1CY7C266
CY7C266
8Kx8电源开关和
可重新编程的PROM
特点
CMOS的最佳速度/功耗
窗的可重编程
高速
- 20纳秒（商业）
低功耗
- 660毫瓦（商业）
超低待机功耗
- 低于85毫瓦时取消
EPROM技术100 ％可编程
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替换27C64的EPROM
掉电进入低功耗待机模式。它被打包
在600密耳的范围内的包。可重编程软件包
都配有一个擦除窗口;当暴露在紫外线
光，这些PROM中被删除，然后可以将重现
编程。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅
技术
和
字节宽
智能
编程算法。
该CY7C266是一个插件，替代EPROM器件。
EPROM的细胞只需要12.5V为超级电压和
低电流要求允许团伙编程。该
EPROM单元允许为每个存储单元进行测试
100％ ，因为每个位置被写入，擦除，以及反复
封装前行使。每个PROM也测试
对于AC性能，以保证客户后，
编程，产品满足DC和AC规格
极限。
读是由放置一个低电平信号来实现
OE和CE认证。所述存储器单元的内容寻址
由地址线（A
0
至A
12
）将变得可用上
输出线（O
0
到O
7
).
功能说明
该CY7C266是一个高性能的8192字由8位
CMOS PROM 。取消选中时， CY7C266自动
逻辑框图
O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
掉电
O
1
O
2
COLUMN
地址
O
3
地址
解码器
O
4
O
5
ROW
地址
可编程
ARRAY
O
6
多路复用器
销刀豆网络gurations
CERDIP
顶视图
V
CC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 7C266
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
V
CC
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC
顶视图
A7
A 12
VCC
NC
VCC
VCC
NC
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
7C266
22
12
21
13
14151617 181920
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
0
CE
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04005牧师* B
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年12月27日
CY7C266
选购指南
7C266-20
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
广告
广告
20
120
15
7C266-25
25
120
15
7C266-45
45
100
15
单位
ns
mA
mA
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ..... 13.0V
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
UV曝光................................................ 7258 WSEC /厘米
2
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C266-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入二极管
钳位电压
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
电源电流
待机电源电流
V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
IN
= 2.0V,
I
OUT
= 0毫安
芯片使能无效，
CE > V
IH
, I
OUT
= 0毫安
Com'l
Com'l
–40
–20
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
–10
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
=
–
2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
Com'l
2.0
0.8
+10
–10
注3
+40
–90
120
15
–40
–20
+40
–90
120
15
A
mA
mA
mA
分钟。
2.4
0.4
2.0
0.8
+10
马克斯。
7C266-25
分钟。
2.4
2.4
0.4
V
V
V
A
马克斯。
单位
V
注意事项：
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.请参阅赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04005牧师* B
第11 2
CY7C266
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
该装置中的加窗包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露在阳光或荧光灯照明延伸
的时间段。
紫外光的推荐剂量为擦除是
波长2537埃的最小剂量（紫外线
强度的25 WSEC /厘米乘以曝光时间）
2
。对于
紫外线灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率，曝光时间
将大约35分钟。该CY7C266需要
在擦除过程中1英寸的灯。可能永久的损坏
表1.模式选择
引脚功能
[4, 5]
正常工作
模式
读
待机
输出禁用
节目
程序校验
禁止程序
BLANK CHECK
节目
A
8
VFY
A
8
X
A
8
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
V
ILP
A
9
PGM
A
9
X
A
9
V
ILP
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
国际水文计划
A
10
LAT
A
10
X
A
10
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
11
NA
A
11
X
A
11
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
12
NA
A
12
X
A
12
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
CE
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
OE
V
PP
V
IL
X
V
IH
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
D
7
–D
0
D
7
–D
0
O
7
–O
0
三
-
说
三
-
说
D
7
–D
0
O
7
–O
0
三
-
说
O
7
–O
0
导致如果EPROM暴露于高强度的紫外光下，时间
延长的时间周期。
7258 WSEC / cm2的是推荐的最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件的列表
包，请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
注意事项：
4. X = “不关心”，但不得超过V
CC
+ 5%.
