此规范已经过时了
规范编号：
38-04004
规格名称：
CY7C276 16K ×16的可重复编程的PROM
Sunset所有者：
英迪拉· P （ PCI ）
改为：
无
[+ ]反馈
1CY7C276
CY7C276
16K ×16的可重复编程的PROM
特点
0.8微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速
- 25 ns访问时间
16位字宽
三个可编程芯片选择
可编程输出使能
44引脚PLCC和44引脚LCC封装
窗口封装的100 ％可重复编程
TTL兼容的I / O
能够承受大于2001V的静电
放电
功能说明
该CY7C276是一个高性能的16K字×16位
CMOS PROM 。它是在一个44引脚PLCC和44引脚可用
LCC组件，并且是在窗口的100％的可重复编程
包。存储器单元利用成熟的EPROM的浮
门技术和字宽的编程算法。
该CY7C276允许用户独立地编程
每个片选的极性（ CS
2
θCS
0
） 。这提供了片
多达八个银行的PROM的解码。的极性
异步输出使能引脚（ OE ）也是可编程的。
为了读取CY7C276 ，所有三个芯片选择必须
积极OE必须置。存储器中的内容
位置由地址线寻址（A
13
A
0
）将成为
可在输出线（D
15
D
0
） 。的数据将保持在
直到地址变化的输出或所述输出是
禁用。
逻辑框图
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
15
16K ×16
可编程
ARRAY
D
14
引脚配置
LCC / PLCC / CLCC
顶视图
D13
D14
D15
VSS
VCC
VSS
VCC
VSS
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
CS 2
CS 1
CS 0
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
D
13
CS
0
CS
1
CS
2
D
3
CS
解码
D
2
D
1
D
0
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04004牧师* C
3901北一街
圣荷西
D
3
D
2
D
1
D
0
OE
V
SS
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CA 95134 408-943-2600
修订后的2006年9月22日
[+ ]反馈
CY7C276
选购指南
CY7C276-25
最大访问时间
最大工作
当前
广告
25
175
CY7C276-30
30
175
单位
ns
mA
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65
°
C至+ 150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................ -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ..... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±10%
电气特性
[2, 3]
CY7C276-25
CY7C276-30
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
V
CC
=最大，V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[4]
V
CC
=最大，我
OUT
= 0.0毫安
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安（ 6.0毫安MIL）
保证输入逻辑高电压所有输入
保证输入逻辑低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
2.0
–3.0
–10
–40
–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+40
–90
175
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
注2
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.请介绍CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.为了测试，不超过1输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04004牧师* C
第10 2
[+ ]反馈
1CY 7C27 6
CY7C276
16K ×16的可重复编程的PROM
特点
0.8微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速（商用和军用）
功能说明
该CY7C276是一个高性能的16K字×16位
CMOS PROM 。它采用44引脚PLCC / CLCC和
44引脚LCC封装，在win- 100 ％可重复编程
dowed包。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅技术和字宽编程algo-
rithms 。
该CY7C276允许用户独立地编程
每个片选的极性（ CS
2
θCS
0
） 。这提供了片
多达八个银行的PROM的解码。的极性
异步输出使能引脚（ OE ）也是可编程的。
为了读取CY7C276 ，所有三个芯片选择必须
积极OE必须置。存储器中的内容
位置由地址线寻址（A
13
A
0
）将成为
可在输出线（D
15
D
0
） 。的数据将保持在
直到地址变更的输出或输出显示
体健。
—
25 - ns访问时间
16位宽的字
三个可编程芯片选择
可编程输出使能
44引脚PLCC和44引脚LCC封装
窗口封装的100 ％可重复编程
TTL兼容的I / O
能够承受大于2001V静态显示的
收费
逻辑框图
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
15
16K ×16
可编程
ARRAY
D
14
D
13
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
CS
0
CS
1
CS
2
CS
解码
D
2
D
1
D
0
OE
C276–1
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
