1CYM1481A
CYM1481A
2048K ×8 SRAM模块
特点
高密度的16兆位的SRAM模块
高速CMOS SRAM的
- 访问70纳秒的时间
低有功功率
- （最大） 605毫瓦， 2M ×8
双面贴片技术
TTL兼容的输入和输出
占地面积小SIP
- PCB布局的0.72平方米面积。
2V数据保留（L版）
从四个512K ×8 SRAM的塑料外加构造
表面安装的环氧层压板引脚封装。
板载解码选择从静态存储器中的一个
高位地址线，保持在剩余的设备
待机模式下功耗降至最低。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当MS和WE输入
有八个数据输入都为低，数据输入/输出引脚的令状
10插入地址引脚指定的存储单元。
读出装置通过选择装置来实现
并且使输出MS和OE低电平有效，而我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下，内容
上的地址寻址的信息的位置的
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该模块被选择时，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
功能说明
该CYM1481A是一款高性能的16兆的静态RAM
模块由8位， 2048K的话。这些模块
逻辑框图
A
0
–A
18
19
引脚配置
SIP
A
19
V
CC
WE
I / O
2
I / O
3
I / O
0
A
1
A
2
A
3
A
4
GND
I / O
5
A
10
A
11
A
5
A
13
A
14
A
20
MS
A
15
A
16
A
12
A
18
A
6
I / O
1
GND
A
0
A
7
A
8
A
9
I / O
7
I / O
4
I / O
6
A
17
I / O
0
-I / O
7
V
CC
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
顶视图
512K ×8
SRAM
OE
WE
A
19
–A
20
2
1 4
解码器
512K ×8
SRAM
MS
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
8
1481-1
/
选购指南
CYM1481A
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
70
110
64
85
110
64
100
110
64
120
110
64
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
1990年10月 - 修订2001年4月16日
CYM1481A
交流测试负载和波形
R1 2530
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
2830
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
2830
R1 2530
3.0V
90%
GND
＆ LT ; 10纳秒
10%
90%
10%
＆ LT ; 10纳秒
所有的输入脉冲
(a)
相当于：
产量
1481-2
(b)
1481-3
1481-4
戴维南等效
1340
2.64V
开关特性
在整个工作范围
[2]
1481A-70
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
AMS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZMS
t
HZMS
t
WC
t
短信
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
MS低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[3]
MS低到低Z
[4]
MS高到高阻
[3, 4]
写周期时间
MS低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[3]
WE高到低Z
5
70
65
65
5
0
65
30
0
30
5
5
30
85
75
75
7
5
65
35
5
30
5
5
30
10
30
100
90
90
7
5
75
40
5
35
5
5
70
40
5
30
10
35
120
100
100
7
5
85
45
5
40
70
70
10
85
45
5
35
10
45
85
85
10
100
50
5
45
100
100
10
120
60
120
120
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1481A–85
分钟。
马克斯。
1481A–100
分钟。
马克斯。
1481A–120
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[5]
注意事项：
2.测试条件假设的10信号转换时间
s
以下，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ， 1个TTL负载输出负载，并
100 - pF负载电容。
3. t
HZOE
, t
HZMS
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZMS
小于吨
LZMS
对于任何给定的设备。这些参数都保证，而不是100 ％测试。
5.存储器的内部写入时间由MS低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
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