92A
CY7C291A
2K ×8可重复编程的PROM
特点
窗的可重编程
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 20纳秒（商业）
- 35纳秒（军事）
低功耗
- 660毫瓦（商业和军事）
低待机功耗
- 220毫瓦（商业和军事）
EPROM技术100 ％可编程
斯利姆的300万或标准的600万封装可供选择
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能承受>2001V静电放电
功能说明
该CY7C291A是一个高性能的2K字由8位
CMOS PROM 。它被包装在300密耳的陶瓷封装
这可以配备有一个擦除窗口;当
暴露于UV光PROM中被擦除，并且然后可
重新编程。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅
技术
和
字节宽
智能
编程算法。
该CY7C291A是一个插件，替代双极型器件
并提供了更低的功耗，可重编程的优势，
卓越的性能和编程的产量。在EPROM
细胞仅需要12.5V的超高压和低电流
要求允许团伙编程。在EPROM单元
允许被测试的100％的每个存储器位置，因为每个
位置写入，擦除，并多次行使前
以封装。每个PROM也测试了在AC perfor-
曼斯保证顾客后编程
产品满足直流和交流的技术指标。
读是由放置一个低电平信号来实现
CS
1
在CS和高电平信号
2
和CS
3
。内容
由地址线寻址的存储器位置的
(A
0
A
10
）将成为可在输出线（O
0
O
7
).
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
O
3
A
8
A
9
A
10
COLUMN
地址
动力
下
7C293A
O
2
O
1
地址
解码器
O
4
ROW
地址
编程
梅布尔
ARRAY
多
多路复用器
O
6
O
7
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
7
A
6
O
5
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
24
2
23
3 7C291A 22
4
21
5
20
6
19
18
7
8
17
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC / PLCC （不透明专用）
顶视图
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
7C291A
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12 1314151617 18
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
NC
O
7
O
6
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
窗口可用
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04011修订版**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年10月8日
CY7C291A
选购指南
7C291A-20
最大访问时间
最大
操作
当前
标准
广告
军事
L
广告
20
120
7C291A-25
25
90
7C291A-35
7C291AL-35
35
90
90
60
7C291A-50
50
90
单位
ns
mA
mA
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
......................................65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
..................0.5V
to+7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
UV曝光................................................ 0.7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
文件编号： 38-04011修订版**
第12页2
CY7C291A
电气特性
在整个工作范围
[2,3]
7C291A-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输入二极管钳位电压
输出漏电流
输出短路
当前
[4]
V
CC
工作电源
当前
待机电源电流
（仅7C293A ）
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
3.0
0.4
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
CS
1
= V
IH
Com'l
Com'l
12
10
20
+10
90
120
40
13
50
3.0
0.4
12
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 16.0毫安
保证输入逻辑
高压对所有输入
保证输入逻辑
低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
2.0
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
10
注3
10
20
+10
90
90
30
13
50
A
mA
mA
mA
V
mA
V
V
2.0
马克斯。
7C291A-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
注意事项：
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.见赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
4.为了测试，不超过1输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04011修订版**
第12页3
1CY 7C29 2A
CY7C291A
CY7C292A/CY7C293A
2K ×8可重复编程的PROM
特点
窗的可重编程
CMOS的最佳速度/功耗
高速
—
20纳秒（商业）
—
25纳秒（军事）
低功耗
相同，但都打包在300密耳（ 7C291A ， 7C293A ）和
600密耳宽的塑料密封DIP封装（ 7C292A ） 。
该CY7C293A具有自动断电功能，
超过70％ deselect-时降低功耗
ED 。在300密耳的陶瓷封装可配备有一个
擦除窗口;当暴露于UV光将PROM是
擦除，然后可以重新编程。存储器单元泌尿道感染
丽泽成熟的EPROM浮栅技术和字节宽IN-
智能编程算法。
该CY7C291A ， CY7C292A和CY7C293A是插电式重
配售的双极型器件，并提供优势
低功耗，可重编程，性能优越，
规划产量。在EPROM单元只需要为12.5V
在超高压和低电流要求允许团伙
编程。在EPROM单元允许一个存储单元中
灰被测试的100％ ，因为每一个位置被写入，擦除
并密封之前多次行使。每个PROM
还测试了在AC性能保证客后
Tomer的编程产品满足DC和AC specifi-
阳离子限制。
读是由放置一个低电平信号来实现
CS
1
在CS和高电平信号
2
和CS
3
。内容
（ A的地址线寻址的存储器位置
0
A
10
）将成为可在输出线（O
0
O
7
).