引脚配置
LCC / PLCC / CLCC
顶视图
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
C276–2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1991年3月 - 修订1993年12月
CY7C276
选购指南
CY7C276-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
广告
军事
25
175
200
CY7C276-30
30
175
200
CY7C276-35
35
175
200
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65
°
C至+ 150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................ -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[1]
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V
±10%
电气特性
[3, 4]
CY7C276-25
CY7C276-30
CY7C276-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
V
CC
=最大，V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[5]
V
CC
=最大，我
OUT
= 0.0毫安
Com'l
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安（ 6.0毫安MIL）
保证输入逻辑高电压所有输入
保证输入逻辑低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
2.0
–3.0
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
注3
–40
–20
+40
–90
175
200
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.联系赛普拉斯代表的工业级温度范围内。
2. T
A
区分温度“上的即时”
3.请参阅Introduction to CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
4.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
2
CY7C276
交流测试负载和波形
R1 500
（ 658Ω MIL ）
R1 500
（ 658Ω MIL ）
R2
333
(403
MIL ）
C276–3
C276–4
3.0V
GND
＆ LT ; 3纳秒
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
5V
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5V
产量
R2
333
(403
MIL ）
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
（一）正常负荷
（二）高阻抗负载
相当于：戴维南等效
产量
200Ω （ 250ΩMIL ）
2.0V （ 1.9V MIL）
C276–5
开关特性
在整个工作范围
[3,4]
CY7C276-25
参数
t
AA
t
CSOV
t
CSOZ
t
OEV
t
OEZ
描述
地址到输出数据有效
CS有效到输出有效
CS无效到高Z输出
OE有效到输出有效
OE无效到高Z输出
分钟。
马克斯。
25
13
13
11
11
CY7C276-30
分钟。
马克斯。
30
15
15
12
12
CY7C276-35
分钟。
马克斯。
35
18
18
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
擦除特性
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于UL-
traviolet灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率曝光
时间将是大约35分钟。该7C276需要
是内擦除期间1英寸的灯。永久性损坏
年龄可能导致如果EPROM暴露于高强度的紫外
光为在延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
为
推荐最大剂量。
光的波长小于4000埃开始清除
在7C276的窗口包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
3
CY7C276
开关波形
读操作时序图
[6]
A
13
A
0
t
AA
D
15
D
0
地址一
ADDR B
t
AA
数据
数据B
C276–6
片选和输出使能时序图
A
13
A
0
CS
2
CS
0
OE
高电平有效
待用
活跃
待用
t
CSOV
D
15
D
0
有效
t
OEZ
t
OEV
t
CSOZ
有效
高Z
C276–7
注意事项：
6. CS
2
–
CS
0
， OE假定活跃。
建筑配置位
该CY7C276在另外四个用户可编程选项
对可重复编程的数据阵列。有关详细规划
信息，请联系您当地的赛普拉斯代表。
可编程选项，确定活动的极性
三片选（ CS2 - CS0 ）和OE 。当这些CON-
控制位被编程为0的输入为低电平有效。
当这些控制位被编程为1的输入端
高电平有效。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅位于PROM编程信息
在本部分的末尾。编程算法可以转播
从任何赛普拉斯代表tained 。
4
CY7C276
表1.控制字的结构配置
控制字
控制选项
OE
CS
0
CS
1
CS
2
位
D
0
D
12
D
13
D
14
编程水平
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
功能
OE低电平有效
OE高电平有效
CS
0
低电平有效
CS
0
高电平有效
CS
1
低电平有效
CS
1
高电平有效
CS
2
低电平有效
CS
2
高电平有效
位图
程序员地址（十六进制）
0000
.
.
.
3FFF
4000
数据
.
.
.
