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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第851页 > CY7C276_06
此规范已经过时了
规范编号:
38-04004
规格名称:
CY7C276 16K ×16的可重复编程的PROM
Sunset所有者:
英迪拉· P ( PCI )
改为:
[+ ]反馈
1CY7C276
CY7C276
16K ×16的可重复编程的PROM
特点
0.8微米CMOS工艺,以获得最佳速度/功耗
高速
- 25 ns访问时间
16位字宽
三个可编程芯片选择
可编程输出使能
44引脚PLCC和44引脚LCC封装
窗口封装的100 %可重复编程
TTL兼容的I / O
能够承受大于2001V的静电
放电
功能说明
该CY7C276是一个高性能的16K字×16位
CMOS PROM 。它是在一个44引脚PLCC和44引脚可用
LCC组件,并且是在窗口的100%的可重复编程
包。存储器单元利用成熟的EPROM的浮
门技术和字宽的编程算法。
该CY7C276允许用户独立地编程
每个片选的极性( CS
2
θCS
0
) 。这提供了片
多达八个银行的PROM的解码。的极性
异步输出使能引脚( OE )也是可编程的。
为了读取CY7C276 ,所有三个芯片选择必须
积极OE必须置。存储器中的内容
位置由地址线寻址(A
13
A
0
)将成为
可在输出线(D
15
D
0
) 。的数据将保持在
直到地址变化的输出或所述输出是
禁用。
逻辑框图
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
15
16K ×16
可编程
ARRAY
D
14
引脚配置
LCC / PLCC / CLCC
顶视图
D13
D14
D15
VSS
VCC
VSS
VCC
VSS
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
CS 2
CS 1
CS 0
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
D
13
CS
0
CS
1
CS
2
D
3
CS
解码
D
2
D
1
D
0
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-04004牧师* C
3901北一街
圣荷西
D
3
D
2
D
1
D
0
OE
V
SS
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CA 95134 408-943-2600
修订后的2006年9月22日
[+ ]反馈
CY7C276
选购指南
CY7C276-25
最大访问时间
最大工作
当前
广告
25
175
CY7C276-30
30
175
单位
ns
mA
最大额定值
[1]
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65
°
C至+ 150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................ -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ..... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压............................................ >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±10%
电气特性
[2, 3]
CY7C276-25
CY7C276-30
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
V
CC
=最大,V
OL
& LT ; V
OUT
& LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大,V
OUT
= 0.0V
[4]
V
CC
=最大,我
OUT
= 0.0毫安
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安( 6.0毫安MIL)
保证输入逻辑高电压所有输入
保证输入逻辑低电压所有输入
GND < V
IN
& LT ; V
CC
2.0
–3.0
–10
–40
–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+40
–90
175
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
注2
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项:
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.请介绍CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.为了测试,不超过1输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号: 38-04004牧师* C
第10 2
[+ ]反馈
CY7C276
交流测试负载和波形
R1 500
( 658Ω MIL )
R2
333
(403
MIL )
R1 500
( 658Ω MIL )
R2
333
(403
MIL )
3.0V
GND
& LT ; 3纳秒
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
& LT ; 3纳秒
5V
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(一)正常负荷
(二)高阻抗负载
相当于:戴维南等效
产量
200Ω ( 250ΩMIL )
2.0V ( 1.9V MIL)
开关特性
在整个工作范围
[2,3]
CY7C276-25
参数
t
AA
t
CSOV
t
CSOZ
t
OEV
t
OEZ
描述
地址到输出数据有效
CS有效到输出有效
CS无效到高Z输出
OE有效到输出有效
OE无效到高Z输出
分钟。
马克斯。
25
13
13
11
11
CY7C276-30
分钟。
马克斯。
30
15
15
12
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
擦除特性
紫外光的推荐剂量为擦除是
波长2537埃的最小剂量(紫外线
强度的25 WSEC /厘米乘以曝光时间)
2
。对于
紫外线灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率曝光
时间将是大约35分钟。该CY7C276
需要被内擦除期间1英寸的灯。
永久性损坏,可能会导致如果EPROM暴露
高强度的紫外光下,在延长的时间周期。 7258
WSEC /厘米
2
是推荐的最大剂量。
光的波长小于4000埃开始清除
在CY7C276在窗口包。出于这个原因,一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露在阳光或荧光灯照明延伸
的时间段。
文件编号: 38-04004牧师* C
第10 3
[+ ]反馈
CY7C276
开关波形
读操作时序图
[5]
A
13
A
0
t
AA
D
15
D
0
地址一
ADDR B
t
AA
数据
数据B
片选和输出使能时序图
A
13
A
0
CS
2
θCS
0
OE
高电平有效
待用
活跃
待用
t
CSOV
D
D
0
15
有效
t
OEZ
t
OEV
t
CSOZ
有效
高Z
注意:
5. CS
2
CS
0
, OE假定活跃。
建筑配置位
该CY7C276在另外四个用户可编程选项
对可重复编程的数据阵列。有关详细规划
信息,请联系您当地的赛普拉斯代表。
可编程选项,确定活动的极性
三片选( CS
2
θCS
0
)和OE 。当这些控制
位被编程为0的输入为低电平有效。当
这些控制位被编程为1的输入是
高电平有效。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息,包括软件的列表
包,请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
文件编号: 38-04004牧师* C
第10 4
[+ ]反馈
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY7C276_06
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