CY7C419 / 21 /25 /三万三千二百五十六分之二十九/ 512 / 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
异步先入先出（FIFO ）缓冲存储器
256× 9 （ CY7C419 ）
512× 9 （ CY7C421 ）
1K ×9 （ CY7C425 ）
2K ×9 （ CY7C429 ）
4K ×9 （ CY7C433 ）
双端口RAM单元
高速50.0 - MHz读/写无关
深度/宽度
低工作功耗：我
CC
= 35毫安
空和满标志（半满标志单机）
TTL兼容
重传在独立
可扩展的宽度
PLCC ，为7x7 TQFP ， SOJ ， 300万和600万DIP
无铅封装
引脚兼容，功能上等同于IDT7200 ，
IDT7201 ， IDT7202 ， IDT7203 ， IDT7204 ， AM7200 ， AM7201 ，
AM7202 ， AM7203 ， AM7204和
600密耳宽，300密耳全包。他们是， respec-
疑心， 256 ， 512 ， 1024 ， 2048 ，和4096的话通过9位宽。
每个FIFO存储器被组织，以使数据被读入
同样的顺序，这是书面。满和空
设置标志，以防止溢出和下溢。三
还提供了额外的引脚，方便无限
扩张的宽度，深度，或两者兼而有之。深度扩张
技术拨转控制信号从一个设备到
另一个平行，从而消除了串行加法的
的传播延迟，使得吞吐量没有降低。数据
转向以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每
可发生于50.0兆赫的速率。发生写操作
当写（W）的信号为LOW 。阅读时出现读取（ R）
变低。这九个数据输出到高阻抗
状态当R为高。
阿半满（ HF）的输出标记提供了一种可有效的
独立和宽度扩展配置。在深度
扩展配置，该引脚提供了扩张
这是用来告诉下FIFO中，这将是（XO）信息
激活。
在独立和宽度扩展配置中，低
对重传（ RT ）输入，使FIFO的重传
的数据。读使能（R）和写使能（W ）都必须
重发时高，然后R用于访问数据。
该CY7C419 ， CY7C420 ， CY7C421 ， CY7C424 ， CY7C425 ，
CY7C428 ， CY7C429 ， CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。
输入ESD保护大于2000V和闩锁是
防止通过精心的布局和保护环。
功能说明
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，和
CY7C432 / 3是先入先出中提供（先进先出）存储器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06001牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的二〇〇五年六月三十〇日
CY7C419/21/25/29/33
逻辑框图
数据输入
(D0–D 8)
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
顶视图
D
3
D
8
W
NC
V
cc
D
4
D
5
4 3 2 1 323130
5
29
6
28
7
27
8
26
7C419
7C421/5/9 25
9
7C433
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 1617 181920
Q
3
Q
8
GND
NC
R
Q
4
Q
5
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
DIP
顶视图
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
7C419
6 7C420/1 23
7 7C424/5 22
8 7C428/9 21
7C432/3
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
15
14
VCC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
W
写
控制
写
指针
RAM阵列
256 x 9
512 x 9
1024x 9
2048x 9
4096x 9
读
指针
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
NC
Q
2
D
6
D
7
NC
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
三
状态
缓冲器
数据输出
(Q0–Q 8)
R
读
控制
旗
逻辑
RESET
逻辑
MR
FL / RT
TQFP
顶视图
D
3
D
8
W
V
CC
D
4
D
2
EF
FF
32 3130 29 28 27 26 25
D
1
D
0
NC
NC
XI
FF
Q
0
Q
1
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
D
5
D
6
D
7
FL / RT
NC
NC
MR
EF
XO / HF
Q
7
XI
扩张
逻辑
XO / HF
7C419
7C421/5/9
7C433
9 10 11 12 13 14 15 16
Q
2
Q
3
Q
8
GND
R
Q
4
Q
5
选购指南
256 x 9
512 ×9 （ 600万只）
512 x 9
1K ×9 （ 600万只）
1K ×9
2K ×9 （ 600万只）
2K ×9
4K ×9 （ 600万只）
4K ×9
频率（MHz）
最大访问时间（纳秒）
I
CC1
（MA ）
7C433–10
50
10
35
7C433–15
40
15
35
7C433–20
33.3
20
35
7C429–10
7C429–15
7C425–10
7C425–15
7C421–10
7C421–15
7C419–10
7C419–15
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C429–25
7C432–25
7C433–25
28.5
25
35
7C433–30
25
30
35
7C429–30
7C429–40
7C432–40
7C433–40
20
40
35
7C433–65
12.5
65
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C419–30
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用.............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. ..- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
注意：
1.单电源供电：对任何输入或I / O引脚不能超过电期间电源引脚上的电压。
文件编号： 38-06001牧师* B
Q
6
第25 2
CY7C419/21/25/29/33