数据
控制字
RAM中的数据
控制字（ 4000H ）
D15
D0
X CS2 CS1 CS0 X X X X X X X X 1 X X OE
表2.编程模式表
模式
禁止程序
项目启用
程序校验
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
PGM
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
VFY
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
D
0
D
15
高Z
数据
数据
表3.配置模式表
模式
禁止程序
程序控制字
验证控制字
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
PGM
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
VFY
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
A
2
V
PP
V
PP
V
PP
D
0
D
15
高Z
控制字
控制字
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
CY7C276
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
C276–8
图1.编程引脚
5
1CY 7C27 6
CY7C276
16K ×16的可重复编程的PROM
特点
0.8微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速（商用和军用）
功能说明
该CY7C276是一个高性能的16K字×16位
CMOS PROM 。它采用44引脚PLCC / CLCC和
44引脚LCC封装，在win- 100 ％可重复编程
dowed包。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅技术和字宽编程algo-
rithms 。
该CY7C276允许用户独立地编程
每个片选的极性（ CS
2
θCS
0
） 。这提供了片
多达八个银行的PROM的解码。的极性
异步输出使能引脚（ OE ）也是可编程的。
为了读取CY7C276 ，所有三个芯片选择必须
积极OE必须置。存储器中的内容
位置由地址线寻址（A
13
A
0
）将成为
可在输出线（D
15
D
0
） 。的数据将保持在
直到地址变更的输出或输出显示
体健。
—
25 - ns访问时间
16位宽的字
三个可编程芯片选择
可编程输出使能
44引脚PLCC和44引脚LCC封装
窗口封装的100 ％可重复编程
TTL兼容的I / O
能够承受大于2001V静态显示的
收费
逻辑框图
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
15
16K ×16
可编程
ARRAY
D
14
D
13
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
CS
0
CS
1
CS
2
CS
解码
D
2
D
1
D
0
OE
C276–1
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
引脚配置
LCC / PLCC / CLCC
顶视图
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
C276–2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1991年3月 - 修订1993年12月
CY7C276
选购指南
CY7C276-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
广告
军事
25
175
200
CY7C276-30
30
175
200
CY7C276-35
35
175
200
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65
°
C至+ 150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................ -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[1]
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V
±10%
电气特性
[3, 4]
CY7C276-25
CY7C276-30
CY7C276-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
V
CC
=最大，V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[5]
V
CC
=最大，我
OUT
= 0.0毫安
Com'l
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安（ 6.0毫安MIL）
保证输入逻辑高电压所有输入
保证输入逻辑低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
2.0
–3.0
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
注3
–40
–20
+40
–90
175
200
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.联系赛普拉斯代表的工业级温度范围内。
2. T
A
区分温度“上的即时”
3.请参阅Introduction to CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
4.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
2
CY7C276
交流测试负载和波形
R1 500
（ 658Ω MIL ）
R1 500
（ 658Ω MIL ）
R2
333
(403
MIL ）
C276–3
C276–4
3.0V
GND
＆ LT ; 3纳秒
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
5V
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5V
产量
R2
333
(403
MIL ）
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
（一）正常负荷
（二）高阻抗负载
相当于：戴维南等效
产量
200Ω （ 250ΩMIL ）
2.0V （ 1.9V MIL）
C276–5
开关特性
在整个工作范围
[3,4]
CY7C276-25
参数
t
AA
t
CSOV
t
CSOZ
t
OEV
t
OEZ
描述
地址到输出数据有效
CS有效到输出有效
CS无效到高Z输出
OE有效到输出有效
OE无效到高Z输出
分钟。
马克斯。
25
13
13
11
11
CY7C276-30
分钟。
马克斯。
30
15
15
12
12
CY7C276-35
分钟。
马克斯。
35
18
18
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