—
660毫瓦（商用和军用）
低待机功耗
—
220毫瓦（商用和军用）
EPROM技术100 ％可编程
斯利姆的300万或标准的600万封装可供选择
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能承受>2001V静电放电
功能说明
该CY7C291A ， CY7C292A和CY7C293A是高性
曼斯2K字由8位CMOS PROM中。它们在功能上
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
O
3
A
8
A
9
A
10
COLUMN
地址
动力
下
7C293A
O
2
O
1
地址
解码器
O
4
ROW
地址
编程
梅布尔
ARRAY
多
多路复用器
O
6
O
7
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
7
A
6
O
5
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
24
2
23
3 7C291A 22
4 7C292A 21
7C293A
5
20
6
19
7
18
8
17
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
C291A-3
C291A-2
O
0
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
7C291A
23
7
22
8
21
9
7C293A
20
10
19
11
12 1314151617 18
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
NC
O
7
O
6
LCC / PLCC （不透明专用）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
窗口可
7C291A和7C293A
只。
C291A-1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1986年3月 - 修订1993年5月
CY7C291A
CY7C292A/CY7C293A
选购指南
7C291A-25
7C292A-25
7C293A-25
7C291AL-25
7C292AL-25
7C293AL-25
25
90
120
60
40
30
40
7C291A-35
7C292A-35
7C293A-35
7C291AL-35
7C292AL-35
7C293AL-35
35
90
90
60
30
40
7C291A-50
7C292A-50
7C293A-50
7C291AL-50
7C292AL-50
7C293AL-50
50
90
90
60
30
40
7C291A-20
7C292A-20
7C293A-20
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
标准
广告
军事
L
待机电流（mA ）
7C293A只有
广告
广告
军事
20
120
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
...................................... 65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
..................0.5V
to+7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
UV曝光................................................ 0.7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[1]
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V
±10%
注意事项：
1.联系赛普拉斯代表的工业温度范围内光谱
ifications 。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2
CY7C291A
CY7C292A/CY7C293A
电气特性
在整个工作范围
[3,4]
7C291A-20
7C292A-20
7C293A-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输入二极管钳位电压
输出漏电流
输出短路
当前
[5]
V
CC
工作电源
当前
待机电源电流
（仅7C293A ）
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
3.0
0.4
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
CS
1
= V
IH
Com'l
米尔
Com'l
米尔
12
13
50
3.0
0.4
12
40
10
20
+10
90
120
10
20
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 16.0毫安
保证输入逻辑
高压对所有输入
保证输入逻辑
低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
2.0
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
10
2.0
马克斯。
7C291A-25
7C292A-25
7C293A-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
注4
+10
90
90
120
30
40
13
50
3.0
0.4
12
13
50
V
mA
V
V
30
mA
10
20
+10
90
60
A
mA
mA
10
2.0
马克斯。
7C291AL-25
7C292AL-25
7C293AL-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
I
SB
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
注意事项：
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.见赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
3
92A
CY7C291A
2K ×8可重复编程的PROM
特点
窗的可重编程
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 20纳秒（商业）
- 35纳秒（军事）
低功耗
- 660毫瓦（商业和军事）
低待机功耗
- 220毫瓦（商业和军事）
EPROM技术100 ％可编程
斯利姆的300万或标准的600万封装可供选择
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能承受>2001V静电放电
功能说明
该CY7C291A是一个高性能的2K字由8位
CMOS PROM 。它被包装在300密耳的陶瓷封装
这可以配备有一个擦除窗口;当
暴露于UV光PROM中被擦除，并且然后可
重新编程。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅
技术
和
字节宽
智能
编程算法。
该CY7C291A是一个插件，替代双极型器件
并提供了更低的功耗，可重编程的优势，
卓越的性能和编程的产量。在EPROM
细胞仅需要12.5V的超高压和低电流
要求允许团伙编程。在EPROM单元
允许被测试的100％的每个存储器位置，因为每个
位置写入，擦除，并多次行使前
以封装。每个PROM也测试了在AC perfor-
曼斯保证顾客后编程
产品满足直流和交流的技术指标。
读是由放置一个低电平信号来实现
CS
1
在CS和高电平信号
2
和CS
3
。内容
由地址线寻址的存储器位置的
(A
0
A
10
）将成为可在输出线（O
0
O
7
).
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
O
3
A
8
A
9
A
10
COLUMN
地址
动力
下
7C293A
O
2
O
1
地址
解码器
O
4
ROW
地址
编程
梅布尔
ARRAY
多
多路复用器
O
6
O
7
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
7
A
6
O
5
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
24
2
23
3 7C291A 22
4
21
5
20
6
19
18
7
8
17
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC / PLCC （不透明专用）
顶视图
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
7C291A
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12 1314151617 18
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
NC
O
7
O
6
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
窗口可用
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04011修订版**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年10月8日
CY7C291A
选购指南
7C291A-20
最大访问时间
最大
操作
当前
标准
广告
军事
L
广告
20
120
7C291A-25
25
90
7C291A-35
7C291AL-35
35
90
90
60
7C291A-50
50
90
单位
ns
mA
mA
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
......................................65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
..................0.5V
to+7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
UV曝光................................................ 0.7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
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军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
文件编号： 38-04011修订版**
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CY7C291A
电气特性
在整个工作范围
[2,3]
7C291A-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输入二极管钳位电压
输出漏电流
输出短路
当前
[4]
V
CC
工作电源
当前
待机电源电流
（仅7C293A ）
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
3.0
0.4
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
CS
1
= V
IH
Com'l
Com'l
12
10
20
+10
90
120
40
13
50
3.0
0.4
12
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 16.0毫安
保证输入逻辑
高压对所有输入
保证输入逻辑
低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
2.0
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
10
注3
10
20
+10
90
90
30
13
50
A
mA
mA
mA
V
mA
V
V
2.0
马克斯。
7C291A-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
注意事项：
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.见赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
4.为了测试，不超过1输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04011修订版**
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