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+ 70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C419–10, 15, 30, 40
7C420/1–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C424/5–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C428/9–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C432/3–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
2.0
V
CC
2.2
V
CC
注4
0.8
–10
+10
–10
+10
–90
参数
描述
V
OH
输出高电压
V
OL
输出低电压
V
IH
输入高电压
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路电流
[5]
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
> V
IH
， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
Com'l
军用/工业
Com'l
35
85
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
65
100
35
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
55
90
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
单位
mA
50
80
35
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
10
5
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
掉电电流所有输入>
V
CC
–0.2V
注意事项：
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-06001牧师* B
第25 3
CY7C419/21/25/29/33
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–30
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C429–30
7C433–30
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
所有输入>
V
CC
–0.2V
Com'l
军用/工业
Com'l
分钟。
马克斯。
40
75
35
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C429–40
7C432–40
7C433–40
分钟。
马克斯。
35
70
35
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
7C433–65
分钟。
马克斯。
35
65
35
mA
单位
mA
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
掉电电流
Com'l
米尔
Com'l
米尔
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
333
R1 500
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
333
R1 500
3.0V
GND
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
(a)
(b)
相当于：
戴维南等效
200
产量
2V
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06001牧师* B
第25 4
CY7C419/21/25/29/33
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
t
RC
t
A
t
RR
t
PR
t
LZR
[6,9]
[9,10]
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
分钟。
25
马克斯。
15
10
15
3
5
10
20
3
5
15
25
15
5
10
8
0
25
15
10
15
15
25
15
10
30
20
5
10
12
0
30
20
10
20
20
30
20
10
15
35
25
5
10
15
0
35
25
10
25
25
35
25
10
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
分钟。
30
20
10
25
3
5
18
马克斯。
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
分钟。
35
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
读低到低Z
数据有效读高后
阅读HIGH到高Z
写周期时间
把脉冲宽度
写高到低Z
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
MR周期时间
MR脉冲宽度
MR恢复时间
阅读HIGH到高先生
写HIGH到高先生
重发周期时间
重发脉冲宽度
重发恢复时间
分钟。
20
马克斯。
10
10
10
3
5
15
20
10
5
10
6
0
20
10
10
10
10
20
10
10
t
DVR
t
WC
t
PW
t
HZR[6,9,10]
t
HWZ[6,9]
t
WR
t
SD
t
HD
t
MRSC
t
PMR
t
RMR
t
乡郊小工程
t
预激
t
RTC
t
PRT
t
RTR
注意事项：
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在（a）部分的AC测试负载和波形的，除非另有规定。
8.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
9. t
HZR
过渡是从V测定200 mV的
OL
和-200 mV的从V
OH
. t
DVR
过渡处测量的1.5V电平。吨
HWZ
和T
LZR
转换测量
at
±100
毫伏的稳定状态。
10. t
HZR
和T
DVR
使用电容负载的部分交流测试负载和波形（B ） 。
文件编号： 38-06001牧师* B
第25 5
19/21/25/29/
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
异步先入先出（FIFO ）缓冲存储器
256× 9 （ CY7C419 ）
512× 9 （ CY7C421 ）
