1CY 7C28 7
CY7C287
64K ×8可重复编程的PROM注册
特点
CMOS的最佳速度/功耗
窗的可重编程
高速
— t
SA
- 45纳秒
— t
CO
- 15纳秒
低功耗
= 120毫安
片上，边沿触发的输出寄存器
可编程同步或异步输出
启用
EPROM技术， 100 ％可编程
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
斯利姆的300万包
能承受>2001V静电放电
表决，使可被编程为同步（五
S
）或
异步（ E） 。它采用28引脚， 300mil的封装。
地址建立时间为45纳秒，并从时钟高电平时间
到输出有效是15纳秒。
该CY7C287是在装有CERDIP封装
擦除窗口，提供可重编程。当EX-
构成于UV光中，PROM被擦除，并且可以是重现
编程。存储器单元利用成熟的EPROM悬空
荷兰国际集团栅技术和字节宽的智能编程
算法。
该CY7C287提供低功耗的优势，优越的per-
formance和编程的产量。在EPROM单元需要
只有12.5V的超高压和低电流要求
允许帮派编程。在EPROM单元允许每个
存储器位置进行100％测试与每个细胞是亲
编程，擦除，并多次到封装之前行使
分页。每个PROM也测试了AC性能，瓜尔
antee该产品将满足DC和AC规格
客户程序后限制。
读CY7C287是通过将活性来实现
在电子/电气低电平信号
S
。该存储器位置的内容
由地址线寻址（A
0
A
15
）将成为
可在输出线（O
0
O
7
）上的下一次上升
CP 。
功能说明
该CY7C287是一个高性能的64K ×8的CMOS PROM中。
该CY7C287装有一个输出寄存器和一个输出
逻辑框图
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
E/E
S
CP
OE
注册
可编程
多路复用器
C287-1
O
0
COLUMN
地址
Y
X
ROW
地址
512x 1024
编程
梅布尔
ARRAY
8× 1的128
多
多路复用器
8
SENSE
安培
8-BIT
边沿
引发
注册
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
2
O
1
销刀豆网络gurations
CERDIP
顶视图
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6 7C287 23
22
7
21
8
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
V
CC
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CP
E/E
S
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
C287-3
地址
解码器
LCC / PLCC
顶视图
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
7C287
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
GND
O
0
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
CP
E/E
S
O
7
GND
C287-2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1994年9月 - 修订1994年12月
CY7C287
选购指南
7C28745
最大设定时间（纳秒）
最大时钟到输出（ NS ）
最大工作电流（mA ）
Com'l
米尔
45
15
120
7C28755
55
20
120
150
7C28765
65
25
120
150
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
.................0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
UV曝光................................................ 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD- 883 ，方法3015.2 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[1]
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C28745
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输入二极管钳位电压
输出漏电流
输出短路电流
V
CC
操作
电源电流
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
3.0
0.4
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
[5]
V
CC
=最大，
Com'l
I
OUT
= 0毫安
米尔
40
20
+40
90
120
12
13
50
3.0
0.4
12
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
2.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安Com'l
米尔
保证输入逻辑高电平
电压输入
保证输入逻辑低电平
电压输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
2.0
V
CC
0.8
+10
10
40
20
2.0
2.4
0.4
7C28755
马克斯。
0.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+40
90
120
150
13
50
3.0
0.4
12
10
40
20
2.0
2.4
7C28765
分钟。
2.4
0.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+40
90
120
150
13
50
V
mA
V
V
V
V
A
A
mA
mA
MAX 。 UNIT
V
V
MIN 。 MAX 。 MIN 。
注4
注意事项：
1.联系赛普拉斯代表的工业级温度范围内。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.请参阅Introduction to CMOS PROM的关于测试的一般信息。
5.短路试验不应超过30秒。
2
CY7C287
开关波形
A
0
A
15
t
HA
E
S
t
SES
t
PWC
CP
t
PWC
t
CO
O
0
O
7
有效
高Z
t
HZE
E
t
美国能源部
t
HZC
t
COS
t
HES
t
SES
t
SA
t
HA
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
在CY7C287在窗口包。出于这个原因，一个
不透明的标签被放置在如PROM中的窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于超
紫色灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率，曝光时间
将大约35分钟。该CY7C287需要
表1. CY7C287模式选择
是内擦除期间1英寸的灯。永久性损坏
年龄可能导致如PROM的暴露于高强度的紫外
光为在延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
为
推荐最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅位于PROM编程信息
在本部分的末尾。编程算法可以转播
从任何赛普拉斯代表tained 。
引脚功能
[7]
模式：读取或输出禁用
同步阅读
输出禁用 - 异步
输出禁用 - 同步
模式：其他
节目
程序校验
禁止程序
BLANK CHECK
注意事项：
7. X = “不在乎”，但不超过V
CC
±5%.
X可以是V
IL
IR V
IH
.
CP
V
IL
/V
IH
X
V
IL
/V
IH
PGM
V
ILP
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
国际水文计划
A
14
A
14
A
14
A
14
LATCH
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
E, E
S
V
IL
V
IH
V
IH
VFY
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
V
ILP
A
15
A
15
A
15
A
15
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
O
7
O
0
O
7
O
0
高Z
高Z
D
7
D
0
D
7
D
0
O
7
O
0
高Z
零
4
QQ：2881677436 复制
