CYK128K16SCCB
2兆位（ 128K ×16 ）伪静态RAM
特点
先进的低功耗的MoBL
架构
高速： 55纳秒， 70纳秒
宽电压范围： 2.7V至3.3V
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
低待机功耗
自动断电时取消
功能说明
[1]
该CYK128K16SCCB是一个高性能的CMOS伪
16位组织为128K字的静态RAM （ PSRAM ）的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。该
装置可被置于待机模式，从而减少功率
取消时消耗显着（ CE
1
低，CE
2
高或都BHE和BLE的高） 。在输入/输出引脚
（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
当芯片被取消（ CE
1
高，CE
2
LOW ）或OE是
去断言为高电平） ，或在写操作期间（芯片使能
和写使能WE低）。从设备读取的
通过认定的芯片来完成启用（ CE
1
低，
CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
对于一个完整的描述的真值表的读写
模式。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
BHE
BLE
CE
2
CE
1
CE
2
CE
1
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
POW
-
唐氏儿
电路
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05525牧师* F
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月26日
CYK128K16SCCB
引脚配置
[2, 3, 4]
48Ball VFBGA
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
顶视图
4
3
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
功耗
V
CC
范围
(V)
产品
CYK128K16SCCB
分钟。
2.7
典型值。
3.0
马克斯。
3.3
工作，我
CC
（MA ）
速度
（纳秒）
55
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1
马克斯。
5
f = f
最大
典型值。
[5]
14
8
马克斯。
22
15
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
9
马克斯。
40
注意：
2.球D3 ， H1 ， G2 ， H6是地址引脚扩展为4兆，8兆， 16兆和32兆密度分别。
3. NC“无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
4. DNU （不使用）的引脚都被悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值）和T
A
= 25C.
文件编号： 38-05525牧师* F
第10 2
CYK128K16SCCB
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................
0.4V
到4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7, 8]
.......................................
0.4V
至3.3V
直流输入电压
[6, 7, 8]
...................................
0.4V
至3.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
环境
温度（T
A
)
V
CC
产业
25
°
C至+ 85
°
C
2.7V至3.3V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CYK128K16SCCB-55
参数。
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高电压I
OH
=
0.1
mA
输出低电压I
OL
- 0.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
f=0
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.3V,
I
OUT
= 0毫安，
F = 1 MHz的
CMOS电平
0.8 *
V
CC
0.4
1
1
14
1
40
测试条件
分钟。
2.7
V
CC
–
0.4
0.4
V
CC
+
0.4
0.4
+1
+1
22
5
250
0.8 *
V
CC
0.4
1
1
8
1
40
典型值。
[5]
3.0
马克斯。
3.3
CYK128K16SCCB-70
分钟。
2.7
V
CC
–
0.4
0.4
V
CC
+
0.4
0.4
+1
+1
15
5
250
A
典型值。
[5]
马克斯。
3.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
-CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
V
CC
= 3.3V
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
=3.3V
-CMOS输入
I
SB2
9
40
9
40
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
θ
JA
θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51 。
VFBGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
9.初步测试后设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05525牧师* F
第10 3
CYK128K16SCCB
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
CYK128K16SCCB-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK[14]
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
55
45
45
0
0
70
55
55
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11, 12]
OE高到高Z
[11, 12]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[11, 12]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[11, 12]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11, 12]
BLE / BHE高来高-Z
[11, 12]
地址偏移
5
10
0
5
25
55
5
25
10
5
25
5
25
70
5
55
25
5
25
55
[14]
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CYK128K16SCCB-70
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
10.测试条件假设1 V / ns的或更高的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC （典型值） ，
和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF的电容负载
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和T
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
13.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动开始写
任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿即
结束写入。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应该是芯片使能控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
纳当地址
稳定之前，片选去激活。为70纳秒的周期中，地址必须在读取周期开始后在10纳秒的稳定。
文件编号： 38-05525牧师* F
第10 4
QQ：2881677436 复制
