初步
CYM74P435
512K二级缓存扩展模块
特点
512K高速缓存模块，支持扩展缓存能力
与存在同步的配置和
配置检测引脚
66 MHz工作频率
采用高性能的同步SRAM
160位的Burndy DIMM CELP2X80SC3Z48
连接器
3.3V兼容输入/输出数据
该CYM74P435是一个512 KB的模块，通过组织成64K
64位与支持3-1-1-1读2 32Kx8标签RAMS
和4-2-2-2写周期，在CPU总线速度高达66 MHz的。
同步模块可与低成本同步的
理性流水线的RAM 。同步流水线模块
是基于一个64K ×32的RAM。多个接地引脚和
板上去耦电容确保高性能
最大的抗噪声能力。
在高速缓存模块的所有元件均为表面安装
多层环氧树脂层压板（ FR-4）底物。接触
销镀有覆盖150微英寸的镍
10微英寸镀金的。
功能说明
该系列的二级缓存模块是专为英特尔
P54C系统与82430FX （海卫）芯片组。
逻辑框图 - CYM74P435
WE
A(18:5)
32Kx8
TWE
A[18:5]
GND
GND
CE
OE
D[63:0]
D
D[31:0]
A[18:3]
A
ADSP
ADSC
ADV
CE
OE
WE0/1
CLK0
CCS
COE
CWE [7：0 ]
A
ADSP
ADSC
ADV
CE
OE
WE2/3
D
D[63:32]
WE
GND
GND
CE
OE
TIO [7：0 ]
TIO [10：8 ]
ADSP
ADSC
ADV
Intel是Intel Corporation的注册商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05007牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年4月25日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度-55 ° C至+ 125°C
环境温度
与电源应用-0 ° C至+ 70°C
3.3V电源电压对地电位-0.5V至+ 5.25V
5V电源电压对地电位-0.5V至+ 5.25V
直流电压应用到输出的
在高Z状态-0.5V至+ 4.6V
直流输入电压-0.5V至+ 4.6V
CYM74P435
输出电流为输出（ LOW ） 20毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
TURE
0℃至
+70°C
V
CC
3.3V
±
10%
V
CCQ
3.3V/2.5V
+/- 10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
(74P435)
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
V
CC
工作电源电流
测试条件
分钟。
2.2
–0.3
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
0.4
1400
单位
V
V
V
V
mA
V
CC
=最小值。我
OH
=
4
mA
V
CC
=最小值。我
OL
= 8毫安
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
2.4
订购信息
速度
（兆赫）
66
订购代码
CYM74P435CPM-66C
包
名字
PM49
套餐类型
160针双读出S（ D） IMM
描述
同步流水线512 KB
操作
范围
广告
包图
160针双读出S（ D） IMM PM49
文件编号： 38-05007牧师**
分页： 5 6
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