1K ×9 （ CY7C425 ）
2K ×9 （ CY7C429 ）
4K ×9 （ CY7C433 ）
双端口RAM单元
高速50.0 - MHz读/写无关
深度/宽度
较低的工作功耗：我
CC
= 35毫安
空和满标志（半满标志单机）
TTL兼容
转发在独立
可扩展的宽度
PLCC ，为7x7 TQFP ， SOJ ， 300万和600万DIP
引脚兼容和功能上等同于IDT7200 ，
IDT7201 ， IDT7202 ， IDT7203 ， IDT7204 ， AM7200 ， AM7201 ，
AM7202 ， AM7203 ， AM7204和
每个FIFO存储器被组织，以使数据被读入
同样的顺序，这是书面。满和空
设置标志，以防止溢出和下溢。三AD-
还提供ditional销，方便无限扩展
宽度，深度，或两者兼而有之。深度扩展技术公牛
从一个设备到另一个平行，从而将控制信号
消除了串行加法传播延迟，使
吞吐量没有降低。数据被控制以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每
可发生于50.0兆赫的速率。发生写操作
当写（W）的信号为LOW 。阅读时出现读取（ R）
变低。这九个数据输出到高阻抗
状态当R为高。
半满（ HF）输出标志提供了一种可在有效标
dalone和宽度扩展配置。在深度EX-
潘申配置，该引脚提供了扩张
这是用来告诉下FIFO中，这将是（XO）信息
激活。
在独立和宽度扩展配置中，低
对重传（ RT ）输入，使FIFO的重传
的数据。读使能（R）和写使能（W ）都必须
重发时高，然后R用于访问数据。
该CY7C419 ， CY7C420 ， CY7C421 ， CY7C424 ， CY7C425 ，
CY7C428 ， CY7C429 ， CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。在 -
把ESD保护大于2000V和闩锁是预
通过精心的布局和保护环排出。
功能说明
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，和
CY7C432 / 3是先入先出中提供（先进先出）存储器
600密耳宽，300密耳全包。他们是， respec-
疑心， 256 ， 512 ， 1024 ， 2048 ，和4096的话通过9位宽。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06001修订版**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的二〇〇二年十二月三十零日
CY7C419/21/25/29/33
逻辑框图
数据输入
(D0–D 8)
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
顶视图
D
3
D
8
W
NC
V
cc
D
4
D
5
4 3 2 1 323130
D
2
5
29
D
1
6
28
D
0
7
27
十一8
26
7C419
FF 9
7C421/5/9 25
7C433
Q
0
10
24
Q
1
11
23
NC 12
22
Q
2
13
21
14 15 1617 181920
Q
3
Q
8
GND
NC
R
Q
4
Q
5
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
DIP
顶视图
28
1
27
2
26
3
4
25
5
24
7C419
6 7C420/1 23
7 7C424/5 22
8 7C428/9 21
7C432/3
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
15
14
VCC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
C420–3
W
写
控制
写
指针
RAM阵列
256 x 9
512 x 9
1024x 9
2048x 9
4096x 9
读
指针
D
6
D
7
NC
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
C420–2
三
状态
缓冲器
数据输出
(Q0–Q 8)
R
读
控制
旗
逻辑
RESET
逻辑
MR
FL / RT
TQFP
顶视图
D
3
D
8
W
V
CC
D
4
D
2
EF
FF
32 3130 29 28 27 26 25
D
1
D
0
NC
NC
XI
FF
Q
0
Q
1
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
D
5
D
6
D
7
FL / RT
NC
NC
MR
EF
XO / HF
Q
7
XI
扩张
逻辑
XO / HF
C420–1
7C419
7C421/5/9
7C433
9 10 11 12 13 14 15 16
C420–4
Q
2
Q
3
Q
8
GND
R
Q
4
Q
5
Q
6
选购指南
256 x 9
512 ×9 （ 600万只）
512 x 9
1K ×9 （ 600万只）
1K ×9
2K ×9 （ 600万只）
2K ×9
4K ×9 （ 600万只）
4K ×9
频率（MHz）
最大访问时间（纳秒）
I
CC1
（MA ）
7C433–10
50
10
35
[1]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C419–15
7C420–20
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
40
15
35
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
33.3
20
35
7C429–25
7C432–25
7C433–25
28.5
25
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C419–30
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C429–30
7C433–30
25
30
35
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C429–40
7C432–40
7C433–40
20
40
35
7C433–65
12.5
65
35
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
最大额定值
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. ..- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用.............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
注意：
1.单电源供电：对任何输入或I / O引脚不能超过电期间电源引脚上的电压。
文件编号： 38-06001修订版**
第22页2
CY7C419/21/25/29/33
