表面贴装齐纳二极管
CZRW55C2V4 -G通CZRW55C39 -G
电压： 2.4 29伏特
功率： 410毫瓦
产品特点：
平面模具结构
410mW功耗
齐纳电压从2.4V - 39V
非常适合于自动装配程序
.028 (0.70)
.019 (0.50)
SOD-123
.154 (3.90)
.141 (3.60)
.110 (2.80)
.098 (2.50)
.071 (1.80)
.055 (1.40)
0.016 （ 0.40 ）最低。
o
机械数据：
案例： SOD- 123 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202方法208
约。重量： 0.008克
0.005 （ 0.12 ）最大。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热发育特点
参数
功率耗散（注一） ，在75
o
C
峰值正向浪涌电流浪涌， 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注二）
工作结存储温度范围
符号
价值
410
单位
m
W
P
D
I
FSM
T
J
0.008 （ 0.20 ）最大。
2
安培
C
-55到+150
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.在8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大测量。
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
Comhip科技公司
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联系电话： 510-657-8671
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传真： 657-8921
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www.comchiptech.com
.053 (1.35)
.037 (0.95)
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表面贴装齐纳二极管
CZRW55C2V4 -G通CZRW55C39 -G
最大额定值和电气发育特点
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）V
F
= 1.2V最大值，我
F
= 100mA的电流来所有类型
额定齐纳电压
产品型号
V
Z
@ I
ZT
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
最大反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
最大齐纳
当前
I
ZM
@ T
A
喃。 V最小。 V
最大。 V
欧姆
mA
欧姆
mA
nA
V
mA
410毫瓦齐纳二极管
CZRW55C2V4-G
CZRW55C2V7-G
CZRW55C3V0-G
CZRW55C3V3-G
CZRW55C3V6-G
CZRW55C3V9-G
CZRW55C4V3-G
CZRW55C4V7-G
CZRW55C5V1-G
CZRW55C5V6-G
CZRW55C6V2-G
CZRW55C6V8-G
CZRW55C7V5-G
CZRW55C8V2-G
CZRW55C9V1-G
CZRW55C10-G
CZRW55C11-G
CZRW55C12-G
CZRW55C13-G
CZRW55C15-G
CZRW55C16-G
CZRW55C18-G
CZRW55C20-G
CZRW55C22-G
CZRW55C24-G
CZRW55C27-G
CZRW55C30-G
CZRW55C33-G
CZRW55C36-G
CZRW55C39-G
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
85
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
600
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
100000
75000
50000
25000
15000
10000
5000
5000
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1
1
1
1
1
1
1
1
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
-
134
118
109
100
92
84
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
注意：
1.Tolerance和类型编号标识。列出的类型的数字对的±5％的额定齐纳电压的标准容差。
可用2.Specials包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.Zener电压（ VZ ）的测量。当以90秒为单位计算，同时保持在30℃的铅的温度（ TL ）时，从二极管体保证了齐纳电压。
4.Zener阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自
电流（ IZT或IZK ）被叠加在IZT或IZK 。
5.Surge电流（ IR），不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或正弦波等效电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流， IZT ，根据JEDEC登记波脉冲;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
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CZRW55C2V4 -G通CZRW55C39 -G
8
7
100
温度系数，毫伏/
o
C)
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
温度系数，毫伏/
o
C)
10
1
10
100
NOMINALZENERVOL
TAGE ，伏
额定齐纳电压，电压
典型
反向
当前
1000
1000
动态阻抗，
IZ = 1毫安
正向电流毫安
T
J
=25 C
I
Z(AC)=0.1
I
Z（ DC ）
F = 1千赫
O
100
5毫安
100
20毫安
10
10
150
O
C
75
O
C
25
O
C
5
O
C
1
1
10
作者齐纳电压，电压
100
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
正向电压，伏
典型
FORW ARD VOL TAGE
1.2
1.0
0.8
0.6
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
100
偏压
VZ NOM的50 ％
10
T
A
=25
o
C
功耗瓦
P
D V
.
S
. T
A
0.4
0.2
0
电容，PF
75
100
125
150
25
50
155
1
1
10
额定齐纳电压，电压
100
温度（
o
C)
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CZRW55C2V4 -G通CZRW55C39 -G
100
T
A
=25 C
齐纳电流，马
齐纳电流，马
o
100
T
A
=25
o
C
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
齐纳电压，电压
齐纳电压，电压
齐纳
VOL TAGE V.S.齐纳
当前
1000
漏电流（ A）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
+150 C
O
+25 C
-55 C
80
90
O
O
额定齐纳电压， Vlots
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