5.地址
8
–A
12
必须通过线A被锁定
0
–A
4
在编程模式。
CERDIP
顶视图
NC
NA
A
7
A
6
A
5
A
4
/A
12
A
3
/A
11
A
2
/A
10
A
1
/A
9
A
0
/A
8
D
0
D
1
D
2
V
SS
1
2
3
4
5
6 7C266
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
PP
NC
NC
VFY
PGM
NA
V
PP
LAT
CE
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
LCC / PLCC
顶视图
A7
NA
V
CC
NC
VCC
VCC
NC
A
6
A
5
A
4
/A
12
A
3
/A
11
A
2
/A
1
A
1
/A
0
9
A
0
/A
8
NC
D
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
7C266
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
D1
D2
VSS
NC
D3
D4
D5
VFY
PGM
NA
NC
V
PP
LAT
CE
D
7
D
6
图1.编程引脚
文件编号： 38-04005牧师* B
第11个5
1CY7C266
CY7C266
8Kx8电源开关和
可重新编程的PROM
特点
CMOS的最佳速度/功耗
窗的可重编程
高速
- 20纳秒（商业）
低功耗
- 660毫瓦（商业）
超低待机功耗
- 低于85毫瓦时取消
EPROM技术100 ％可编程
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替换27C64的EPROM
掉电进入低功耗待机模式。它被打包
在600密耳的范围内的包。可重编程软件包
都配有一个擦除窗口;当暴露在紫外线
光，这些PROM中被删除，然后可以将重现
编程。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅
技术
和
字节宽
智能
编程算法。
该CY7C266是一个插件，替代EPROM器件。
EPROM的细胞只需要12.5V为超级电压和
低电流要求允许团伙编程。该
EPROM单元允许为每个存储单元进行测试
100％ ，因为每个位置被写入，擦除，以及反复
封装前行使。每个PROM也测试
对于AC性能，以保证客户后，
编程，产品满足DC和AC规格
极限。
读是由放置一个低电平信号来实现
OE和CE认证。所述存储器单元的内容寻址
由地址线（A
0
至A
12
）将变得可用上
输出线（O
0
到O
7
).
功能说明
该CY7C266是一个高性能的8192字由8位
CMOS PROM 。取消选中时， CY7C266自动
逻辑框图
O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
掉电
O
1
O
2
COLUMN
地址
O
3
地址
解码器
O
4
O
5
ROW
地址
可编程
ARRAY
O
6
多路复用器
销刀豆网络gurations
CERDIP
顶视图
V
CC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 7C266
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
V
CC
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC
顶视图
A7
A 12
VCC
NC
VCC
VCC
NC
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
7C266
22
12
21
13
14151617 181920
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
0
CE
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04005牧师* B
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年12月27日
CY7C266
选购指南
7C266-20
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
广告
广告
20
120
15
7C266-25
25
120
15
7C266-45
45
100
15
单位
ns
mA
mA
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ..... 13.0V
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
UV曝光................................................ 7258 WSEC /厘米
2
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C266-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入二极管
钳位电压
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
电源电流
待机电源电流
V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
IN
= 2.0V,
I
OUT
= 0毫安
芯片使能无效，
CE > V
IH
, I
OUT
= 0毫安
Com'l
Com'l
–40
–20
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
–10
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
=
–
2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
Com'l
2.0
0.8
+10
–10
注3
+40
–90
120
15
–40
–20
+40
–90
120
15
A
mA
mA
mA
分钟。
2.4
0.4
2.0
0.8
+10
马克斯。
7C266-25
分钟。
2.4
2.4
0.4
V
V
V
A
马克斯。
单位
V
注意事项：
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.请参阅赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04005牧师* B
第11 2
CY7C266
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
该装置中的加窗包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露在阳光或荧光灯照明延伸
的时间段。
紫外光的推荐剂量为擦除是
波长2537埃的最小剂量（紫外线
强度的25 WSEC /厘米乘以曝光时间）
2
。对于
紫外线灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率，曝光时间
将大约35分钟。该CY7C266需要
在擦除过程中1英寸的灯。可能永久的损坏
表1.模式选择
引脚功能
[4, 5]
正常工作
模式
读
待机
输出禁用
节目
程序校验
禁止程序
BLANK CHECK
节目
A
8
VFY
A
8
X
A
8
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
V
ILP
A
9
PGM
A
9
X
A
9
V
ILP
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
国际水文计划
A
10
LAT
A
10
X
A
10
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
11
NA
A
11
X
A
11
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
12
NA
A
12
X
A
12
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
CE
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
OE
V
PP
V
IL
X
V
IH
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
D
7
–D
0
D
7
–D
0
O
7
–O
0
三
-
说
三
-
说
D
7
–D
0
O
7
–O
0
三
-
说
O
7
–O
0
导致如果EPROM暴露于高强度的紫外光下，时间
延长的时间周期。
7258 WSEC / cm2的是推荐的最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件的列表
包，请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
注意事项：
4. X = “不关心”，但不得超过V
CC
+ 5%.