擦除特性
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于UL-
traviolet灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率曝光
时间将是大约35分钟。该7C276需要
是内擦除期间1英寸的灯。永久性损坏
年龄可能导致如果EPROM暴露于高强度的紫外
光为在延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
为
推荐最大剂量。
光的波长小于4000埃开始清除
在7C276的窗口包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
3
CY7C276
开关波形
读操作时序图
[6]
A
13
A
0
t
AA
D
15
D
0
地址一
ADDR B
t
AA
数据
数据B
C276–6
片选和输出使能时序图
A
13
A
0
CS
2
CS
0
OE
高电平有效
待用
活跃
待用
t
CSOV
D
15
D
0
有效
t
OEZ
t
OEV
t
CSOZ
有效
高Z
C276–7
注意事项：
6. CS
2
–
CS
0
， OE假定活跃。
建筑配置位
该CY7C276在另外四个用户可编程选项
对可重复编程的数据阵列。有关详细规划
信息，请联系您当地的赛普拉斯代表。
可编程选项，确定活动的极性
三片选（ CS2 - CS0 ）和OE 。当这些CON-
控制位被编程为0的输入为低电平有效。
当这些控制位被编程为1的输入端
高电平有效。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅位于PROM编程信息
在本部分的末尾。编程算法可以转播
从任何赛普拉斯代表tained 。
4
CY7C276
表1.控制字的结构配置
控制字
控制选项
OE
CS
0
CS
1
CS
2
位
D
0
D
12
D
13
D
14
编程水平
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
功能
OE低电平有效
OE高电平有效
CS
0
低电平有效
CS
0
高电平有效
CS
1
低电平有效
CS
1
高电平有效
CS
2
低电平有效
CS
2
高电平有效
位图
程序员地址（十六进制）
0000
.
.
.
3FFF
4000
数据
.
.
.
数据
控制字
RAM中的数据
控制字（ 4000H ）
D15
D0
X CS2 CS1 CS0 X X X X X X X X 1 X X OE
表2.编程模式表
模式
禁止程序
项目启用
程序校验
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
PGM
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
VFY
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
D
0
D
15
高Z
数据
数据
表3.配置模式表
模式
禁止程序
程序控制字
验证控制字
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
PGM
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
VFY
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
A
2
V
PP
V
PP
V
PP
D
0
D
15
高Z
控制字
控制字
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
CY7C276
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
C276–8
图1.编程引脚
5
76
CY7C276
16K ×16的可重复编程的PROM
特点
0.8微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速（商用和军用）
- 25 ns访问时间
16位字宽
三个可编程芯片选择
可编程输出使能
44引脚PLCC和44引脚LCC封装
窗口封装的100 ％可重复编程
TTL兼容的I / O
能够承受大于2001V静态显示的
收费
功能说明
该CY7C276是一个高性能的16K字×16位
CMOS PROM 。它采用44引脚PLCC / CLCC和
44引脚LCC封装，在win- 100 ％可重复编程
dowed包。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅技术和字宽编程algo-
rithms 。
该CY7C276允许用户独立地编程
每个片选的极性（ CS
2
θCS
0
） 。这提供了片
多达八个银行的PROM的解码。的极性
异步输出使能引脚（ OE ）也是可编程的。
为了读取CY7C276 ，所有三个芯片选择必须
积极OE必须置。存储器中的内容
位置由地址线寻址（A
13
A
0
）将成为
可在输出线（D
15
D
0
） 。的数据将保持在
直到地址变更的输出或输出显示
体健。
逻辑框图
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
15
16K ×16
可编程
ARRAY
D
14
引脚配置
LCC / PLCC / CLCC
顶视图
D13
D14
D15
VSS
VCC
VSS
VCC
VSS
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
CS 2
CS 1
CS 0
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
D
13
CS
0
CS
1
CS
2
CS
解码
D
2
D
1
D
0
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04004牧师**
3901北一街
圣荷西
D
3
D
2
D
1
D
0
OE
V
SS
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年3月4日
CY7C276
选购指南
CY7C276-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
广告
军事
25
175
200
CY7C276-30
30
175
200
CY7C276-35
35
175
200
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65
°
C至+ 150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................ -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[1]
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V
±10%
电气特性
[3, 4]
CY7C276-25
CY7C276-30
CY7C276-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
V
CC
=最大，V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[5]
