CYIS1SM0250-AA
CYIS1SM0250 -AA STAR250 250K像素
辐射硬CMOS图像传感器
特点
该STAR250传感器是CMOS有源像素传感器，
专为光学星间链路束应用
跟踪器。该STAR250是更广范围的应用程序的一部分
如空基系统，如阳光感应和明星
跟踪。它具有512 ×512像素的25
m
音调，在芯片上
固定模式噪声（ FPN ）校正，可编程增益
放大器和一个10位ADC 。灵活的操作（多
窗口，子采样）可以通过直接寻址的X轴
和Y注册。
该传感器具有出色的耐辐射是
通过使用专有技术的修改和观察
设计技术。两个版本的传感器可供选择，
STAR250和STAR250BK7 。 STAR250有一个石英玻璃盖
和空气的空腔。该STAR250BK7有BK7G18玻璃
盖带防反射涂层。该空腔填充有N
2
提高温度操作范围。
主要特点
参数
光学格式
有效像素
像素尺寸
快门式
最大数据速率/
主时钟
帧率
ADC的分辨率
灵敏度
动态范围
kTC噪声
暗电流
电源电压
工作温度
典型的价值
1英寸
512 x 512
25
m
电子
8兆赫
截至30全帧/秒
10位
3340 V.m
2
/W.s
74分贝（ 5000 ： 1）
76 e
-
4750 e
-
在RT /秒
5V
0 °C - + 65 ° C（ STAR250 ）
-40°C - + 85°C （ STAR250BK7 ）
伽马总剂量
耐辐射
增加平均暗电流
< 1 NA /厘米
2
3兆拉德后
暗信号图像操作
< 1V /秒后， 10毫拉德
证明（钴60 ）
主要特点
（续）
参数
质子放射
公差
SEL阈值
彩色滤波器阵列
包装
耗电量
典型的价值
像素的1％具有增加
暗电流> 1 NA /厘米
2
后
3 * 10 ^ 10质子11.7兆电子伏
> 80兆电子伏特厘米
3
mg
-1
单声道
84引脚JLCC
< 350毫瓦
应用
卫星
航天器监控
核查
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05713牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年12月12日
[+ ]反馈
CYIS1SM0250-AA
表2光电规格
（续）
参数
FPN （固定模式噪声）
PRNU （组图回应
的非均匀性）
平均暗电流
信号
DSNU （暗信号非
均匀性）
MTF
光学串扰
抗晕能力
输出放大器增益器
窗口
电子快门范围
ADC
ADC线性度
失码
ADC建立时间
ADC的延迟时间
功耗
规格（所有典型值）
满井1 < 0.1 ％
（典型值）
本地：响应1 = 0.39 ％
全球：响应1 = 1.3 ％
4750 e
-
/s
3805 e
-
/ s的RMS
水平： 0.36
垂直： 0.39
5 ％ （ TBC）到最近的邻居，如果中央
像素均匀照明
X 1000 X 100 000
1，2， 4或8个
X和Y 9位可编程移
注册
1: 512
10位
± 3.5计数
无
310纳秒
125纳秒
< 350毫瓦
平均频率为8 MHz像素速率
为了达到99 ％的终值
INL
由2位控制
指示每个窗口的左上像素
积分时间是时间变量的步骤等于行
读出时间
评论
测得的局部，在中央图像区域的像素的50％ ，在
黑暗
衡量中央图像区域的像素为50 ％ ，在QSAT / 2
在室温
在室温下，线性扩展与积分时间
在600nm处。
文件编号： 38-05713牧师* B
第24 3
[+ ]反馈
CYIS1SM0250-AA
CYIS1SM0250 -AA STAR250 250K像素
辐射硬CMOS图像传感器
概观
该STAR250传感器是CMOS有源像素传感器，其设计
在光学星间链路波束跟踪器的应用程序。该
STAR250是更广泛的应用范围，包括一部分
空基系统，如阳光感应和星跟踪。它
拥有512× 512像素的25
μm
球场上，在芯片上固定
图形噪声（ FPN ）校正，可编程增益放大器，
和一个10位ADC 。灵活的操作（多窗口，
二次抽样）能够通过直接寻址的X和Y的
寄存器。
该传感器具有出色的耐辐射是
采用专有技术的改进和设计观察
技术。提供两个版本的传感器， STAR250
和STAR250BK7 。 STAR250有一个石英玻璃盖和空气的
腔。该STAR250BK7具有抗一BK7G18玻璃盖
反射涂层。该空腔填充有N
2
增加
工作温度范围。
特点
（续）
典型的价值
增加平均暗电流
< 1 NA /厘米
2
3兆拉德后
暗信号图像操作
< 1V /秒后， 10毫拉德demon-
strated （钴60 ）
参数
伽马总剂量
耐辐射
质子放射
公差
SEL阈值
彩色滤波器阵列
包装
耗电量
像素的1％具有增加
暗电流> 1 NA /厘米
2
后
3 * 10 ^ 10质子11.7兆电子伏
> 80兆电子伏特厘米
3
mg
-1
单声道
84引脚JLCC
< 350毫瓦
特点
参数
光学格式
有效像素
像素尺寸
快门式
最大数据速率/
主时钟
帧率
ADC的分辨率
灵敏度
动态范围
kTC噪声
暗电流
电源电压
