CYK256K16MCCB
MoBL3
4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM
特点
宽电压范围： 2.70V - 3.30V
访问时间： 55 ns的， 60纳秒70纳秒
超低有功功率
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
超低待机功耗
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供的48球BGA封装
可置于待机模式时，取消（ CE高或
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个
高字节使能和低字节使能禁用（ BHE ，
BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE
低） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE LOW ）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE LOW）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）是
低电平，然后从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。参见真值表的读出一个完整的描述
写模式。
功能说明
[1]
该CYK256K16MCCB是一个高性能的CMOS伪
由16位支持组织成256K字的静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
BHE
BLE
CE
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考CY应用笔记
系统设计指南
在http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05585牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年10月18日
[+ ]反馈
CYK256K16MCCB
MoBL3
引脚配置
[2, 3, 4]
VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
14
A
12
A
9
A
8
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CYK256K16MCCB
分钟。
2.70
典型值。
[5]
3.0
马克斯。
3.30
速度
（纳秒）
55
60
70
8
15
F = 1MHz的
典型值。
[5]
1
马克斯。
5
f = f
最大
典型值。
[5]
14
马克斯。
22
待我
SB2
(A)
典型值。
[5]
17
马克斯。
40
注意事项：
2.球H1， G2和球H6为VFBGA封装可用于升级到8兆位， 16兆位和32兆位密度。
3. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
4. DNU （不使用）引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05585牧师* F
第10 2
[+ ]反馈
CYK256K16MCCB
MoBL3
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................ -0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7, 8]
....................................... -0.4V至3.7V
直流输入电压
[6, 7, 8]
....................................- 0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V到3.30V
电气特性
在整个工作范围
CYK256K16MCCB -55 ， 60 ， 70
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
输出低
电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=
V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.70V
0.8 * VCC
–0.4
–1
–1
14 -55
14 -60
8 -70
150
测试条件
分钟。
2.7
V
CC
– 0.4
0.4
V
CC
+ 0.4V
0.6
+1
+1
22 -55
22 -60
15 -70
250
典型值。
[5]
3.0
马克斯。
3.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
1所有速度为5所有速度
mA
A
CE > V
CC
0.2V
V
CC
= 3.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
＆ LT ;
0.2V ）， F = F
最大
（地址
和仅数据）中，f = 0
（ OE ， WE ， BHE和
BLE ） ，V
CC
= 3.30V
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.30V
V
CC
= 3.3V
I
SB2
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
17
40
A
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51 。
BGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
6. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
8.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05585牧师* F
第10 3
[+ ]反馈
CYK256K16MCCB
MoBL3
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
Equivalentto ：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
单位
V
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
开关特性
在整个工作范围
[10]
55纳秒
[14]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK[14]
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
55
45
45
0
0
40
60
45
45
0
0
40
70
60
55
0
0
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11, 13]
OE高到高Z
[11, 13]
CE低到低Z
[11, 13]
CE高到高阻
[11, 13]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
地址偏移
[11, 13]
60纳秒
分钟。
60
马克斯。
70纳秒
分钟。
70
60
70
10
60
25
70
35
5
25
25
5
25
60
25
70
5
10
5
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
55
马克斯。
55
5
55
25
5
25
2
25
55
5
10
0
5
2
5
8
BLE / BHE高到高阻
[11, 13]
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
为0V到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
13.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
是满足的时候，地址是
稳定之前，片选去激活。为70纳秒的周期中，地址必须在读取周期开始后在10纳秒的稳定。
文件编号： 38-05585牧师* F
第10 4
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