V
CC
=最大，我
OUT
= 0.0毫安
Com'l
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安（ 6.0毫安MIL）
保证输入逻辑高电压所有输入
保证输入逻辑低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
2.0
–3.0
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
注3
–40
–20
+40
–90
175
200
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意：
1.联系赛普拉斯代表的工业级温度范围内。
2. T
A
区分温度“上的即时”
3.请参阅Introduction to CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
4.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04004牧师**
第10 2
CY7C276
交流测试负载和波形
R1 500
(658
MIL ）
R1 500
(658
MIL ）
R2
333
(403
MIL ）
3.0V
GND
＆ LT ; 3纳秒
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
5V
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5V
产量
R2
333
(403
MIL ）
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
（一） NormalLoad
（二）高阻抗负载
相当于：戴维南等效
产量
200
(250
MIL ）
2.0V （ 1.9V MIL）
开关特性
在整个工作范围
[3,4]
CY7C276-25
参数
t
AA
t
CSOV
t
CSOZ
t
OEV
t
OEZ
描述
地址到输出数据有效
CS有效到输出有效
CS无效到高Z输出
OE有效到输出有效
OE无效到高Z输出
分钟。
马克斯。
25
13
13
11
11
CY7C276-30
分钟。
马克斯。
30
15
15
12
12
CY7C276-35
分钟。
马克斯。
35
18
18
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
擦除特性
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于超
紫色灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率的曝光时间
将大约35分钟。该7C276需要
在擦除过程中1英寸的灯。永久性损坏
可能会导致如果EPROM暴露于高强度的UV光
对于延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
是时建议
谁料最大剂量。
光的波长小于4000埃开始清除
在7C276的窗口包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
文件编号： 38-04004牧师**
第10 3
CY7C276
开关波形
读操作时序图
[6]
A
13
A
0
t
AA
D
15
D
0
地址一
ADDR B
t
AA
数据
数据B
C276–6
片选和输出使能时序图
A
13
A
0
CS
2
CS
0
OE
高电平有效
待用
活跃
待用
t
CSOV
D
15
D
0
有效
t
OEZ
t
OEV
t
CSOZ
有效
高Z
C276–7
注意：
6. CS
2
–
CS
0
， OE假定活跃。
建筑配置位
该CY7C276在另外四个用户可编程选项
对可重复编程的数据阵列。有关详细规划
信息，请联系您当地的赛普拉斯代表。
可编程选项，确定活动的极性
三片选（ CS2 - CS0 ）和OE 。当这些CON-
控制位被编程为0的输入为低电平有效。
当这些控制位被编程为1的输入端
高电平有效。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅位于PROM编程信息
在本部分的末尾。编程算法可以转播
从任何赛普拉斯代表tained 。
文件编号： 38-04004牧师**
第10 4
CY7C276
表1.控制字的结构配置
控制字
控制选项
OE
CS
0
CS
1
CS
2
位
D
0
D
12
D
13
D
14
编程水平
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
0=Default
1=Programmed
功能
OE低电平有效
OE高电平有效
CS
0
低电平有效
CS
0
高电平有效
CS
1
低电平有效
CS
1
高电平有效
CS
2
低电平有效
CS
2
高电平有效
位图
程序员地址（十六进制）
0000
.
.
.
3FFF
4000
数据
.
.
.
数据
控制字
RAM中的数据
控制字（ 4000H ）
D15
D0
X CS2 CS1 CS0 X X X X X X X X 1 X X OE
表2.编程模式表
模式
禁止程序
项目启用
程序校验
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
PGM
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
VFY
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
D
0
D
15
高Z
数据
数据
表3.配置模式表
模式
禁止程序
程序控制字
验证控制字
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
PGM
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
VFY
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
A
2
V
PP
V
PP
V
PP
D
0
D
15
高Z
控制字
控制字
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
V
SS
V
CC
D
7
D
6
D
5
D
4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
CY7C276
36
35
34
33
32
31
30
29
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
PGM
VFY
CS 0
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
V
SS
A
8
A
7
A
6
A
5
图1.编程引脚
文件编号： 38-04004牧师**
D
3
D
2
D
1
D
0
OE
V
SS
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
D13
D14
D15
VSS
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第10个5
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