5.地址
8
–A
12
必须通过线A被锁定
0
–A
4
在编程模式。
CERDIP
顶视图
NC
NA
A
7
A
6
A
5
A
4
/A
12
A
3
/A
11
A
2
/A
10
A
1
/A
9
A
0
/A
8
D
0
D
1
D
2
V
SS
1
2
3
4
5
6 7C266
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
PP
NC
NC
VFY
PGM
NA
V
PP
LAT
CE
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
LCC / PLCC
顶视图
A7
NA
V
CC
NC
VCC
VCC
NC
A
6
A
5
A
4
/A
12
A
3
/A
11
A
2
/A
1
A
1
/A
0
9
A
0
/A
8
NC
D
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
7C266
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
D1
D2
VSS
NC
D3
D4
D5
VFY
PGM
NA
NC
V
PP
LAT
CE
D
7
D
6
图1.编程引脚
文件编号： 38-04005牧师* B
第11个5
CY7C266
8Kx8电源开关和可重复编程的PROM
特点
CMOS的最佳速度/功耗
窗的可重编程
高速
- 20纳秒（商业）
低功耗
- 660毫瓦（商业）
超低待机功耗
- 低于85毫瓦时取消
EPROM技术100 ％可编程
5V ±10% V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代27C64的EPROM
掉电进入低功耗待机模式。它被打包
在600密耳的范围内的包。可重编程软件包
都配有一个擦除窗口;当暴露在紫外线
光，这些PROM中被删除，然后可以将重现
编程。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅
技术
和
字节宽
智能
编程算法。
该CY7C266是一个插件，替代EPROM器件。
EPROM的细胞只需要12.5V为超级电压和
低电流要求允许团伙编程。该
EPROM单元允许为每个存储单元进行测试
100％ ，因为每个位置被写入，擦除，以及反复
封装前行使。每个PROM也测试
对于AC性能，以保证客户后，
编程，产品满足DC和AC规格
极限。
读是由放置一个低电平信号来实现
OE和CE认证。所述存储器单元的内容寻址
由地址线（A
0
至A
12
）将变得可用上
输出线（O
0
到O
7
).
功能说明
该CY7C266是一个高性能的8192字由8位
CMOS PROM 。取消选中时， CY7C266自动
逻辑框图
O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
掉电
O
1
O
2
COLUMN
地址
O
3
地址
解码器
O
4
O
5
ROW
地址
可编程
ARRAY
O
6
多路复用器
销刀豆网络gurations
CERDIP
顶视图
V
CC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 7C266
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
V
CC
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC
顶视图
A7
A 12
VCC
NC
VCC
VCC
NC
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
7C266
22
12
21
13
14151617 181920
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
0
CE
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04005牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月16日
[+ ]反馈
CY7C266
选购指南
7C266-20
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
广告
广告
20
120
15
7C266-25
25
120
15
7C266-45
45
100
15
单位
ns
mA
mA
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ...... 13.0V
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
UV曝光................................................ 7258 WSEC /厘米
2
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入二极管
钳位电压
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
电源电流
待机电源电流
V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
IN
= 2.0V,
I
OUT
= 0毫安
芯片使能无效，
CE > V
IH
, I
OUT
= 0毫安
Com'l
Com'l
–40
–20
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
–10
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
=
–
2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
Com'l
2.0
0.8
+10
–10
注3
+40
–90
120
15
–40
–20
+40
–90
120
15
A
mA
mA
mA
7C266-20
分钟。
2.4
0.4
2.0
0.8
+10
马克斯。
7C266-25
分钟。
2.4
2.4
0.4
V
V
V
A
马克斯。
单位
V
笔记
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.请参阅赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04005牧师* C
第12页2
[+ ]反馈
CY7C266
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
该装置中的加窗包。出于这个原因，一个
不透明的标签应放置在如EPROM窗口
暴露在阳光或荧光灯照明延伸
的时间段。
紫外光的推荐剂量为擦除是
波长2537埃的最小剂量（紫外线
强度的25 WSEC /厘米乘以曝光时间）
2
。对于
紫外线灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率，曝光时间
将大约35分钟。该CY7C266需要
在擦除过程中1英寸的灯。可能永久的损坏
表1.模式选择
导致如果EPROM暴露于高强度的紫外光下，时间
延长的时间周期。
7258 WSEC / cm2的是推荐的最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件的列表
包，请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
引脚功能
[4, 5]
模式
读
待机
输出禁用
节目
程序校验
禁止程序
BLANK CHECK
正常工作
节目
A
8
VFY
A
8
X
A
8
V
国际水文计划
V
ILP
V
国际水文计划
V
ILP
A
9
PGM
A
9
X
A
9
V
ILP
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
国际水文计划
A
10
LAT
A
10
X
A
10
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
11
NA
A
11
X
A
11
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
12
NA
A
12
X
A
12
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
CE
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
OE
V
PP
V
IL
X
V
IH
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
D
7
–D
0
D
7
–D
0
O
7
–O
0
三
-
说
三
-
说
D
7
–D
0
O
7
–O
0
三
-
说
O
7
–O
0
图1.编程引脚
CERDIP
顶视图
NC
NA
A
7
A
6
A
5
A
4
/A
12
A
3
/A
11
A
2
/A
10
A
1
/A
9
A
0
/A
8
D
0
D
1
D
2
V
SS
1
2
3
4
5
6 7C266
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
PP
NC
NC
VFY
PGM
NA
V
PP
LAT
CE
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
LCC / PLCC
顶视图
A7
NA
V
CC
NC
VCC
VCC
NC
A
6
A
5
A
4
/A
12
A
3
/A
11
A
2
/A
1
A
1
/A
0
9
A
0
/A
8
NC
D
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
7C266
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
D1
D2
VSS
NC
D3
D4
D5
VFY
PGM
NA
NC
V
PP
LAT
CE
D
7
D
6
笔记
4. X = “不关心”，但不得超过V
CC
+ 5%.
5.地址
8
–A
12
必须通过线A被锁定
0
–A
4
在编程模式。
文件编号： 38-04005牧师* C
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
