【CZT5551公司Bauelemente符合RoHS产品NPN晶体管外延平面晶体管SOT-223描述】,IC型号CZT5551,CZT5551 PDF资料,CZT5551经销商,ic,电子元器件-51电子网

CZT5551

公司Bauelemente

符合RoHS产品

NPN

晶体管

外延平面晶体管

SOT-223

描述

该CZT5551是专为一般

目的要求高

击穿电压。

REF 。

A

C

D

E

I

H

REF 。

B

J

1

2

3

4

5

5 5

1

分钟。

6.70

2.90

0.02

0C

0.60

0.25

马克斯。

7.30

3.10

0.10

10 C

0.80

0.35

最大额定值* （T

AMB

= 25℃，除非另有规定）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

总功耗

结温和存储温度

参数

价值

180

160

6

600

1.5

-55~-150

o

分钟。

马克斯。

13吨YP 。

C

2.30 REF 。

6.30

6.70

6.30

6.70

3.30

3.70

3.30

3.70

1.40

1.80

单位

V

mA

W

O

I

C

P

D

T

J,

T

英镑

C

电气特性

环境温度Tamb = 25℃ unlessotherwise

o

特定网络版

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

符号

V（ BR ）

CBO

V（ BR ）

首席执行官

V（ BR ）

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

h

FE

h

FE

1

2

3

民

180

160

6

_

典型值

_

最大

_

单位

V

nA

_

TEST

条件

IC = 100U A，I

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10U A，I

C

=0

V

CB

= 120V ，我

E

=0

V

EB

= 4V ，我

C

=0

V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 50毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安，

f =

100MHz

50

_

80

50

_

160

_

400

_

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

V

CE

（SAT）

1

V

CE

（SAT）

2

V

BE

（SAT）

1

V

BE

（SAT）

2

0.15

0.2

1

300

6

V

兆赫

pF

f

T

COB

100

_

集电极输出电容

V

CB

= 10V ， F = 1MHz时，我

E

=0

分类h及

FE

秩

范围

A

N

100-240

C

160-400

的说明书中的任何改变将不被通知个人

80-200

http://www.SeCoSGmbH.com

01军， 2004年修订版

B

第1页2

CZT5551

公司Bauelemente

NPN

晶体管

外延平面晶体管

特性曲线

http://www.SeCoSGmbH.com

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01军， 2004年修订版

B

页面

2

SMD型

NPN硅晶体管

CZT5551

SOT-223

+0.2

6.50

-0.2

晶体管

单位：mm

+0.2

3.50

-0.2

0

.1max

+0.05

0.90

-0.05

特点

+0.1

3.00

-0.1

+0.2

0.90

-0.2

+0.3

7.00

-0.3

4

1 BASE

1

2

2.9

4.6

3

0.70

+0.1

-0.1

2个集热器

3发射器

4珍藏

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

J

,T

英镑

JA

等级

180

160

6

600

2

-65到150

62.5

/W

单位

V

mA

W

电气特性TA = 25

符号

I

CBO

I

CBO

I

EBO

B

VCBO

B

VCEO

B

VEBO

V

CE （ SAT ）

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

CB

=120V

V

CB

= 120V ，T

A

=100

V

EB

=4.0V

I

C

=100ìA

I

C

=1.0mA

I

E

=10ìA

I

C

= 10毫安，我

B

=1.0mA

I

C

= 50mA时我

B

=5.0mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1.0mA

I

C

= 50mA时我

B

=5.0mA

V

CE

= 5.0V ，我

C

=1.0mA

h

FE

V

CE

= 5.0V ，我

C

=10mA

V

CE

= 5.0V ，我

C

=50mA

f

T

C

ob

C

ib

的hFE

N

F

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安中，f = 100MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0 ， F = 1.0MHz的

V

EB

= 0.5V ，我

C

= 0 ， F = 1.0MHz的

V

CE

= 10V ，我

C

= 1.0毫安， F = 1.0kHz

V

CE

= 5.0V ，我

C

= 200ìA ，R

S

=10

U， F = 10Hz至15.7kHz

50

80

30

100

300

6.0

20

200

8.0

dB

兆赫

pF

250

180

160

6.0

0.15

0.20

1.00

Testconditons

民

最大

50

单位

nA

mA

nA

V

+0.15

1.65

-0.15

www.kexin.com.cn

1

CZT5551

NPN硅晶体管

中央

描述：

TM

半导体公司

中央半导体CZT5551

类型是NPN硅晶体管制造

通过外延平面工艺，环氧树脂模塑

在一个表面贴装封装，专为高

电压放大器的应用。

SOT- 223案例

最大额定值

(TA=25

o

C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储

结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

180

160

6.0

600

2.0

-65到+150

62.5

单位

V

mA

W

o

C

o

C / W

电气特性

(TA=25

o

C除非另有说明）

符号

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

的hFE

测试条件

VCB=120V

VCB = 120V ， TA = 100

o

C

VEB=4.0V

IC=100A

IC=1.0mA

IE=10A

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

IC = 50mA时IB = 5.0毫安

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

IC = 50mA时IB = 5.0毫安

VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安

VCE = 5.0V ， IC = 10毫安

VCE = 5.0V ， IC = 50毫安

民

最大

50

单位

nA

A

nA

V

180

160

6.0

0.15

0.20

1.00

80

30

250

316

符号

fT

COB

兴业银行

的hFE

NF

测试条件

VCE = 10V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的

VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz

VCE = 5.0V ， IC = 200μA ， RS = 10Ω

F = 10Hz到15.7kHz

民

100

50

最大

300

6.0

20

200

8.0

单位

兆赫

pF

dB

以英寸（毫米）的所有尺寸。

前导码：

1)

2)

3)

BASE

集热器

辐射源

集热器

R2

317

产品speci fi cation

CZT5551

SOT-223

+0.2

6.50

-0.2

单位：mm

+0.2

3.50

-0.2

0

.1max

+0.05

0.90

-0.05

特点

+0.1

3.00

-0.1

+0.2

0.90

-0.2

+0.3

7.00

-0.3

4

1 BASE

1

2

2.9

4.6

3

0.70

+0.1

-0.1

2个集热器

3发射器

4珍藏

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

J

,T

英镑

JA

等级

180

160

6

600

2

-65到150

62.5

/W

单位

V

mA

W

电气特性TA = 25

符号

I

CBO

I

CBO

I

EBO

B

VCBO

B

VCEO

B

VEBO

V

CE （ SAT ）

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

CB

=120V

V

CB

= 120V ，T

A

=100

V

EB

=4.0V

I

C

=100ìA

I

C

=1.0mA

I

E

=10ìA

I

C

= 10毫安，我

B

=1.0mA

I

C

= 50mA时我

B

=5.0mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1.0mA

I

C

= 50mA时我

B

=5.0mA

V

CE

= 5.0V ，我

C

=1.0mA

h

FE

V

CE

= 5.0V ，我

C

=10mA

V

CE

= 5.0V ，我

C

=50mA

f

T

C

ob

C

ib

的hFE

N

F

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安中，f = 100MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0 ， F = 1.0MHz的

V

EB

= 0.5V ，我

C

= 0 ， F = 1.0MHz的

V

CE

= 10V ，我

C

= 1.0毫安， F = 1.0kHz

V

CE

= 5.0V ，我

C

= 200ìA ，R

S

=10

U， F = 10Hz至15.7kHz

50

80

30

100

300

6.0

20

200

8.0

dB

兆赫

pF

250

180

160

6.0

0.15

0.20

1.00

Testconditons

民

最大

50

单位

nA

mA

nA

V

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

+0.15

1.65

-0.15

1 1