表面贴装齐纳二极管
COMCHIP
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CZRT55C4V7直通CZRT55 C39
电压： 2.4 - 39伏
功率： 410毫瓦
特点
平面模具结构
410mW功耗
齐纳电压从2.4V - 39V
非常适合于自动化装配
过程的
SOT-23
.119 (3.0)
.110 (2.8)
.020 (0.5)
顶视图
.056 (1.40)
.047 (1.20
)
3
机械数据
0.006 （ 0.15 ）最高。
.006 (0.15)
.002 (0.05)
案例： SOT -23 ，塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
约。重量： 0.008克
单身
1
2
.037(0.95) .037(0.95)
.020 (0.5)
.020 (0.5)
.103 (2.6)
.086 (2.2)
尺寸英寸（毫米）
CDST4148
最大额定值和电气发育特点
参数
在75 ° C功耗（注一）
峰值正向浪涌电流浪涌， 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注二）
工作结存储温度范围
符号
P
D
I
FSM
T
J
价值
410
2.0
-55到+150
单位
mW
安培
°C
注意事项：
A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.在8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大测量。
MDS0211014A
.044 (1.10)
.035 (0.90)
第1页
表面贴装齐纳二极管
最大额定值和电气发育特点
（ TA = 25° C除非另有说明）V
F
= 1.2V最大值，我
F
= 100mA的电流来所有类型
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额定齐纳电压
产品型号
V
Z
@ I
ZT
喃。 V最小。 V
最大。 V
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
欧姆
mA
Z
ZK
@ I
ZK
欧姆
mA
最大反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
nA
V
典型
温度。
系数
T
C
最大齐纳
当前
I
ZM
@ T
A
mA
410毫瓦齐纳二极管
CZRT55C2V4
CZRT55C2V7
CZRT55C3V0
CZRT55C3V3
CZRT55C3V6
CZRT55C3V9
CZRT55C4V3
CZRT55C4V7
CZRT55C5V1
CZRT55C5V6
CZRT55C6V2
CZRT55C6V8
CZRT55C7V5
CZRT55C8V2
CZRT55C9V1
CZRT55C10
CZRT55C11
CZRT55C12
CZRT55C13
CZRT55C15
CZRT55C16
CZRT55C18
CZRT55C20
CZRT55C22
CZRT55C24
CZRT55C27
CZRT55C30
CZRT55C33
CZRT55C36
CZRT55C39
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
85
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
600
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
100000
75000
50000
25000
15000
10000
5000
5000
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1
1
1
1
1
1
1
2
0.8
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
-0.075
-0.065
-0.06
-0.055
-0.055
-0.05
-0.035
-0.015
0.005
0.02
0.03
0.045
0.05
0.055
0.065
0.07
0.075
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.11
-
134
118
109
100
92
84
76
67
59
54
49
44
40
36
33
30
28
25
23
20
18
17
16
13
12
10
9
9
8
注意：
1.Tolerance和类型编号标识。列出的类型的数字对的±5％的额定齐纳电压的标准容差。
可用2.Specials包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.Zener电压（ VZ ）的测量。当以90秒为单位计算，同时保持在30℃的铅的温度（ TL ）时，从二极管体保证了齐纳电压。
4.Zener阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流稳压的10％的交流电流时，其导致来自
电流（ IZT或IZK ）被叠加在IZT或IZK 。
5.Surge电流（ IR），不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或正弦波等效电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流， IZT ，根据JEDEC登记波脉冲;然而，实际的设备能力是如在图5中描述。
MDS0211014A
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评级和特性曲线（ CZRT55C4V7直通CZRT55C39 ）
8
7
100
温度系数，毫伏/
o
C)
6
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
温度系数，毫伏/
o
C)
10
1
10
100
额定齐纳电压，电压
额定齐纳电压，电压
典型的反向电流
1000
动态阻抗，
W
1000
IZ = 1毫安
正向电流毫安
T
J
=25 C
I
Z(AC)=0.1
I
Z（ DC ）
F = 1千赫
O
100
5毫安
20毫安
100
10
10
150
O
C
75
O
C
25
O
C
5C
O
1
1
10
作者齐纳电压，电压
100
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
正向电压，伏
典型正向电压
1.2
1.0
0.8
0.6
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
100
偏压
VZ NOM的50 ％
10
T
A
=25 C
o
功耗瓦
P
D V
.
S
. T
A
0.4
0.2
0
电容，PF
75
100
125
150
25
50
155
1
1
10
额定齐纳电压，电压
100
温度（
o
C)
MDS0211014A
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评级和特性曲线（ CZRT55C4V7直通CZRT55C39 ）
100
T
A
=25
o
C
齐纳电流，马
齐纳电流，马
100
T
A
=25
o
C
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
齐纳电压，电压
齐纳电压，电压
齐纳电压V.S.齐纳电流
1000
漏电流（
m
A)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
+150
O
C
+25
O
C
-55 C
80
90
O
额定齐纳电压， Vlots
MDS0211014A
第4页
QQ：2881677436 复制
