CYK001M16ZCCA
MoBL3
16兆位（ 1M ×16 ）伪静态RAM
特点
宽电压范围： 2.70V - 3.30V
存取时间： 55纳秒， 70纳秒
超低有功功率
- 典型工作电流：3毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 13毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
深度睡眠模式
提供的48球BGA封装
（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
时：取消选择（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
低和WE低）。
写设备通过发出芯片完成
使能（ CE）和写使能（ WE）输入低。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
） ，被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备中读取被断言芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）输入为低电平，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）是
低电平，然后从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。参见真值表的读出一个完整的描述
写模式。
该器件集成了一个低功耗模式，其中数据
完整性得不到保证，但功耗降低
至小于100
W.
这种模式（深度睡眠模式）已启用
通过驱动ZZ low.See真值表一个完整的
中读取的描述，写和深度休眠模式。
功能说明
该CYK001M16ZCCAU是一个高性能的CMOS
16位组织为1M字的伪静态RAM
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。这是理想的提供更多的电池Life （的MoBL
)
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。该
设备可置于待机模式时，取消（ CE
高或都BHE和BLE的高） 。在输入/输出引脚
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1M × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
掉电
电路
ZZ
BHE
BLE
CE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05454牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年5月15日
CYK001M16ZCCA
MoBL3
引脚配置
[2, 3, 4]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
ZZ
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
GND
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
[5]
功耗
产品
分钟。
CYK001M16ZCCAU
2.70
V
CC
范围（V ）
典型值。
[5]
3.0
马克斯。
3.30
55
70
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值。
[5]
3
马克斯。
5
f = f
最大
典型值。
[5]
13
马克斯。
22
17
待我
SB2
(A)
典型值。
[5]
80
马克斯。
150
注意事项：
2. DNU引脚必须悬空。
3.球H6可用于升级到32M密度。
4. NC“无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05454牧师* B
第11 2
CYK001M16ZCCA
MoBL3
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................. -0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[6, 7, 8]
........................................- 0.4V至3.7V
直流输入电压
[6, 7, 8]
.....................................- 0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CYK001M16ZCCA
范围
产业
环境温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V到3.30V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CYK001M16ZCCAU-
55
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
=
V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS
水平
I
OH
= --0.1毫安
I
OL
= 0.1毫安
V
CC
= 2.7V至3.3V
0.8 *
V
CC
–0.4
–1
–1
13
3
测试条件
分钟。
2.7
V
CC
– 0.4
0.4
V
CC
+
0.4V
0.4
+1
+1
22
5
0.8 *
V
CC
-0.4
–1
–1
13
3
典型值。
[5]
3.0
马克斯。
3.3
CYK001M16ZCCAU-
70
分钟。
2.7
V
CC
– 0.4
0.4
V
CC
+
0.4V
0.4
+1
+1
17
5
典型值。
[5]
马克斯。
3.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
V
CC
= 3.3V
CE > V
CC
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V,
V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址及
仅数据）
F = 0 （ OE ， WE ， BHE
和BLE ） ，V
CC
= 3.30V
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.30V
V
CC
= V
CCmax
; ZZ =
低
V
CC
= 3.3V
100
525
100
525
A
I
SB2
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
深度睡眠
当前
80
150
80
150
A
I
ZZ
50
50
A
注意事项：
6. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= Vcc的+ 0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
文件编号： 38-05454牧师* B
第11 3
CYK001M16ZCCA
MoBL3
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗，每环评手续
/ JESD51 。
BGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
注意：
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05454牧师* B
第11 4
CYK001M16ZCCA
MoBL3
开关特性
在整个工作范围
[10, 11, 12, 13, 14]
55纳秒
[14]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK[14]
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 13]
70纳秒
分钟。
70
55
70
5
55
25
70
35
5
25
25
5
25
55
25
70
5
10
0
25
10
70
60
60
0
0
45
60
45
0
25
25
5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11, 13]
OE高到高Z
[11, 13]
CE低到低Z
[11, 13]
CE高到高阻
[11, 13]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11, 13]
BLE / BHE高到高阻
[11, 13]
地址偏移
分钟。
55
[14]
5
马克斯。
5
2
5
55
45
45
0
0
40
50
25
0
5
我们前高后低-Z
[11, 13]
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
为0V到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
13.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
是满足的时候，地址是
稳定之前，片选去激活。为70纳秒的周期中，地址必须在读取周期开始后在10纳秒的稳定
文件编号： 38-05454牧师* B
第11个5
QQ：2880707522 复制