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+ 70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C419–10, 15, 30, 40
7C420/1–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C424/5–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C428/9–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C432/3–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
参数
描述
V
OH
输出高电压
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路电流
[5]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
> V
IH
， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
分钟。
2.4
2.0
2.2
注4
–10
–10
马克斯。
0.4
V
CC
V
CC
0.8
+10
+10
–90
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
Com'l
军用/工业
Com'l
35
85
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
65
100
35
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
55
90
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
单位
mA
50
80
35
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
10
5
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
掉电电流所有输入>
V
CC
–0.2V
注意事项：
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-06001修订版**
第22页3
CY7C419/21/25/29/33
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–30
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C429–30
7C433–30
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
所有输入>
V
CC
–0.2V
Com'l
军用/工业
Com'l
分钟。
马克斯。
40
75
35
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C429–40
7C432–40
7C433–40
分钟。
马克斯。
35
70
35
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
7C433–65
分钟。
马克斯。
35
65
35
mA
单位
mA
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
掉电电流
Com'l
米尔
Com'l
米尔
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
333
C420–6
R1 500
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 500
3.0V
R2
333
C420–7
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
GND
≤
3纳秒
≤
3纳秒
C420–8
(a)
(b)
相当于：
戴维南等效
200
产量
2V
文件编号： 38-06001修订版**
第22页4
CY7C419/21/25/29/33
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
t
RC
t
A
t
RR
t
PR
t
LZR[6,9]
t
DVR[9,10]
t
HZR[6,9,10]
t
WC
t
PW
t
HWZ[6,9]
t
WR
t
SD
t
HD
t
MRSC
t
PMR
t
RMR
t
乡郊小工程
t
预激
t
RTC
t
PRT
t
RTR
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
读低到低Z
数据有效读高后
阅读HIGH到高Z
写周期时间
把脉冲宽度
写高到低Z
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
MR周期时间
MR脉冲宽度
MR恢复时间
阅读HIGH到高先生
写HIGH到高先生
重发周期时间
重发脉冲宽度
重发恢复时间
20
10
5
10
6
0
20
10
10
10
10
20
10
10
10
10
3
5
15
25
15
5
10
8
0
25
15
10
15
15
25
15
10
描述
读周期时间
分钟。
20
10
10
15
3
5
15
30
20
5
10
12
0
30
20
10
20
20
30
20
10
马克斯。
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
分钟。
25
15
10
20
3
5
15
35
25
5
10
15
0
35
25
10
25
25
35
25
10
马克斯。
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
分钟。
30
20
10
25
3
5
18
马克斯。
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
分钟。
35
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在（a）部分的AC测试负载和波形的，除非另有规定。
8.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
9. t
HZR
过渡是从V测定200 mV的
OL
和-200 mV的从V
OH
. t
DVR
过渡处测量的1.5V电平。吨
HWZ
和T
LZR
转换测量
at
±
为100mV ，从稳定状态。
10. t
HZR
和T
DVR
使用电容负载的部分交流测试负载和波形（B ） 。
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第22页5
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