64
CYM1464
512Kx8静态RAM模块
特点
高密度的4兆位的SRAM模块
高速CMOS SRAM的
- 访问20纳秒的时间
低有功功率
- 1.93W （最大）
JEDEC兼容的引脚排列
32引脚， 0.6英寸宽DIP封装
TTL兼容的输入和输出
低调
- 最大。 0.34英寸高度
采用四256K ×4的静态RAM，在SOJ封装构造
安装有销环氧层压基板上。
写入模块来完成，当芯片选择
（CS）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
8输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）该装置时写入
10插入地址引脚指定的存储器位置（一
0
至A
18
） 。读出装置被以完成
片选和输出使能（ OE ）较低，而写使能
（ WE）保持非活动状态还是很高的。在这些条件下，该
内存位置的内容上的地址引脚指定
(A
0
至A
18
）将出现在8适当数据IN-
把/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
).
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该模块被选择时，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
功能说明
该CYM1464是一款高性能的4兆的静态RAM
模块由8位， 512K字。这个模块是
逻辑框图
A
0
A
17
WE
OE
256K ×4
SRAM
256K ×4
SRAM
引脚配置
DIP
顶视图
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
0
I / O
7
1
S
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
18
CS
1 2
解码器
256K ×4
SRAM
256K ×4
SRAM
V
CC
A
15
A
17
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
选购指南
1464-20
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
20
350
240
1464-22
22
350
240
1464-25
25
1464-30
30
300
240
1464-35
35
1464-45
45
300
240
1464-55
55
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05272牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年3月15日
CYM1464
最大额定值
（以上其中有用寿命可能会受到影响。 ）
储存温度
..................................... 55°C
至+ 125°C
环境温度与
电源应用................................................ ....
10°C
至+ 85°C
电源电压对地电位
.................0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................0.5V
至+ 7.0V
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
1464-20, 22, 25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
V
CC
工作电源
当前
自动CS
掉电电流
自动CS
掉电电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
CS < V
IL
V
CC
=最大值， CS > V
IH ，
分钟。占空比= 100 ％
V
CC
=最大值， CS > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
输出漏电流接地< V
0
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
10
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+10
+10
350
240
60
2.2
0.5
10
10
马克斯。
1464-30, 35, 45, 55
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+10
+10
300
240
60
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
40
30
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1481
3.0V
90%
GND
＆ LT ; 5纳秒
10%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
所有的输入脉冲
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
(b)
注意事项：
1. V
IL
（分钟） =
3.0V在脉冲宽度小于20纳秒。
2.测试以抽样方式。
文件编号： 38-05272牧师**
第2页8
CYM1464
开关特性
在整个工作范围
[3]
1464-20
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCS
t
HZCS
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CS低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CS低到低Z
CS高到高阻
[4]
写周期时间
CS为低电平写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高Z
[4]
0
0
5
0
20
15
15
3
5
15
12
2
0
15
[3]
1464-22
分钟。
22
马克斯。
1464-25
分钟。
25
马克斯。
1464-30
分钟。
30
马克斯。
单位
ns
30
5
30
15
0
0
10
0
30
25
25
3
5
20
15
2
0
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
ns
描述
分钟。
20
马克斯。
20
5
20
13
0
10
15
0
5
0
22
17
15
3
5
15
12
2
0
5
22
5
22
13
0
10
15
0
5
0
25
20
20
3
5
15
15
2
0
15
25
25
15
10
15
写周期
[5]
15
开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCS
t
HZCS
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CS低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CS低到低Z
CS高到高阻
[4]
描述
1464-35
分钟。
35
35
5
35
20
0
0
10
0
20
15
0
0
5
马克斯。
1464-45
分钟。
45
45
5
45
25
0
15
20
0
马克斯。
1464-55
分钟。
55
55
55
30
15
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
0
10
0
注意事项：
3.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
4. t
HZCS
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
5.内存的内部写入时间由CS低和WE低的重叠定义。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05272牧师**
第3页8
CYM1464
开关波形
（续）
写周期号1 （我们控制）
[5]
t
WC
地址
t
SCS
CS
t
AW
t
SA
WE
t
SD
DATAIN
数据有效
t
HZWE
DATAI / O
数据中，未定义
t
LZWE
高阻抗
t
HD
t
PWE
t
HA
写周期2号（ CS控制）
[5,9]
t
WC
地址
t
SA
CS
t
AW
WE
t
PWE
t
SD
DATAIN
数据有效
t
HZWE
DATAI / O
高阻抗
数据中，未定义
t
HD
t
HA
t
SCS
注意：
9.如果CS变为同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05272牧师**
第5页8
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