工作温度
1英寸
512 x 512
25
μm
电子
8兆赫
截至30全帧/秒
10位
3340 V.m
2
/W.s
74分贝（ 5000 ： 1）
76 e
-
4750 e
-
在RT /秒
5V
0 °C - + 65 ° C（ STAR250 ）
-40°C - + 85°C （ STAR250BK7 ）
典型的价值
应用
■
■
■
卫星
航天器监控
核查
市场型号
CYIS1SM0250AA-HHC
CYIS1SM0250AA-HHCS
CYIS1SM0250AA-HQC
CYIS1SM0250AA-HWC
CYIS1SM0250-EVAL
描述
单声道与BK7G18玻璃
单声道与BK7G18玻璃，航天合格
单用石英熔融石英玻璃
单声道无玻璃
单演示套件
包
84针JLCC
演示套件
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05713牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年9月18日
[+ ]反馈
CYIS1SM0250-AA
特定网络阳离子
表1.一般规格
参数
像素架构
像素尺寸
决议
像素率
快门式
帧率
扩展动态范围
可编程增益
电源电压VDD
工作温度
范围
包
表2光电规格
参数
检测技术
像素结构
光电二极管
敏感区的格式
像素尺寸
光谱范围
量子效率X补充
因素
全井产能
线性范围在± 1 ％
输出信号摆幅
转换增益
瞬时噪声
动态范围
FPN （固定模式噪声）
PRNU （组图回应
的非均匀性）
平均暗电流
信号
DSNU （暗信号非
均匀性）
MTF
光学串扰
规格（典型值）
CMOS有源像素传感器
3晶体管有源像素
4二极管的每个像素
高填充因子光电二极管
512 ×512像素
25 x 25
μm
2
200 - 1000纳米
马克斯。 35 ％
311K电子
128K电子
1.68 V
5.7
μV / E
-
76
e
-
74分贝（ 5000 ： 1）
满井1 < 0.1 ％
（典型值）
本地：响应1 = 0.39 ％
全球：响应1 = 1.3 ％
4750 e
-
/s
3805 e
-
/ s的RMS
水平： 0.36
垂直： 0.39
5 ％ （ TBC）到最近的邻居，如果中央
像素均匀照明
SEE
图1
和
图2
上面450和750纳米之间的20％
（注：金属填充因子（ MFF ）为63 ％ ）
当输出放大器增益= 1
当输出放大器增益= 1
当输出放大器增益= 1
当输出放大器增益= 1附近的黑暗
由占主导地位的kTC
在模拟输出
测得的局部，在中央图像区域的像素的50％ ，在
黑暗
衡量中央图像区域的像素为50 ％ ，在QSAT / 2
在室温
在室温下，线性扩展与积分时间
在600nm处。
耐辐射像素设计
4光电二极管用于改善MTF
评论
规范
3晶体管有源像素
4二极管的每个像素
25 x 25
μm
2
512 ×512像素
8 MPS
电子
29全帧/秒
双坡
为x1，x2 ， X4，X8之间编程
5V
0°C - +65°C
-40°C - +85°C
84引脚JLCC
STAR250 （石英玻璃盖，空气腔）
STAR250BK7 （ BK7G18玻璃盖，N
2
在腔体）
选择通过引脚G0和G1
积分时间是可变的时候，步骤等于行
读出时间
备注
耐辐射像素设计
4光电二极管用于改善MTF
文件编号： 38-05713牧师* C
第21 2
[+ ]反馈
CYIS1SM0250-AA
电气规格
绝对最大额定值
绝对的收视率都超过了损坏，可能会出现该设备的价值。
表3.绝对最大额定值STAR250
特征
民
任何电源电压
对任何输入端电压
工作温度
储存温度
传感器的焊接温度
-0.5
-0.5
0
-10
NA
范围
最大
+7
VDD + 0.5
+60
+60
125
V
V
°C
°C
°C
手工焊接而已。该传感器的temper-
焊接时ATURE不应超过此
极限。
单位
备注
表4.绝对最大额定值STAR250BK7
特征
民
任何电源电压
对任何输入端电压
工作温度
储存温度
传感器的焊接温度
-0.5
-0.5
-40
-40
-40
NA
范围
最大
+7
VDD + 0.5
+85
+85
+120
125
V
V
°C
°C
°C
°C
最大1小时
手工焊接而已。该传感器的temper-
焊接时ATURE不应超过此
极限。
单位
备注
表5.耐辐射
参数
伽马总剂量辐射
公差
3兆拉德
暗信号< 1V / s的图像操作
质子放射耐受
SEL阈值
像素的1％具有增加暗电流> 1
NA /厘米
2
经过3 * 10 ^ 10质子11.7兆电子伏
> 80兆电子伏特厘米
3
mg
-1
10毫拉德证明（钴60 ）
SEE
图4
待确认
暗信号< 1V / s的24毫拉德证明单（检验）像素操作（钴60 ）
准则
增加平均暗电流< 1 NA /厘米
2
后
资质等级
SEE
图4
文件编号： 38-05713牧师* C
第21 5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
