晶体管

SOT- 223案例 - 机械外形

前导码：

1）基础

2 ）集电极

3 ）辐射源

4 ）集热器

标记：

全部型号

R1 （2010年1月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

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