CYM8210BPM
2M ×16静态RAM模块
特点
高密度的32兆位的SRAM模块
低有功功率
- 5.3W （最大） ，在25毫微秒
SMD技术
TTL兼容的输入和输出
低调
- 最大。在0.725的高度。
提供80引脚SIMM套餐
在SOJ封装采用8 512K ×8静态存储器（ CY62148 ） structed
年龄安装在环氧树脂层压板引脚。
写入到每个字节是通过使所述批完成
吃了片选（ E0，E1 ，E2，E3 ）和写允许（WH ，WL型） 。
上的输入/输出管脚（ I / O）数据被写入到MEM-
在地址引脚指定的储器的位置（A
0
至A
17
).
阅读该设备通过采取适当的实现
芯片选择（ E0，E1 ，E2，E3 ）低而写使能（WE ）
仍然很高。的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定的存储器位置上会出现
的数据输入/输出管脚（ I / O） 。
的数据输入/输出管脚停留在高阻抗状态
当写使能为低或相应的片选
高。
该CYM8210模块发货作为一个80针的SIMM 。
功能说明
该CYM8210是一个高性能的8兆的静态RAM
模块由16位组织为2M的话。该模块所配置
逻辑框图
A
0
–A
17
G
WH
WL
512K ×8
SRAM
I / O
0
- I / O
7
512K ×8
SRAM
I / O
8
- I / O
15
18
8
8
E0
512K ×8
SRAM
E1
512K ×8
SRAM
E2
512K ×8
SRAM
E3
8210 –1
8
I / O
0
- I / O
7
512K ×8
SRAM
8
I / O
8
- I / O
15
8
I / O
0
- I / O
7
512K ×8
SRAM
8
I / O
8
- I / O
15
8
I / O
0
- I / O
7
512K ×8
SRAM
8
I / O
8
- I / O
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05008牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年4月26日
CYM8210BPM
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
–
55 ° C至+ 125°C
环境温度与
电源的应用
–
10 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位
–
0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
–
0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
–
0.5V至+ 7.0V
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
CYM8210-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CS电源 -
断电流
[1]
自动CS电源 -
断电流
[1]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
CS < V
IL
最大。 V
CC
， CS > V
IH
,
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
， CS > V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
158
120
150
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
60
50
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1481
3.0V
90%
GND
＆ LT ; 5纳秒
8210–4
所有的输入脉冲
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
8210–5
10%
(a)
(b)
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
注意事项：
1.上拉电阻到V
CC
在E3 / E2 / E1 / E0输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
2.测试以抽样方式。
文件编号： 38-05008牧师**
第3页8
CYM8210BPM
开关特性
在整个工作范围
[3]
70纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCS
t
HZCS
t
PD
写周期
[6]
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
E3 / E2 / E1 / E0低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WH / WL脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WH / WL高到低Z
WH / WL低到高Z
[5]
70
60
60
0
0
55
25
0
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
E3 / E2 / E1 / E0低到数据有效
G低到数据有效
G低到低Z
摹高到高阻
E3 / E2 / E1 / E0低到低Z
[4]
E3 / E2 / E1 / E0高到高阻
[4, 5]
E3 / E2 / E1 / E0 HIGH到掉电
10
25
70
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
3.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCS
小于吨
LZCS
对于任何给定的设备。这些参数由设计保证，而不是100 ％测试。
5. t
HZCS
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.存储器的内部写入时间由E3 / E2 / E1 / E0的LOW和WH / WL低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05008牧师**
第4页8
CYM8210BPM
开关波形
读周期1号
[7, 8]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
1841A–6
读周期2号
[7, 9]
E3/E2/E1/E0
t
ACS
G
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
数据输出
t
LZCS
数据有效
8210–7
t
RC
t
HZOE
t
HZCS
高
阻抗
写周期号1 （我们控制）
[6]
t
WC
地址
t
SCS
E3/E2/E1/E0
t
AW
t
SA
WH / WL
t
SD
DATA IN
数据有效
t
HZWE
数据输出
数据中，未定义
8210–8
t
HA
t
PWE
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项：
7. WH / WL为高电平读周期。
8.设备不断选择， E3 / E2 / E1 / E0 = V
IL
和G = V
IL
.
9.地址有效之前或重合E3 / E2 / E1 / E0变为低电平。
文件编号： 38-05008牧师**
第5页8
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