CZT651
表面贴装
NPN高电流晶体管
中央
描述:
TM
半导体公司
中央半导体CZT651
类型是NPN硅晶体管制造
通过外延平面工艺,环氧树脂模制在
表面贴装封装,专为高电流
租金的应用
SOT- 223案例
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
80
60
5.0
2.0
2.0
-65到+150
62.5
单位
V
V
V
A
W
°C
° C / W
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
测试条件
VCB=80V
VEB=4.0V
IC=100A
IC=10mA
IE=10A
IC = 1.0A , IB =百毫安
IC = 2.0A , IB = 200毫安
IC = 1.0A , IB =百毫安
VCE = 2.0V , IC = 1.0A
VCE = 2.0V , IC = 50毫安
VCE = 2.0V , IC = 500毫安
VCE = 2.0V , IC = 1.0A
VCE = 2.0V , IC = 2.0A
VCE = 5.0V , IC = 50mA时F = 100MHz的
民
最大
100
100
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
80
60
5.0
0.3
0.5
1.2
1.0
75
75
75
40
75
兆赫
R1 ( 01 - 2001年2月)
CZT651
表面贴装
NPN HIGH CURRENT
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体CZT651类型
是NPN硅晶体管制造的
外延平面工艺,环氧树脂模制在一个外加
面对贴装封装,专为高电流
应用
标识代码:全型号
SOT- 223案例
最大额定值:
(TA=25°C)
单位
V
V
V
A
W
°C
° C / W
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
80
60
5.0
2.0
2.0
-65到+150
62.5
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
测试条件
VCB=80V
VEB=4.0V
IC=100A
IC=10mA
IE=10A
IC=1.0A,
IC=2.0A,
IB=100mA
IB=200mA
民
最大
100
100
80
60
5.0
0.3
0.5
1.2
1.0
75
75
75
40
75
兆赫
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
IC = 1.0A , IB =百毫安
VCE = 2.0V , IC = 1.0A
VCE = 2.0V , IC = 50毫安
VCE=2.0V,
VCE=2.0V,
VCE=2.0V,
IC=500mA
IC=1.0A
IC=2.0A
VCE = 5.0V , IC = 50mA时F = 100MHz的
R 3 ( 2004年17月)