CY7C261
CY7C263/CY7C264
8K ×8电源开关和可重复编程的PROM
特点
CMOS的最佳速度/功耗
窗的可重编程
高速
- 20纳秒（商业）
- 25纳秒（军事）
低功耗
- 660毫瓦（商业）
- 770毫瓦（军事）
超低待机功耗（ 7C261 ）
- 小于220毫瓦时取消
- 快速访问： 20纳秒
EPROM技术100 ％可编程
斯利姆的300万或标准的600万封装可供选择
5V
±
10% V
CC
，商业和军事
能够承受大于2001V静态显示的
收费
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
功能说明
该CY7C261 ， CY7C263和CY7C264是高性
曼斯8192字由8位CMOS PROM中。当取消选择，
在7C261自动断电进入低功耗待机动
通过模式。它被装在一个300密耳范围内的包。该7C263
和7C264包装在300密耳宽， 600密耳宽
套餐分别，也不要关机时deselect-
ED 。可重编程的包都配备了era-
确保窗口;当暴露于UV光，这些PROM的是
擦除，然后可以重新编程。存储器单元泌尿道感染
丽泽成熟的EPROM浮栅技术和字节宽IN-
智能编程算法。
该CY7C261 ， CY7C263 ，和CY7C264是插件替换 -
ments的双极型器件，提供更低的优势
动力，卓越的性能和编程的产量。该
EPROM单元只需要12.5V的超高压和低
电流要求允许团伙编程。该
EPROM单元允许为每个存储单元进行测试
100％ ，因为每个位置被写入，擦除，以及反复
封装前行使。每个PROM也测试了
AC性能，以保证客户的编程后，
明产品满足直流和交流的技术指标。
读是由CS放置一个低电平有效信号来实现的。
的存储单元由AD-处理的内容
连衣裙线（A
0
A
12
）将成为可在输出线
(O
0
O
7
).
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
O
1
掉电
(7C261)
COLUMN
地址
O
3
地址
解码器
O
4
O
5
ROW
地址
计划“
梅布尔
ARRAY
COLUMN
MULTI-
多路复用器
O
7
销刀豆网络gurations
DIP /扁平
顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
24
2
23
3
22
4
21
5
20
6
19
7
18
8 7C261 17
7C263
9 7C264 16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
CS
A
11
A
12
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
LCC / PLCC （ OpaqueOnly ）
顶视图
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
23
7C261
7
22
8
7C263
21
9
20
10
19
11
12 1314151617 18
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
VCC
A8
A9
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
A
10
CS
A
11
A
12
NC
O
7
O
6
O
2
O
0
CS
对于8K ×8注册PROM ，见theCY7C265 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04010牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年3月4日
CY7C261
CY7C263/CY7C264
选购指南
7C261-20
7C263-20
7C264-20
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
（仅7C261 ）
广告
军事
广告
军事
40
20
120
7C261-25
7C263-25
7C264-25
25
120
140
40
40
7C261-35
7C263-35
7C264-35
35
100
120
30
30
7C261-45
7C263-45
7C264-45
45
100
120
30
30
7C261-55
7C263-55
7C264-55
55
100
120
30
30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压........................................... -3.0V到+ 7.0V
DC电压编程
（ 19引脚DIP ， 23引脚LCC） ......................................... ..... 13.0V
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
UV曝光................................................ 7258 WSEC /厘米
2
工作范围
范围
广告
产业
军事
[2]
[1]
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
注意事项：
1.请参阅有关的工业温度的订货信息部分
范围规范。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
文件编号： 38-04010牧师**
第16页2
CY7C261
CY7C263/CY7C264
]]
电气特性
在整个工作范围
[3,4]
7C261-20, 25
7C263-20, 25
7C264-20, 25
参数
V
OH
V
OH
V
OL
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入电流
输入二极管钳位电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
[5]
7C261-35, 45, 55
7C263-35, 45, 55
7C264-35, 45, 55
分钟。
2.4
马克斯。
单位
V
V
V
0.4
V
V
0.8
–10
注4
–10
–40
–20
+10
+40
–90
100
120
30
30
12
4.75
13
50
0.4
V
mA
V
V
mA
A
A
mA
mA
+10
V
A
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8毫安
（ 6毫安MIL）
V
CC
=最小值，我
OL
= 16毫安
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.0
0.8
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND <V
OUT
＆ LT ; V
CC
输出禁用
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
12
4.75
0.4
–10
–10
–40
–20
+10
+10
+40
–90
120
140
40
40
13
50
注4
2.0
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
F =最大值。
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
CS > V
IH
I
SB
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
待机电源电流（ 7C261 ）
编程电压
编程电源电流
输入高电压编程
输入低电压编程
注意事项：
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.见赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试时间不应超过30秒]
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
文件编号： 38-04010牧师**
第16页3
CY7C261
CY7C263/CY7C264
开关波形
[4]
t
PD
50%
t
PU
50%
V
CC
供应
当前
A
0
- A
12
地址
CS
t
AA
O
0
- O
7
t
HZCS
t
ACS
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
该装置中的加窗包。出于这个原因，一个
不透明的标签被放置在如PROM中的窗口
暴露于阳光或荧光灯照明扩展PE-
时间riods 。
紫外光的推荐剂量为擦除是
的2537埃的最小剂量波长（UV意向
城市问题25 WSEC /厘米乘以曝光时间）
2
。对于超
紫色灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率，曝光时间将
大约35分钟。该7C261或7C263需要
是内擦除期间1英寸的灯。永久性损坏
年龄可能导致如PROM的暴露于高强度的紫外
光为在延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
为
推荐最大剂量。
操作模式
读
读出是正常操作模式用于已编程器件。在
这种模式下，所有的信号都正常的TTL电平。 PROM的是
有一个13位的字段，一个片选（低电平有效）处理，是
施加到CS引脚，并且被寻址单元的内容
出现在数据输出管脚。
计划，计划禁止，程序验证
这些模式通过将高电压V进入
PP
ON引脚
19 ，用销18和20套到V
ILP
。在这种状态下，销21变为
锁存信号，从而使高5位地址位被锁存到一
板载寄存器， 22引脚变为低电平程序（ PGM ）
信号和引脚23变为低电平有效验证（ VFY ）信号。引脚
图22和23不应该是低电平有效的同时。亲
GRAM模式存在时的PGM为低时，和VFY是高电压。该验证
模式时存在的情况正好相反， PGM HIGH和LOW VFY和
该程序禁止模式进入既PGM和VFY HIGH 。
编程禁止是专门提供给允许数据被放置在
从数据引脚无冲突删除
表1.模式选择
引脚功能
[6, 7]
读取或输出禁用
模式
读
输出禁用
节目
禁止程序
程序校验
BLANK CHECK
节目
A
12
NA
A
12
A
12
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
11
V
PP
A
11
A
11
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
A
10
LATCH
A
10
A
10
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
A
9
PGM
A
9
A
9
V
ILP
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
国际水文计划
A
8
VFY
A
8
A
8
V
国际水文计划
V
国际水文计划
V
ILP
V
ILP
CS
CS
V
IL
V
IH
V
ILP
V
ILP
V
ILP
V
ILP
O
7
–O
0
D
7
–D
0
O
7
–O
0
高Z
D
7
–D
0
高Z
O
7
–O
0
O
7
–O
0
注意事项：
6， X = “不在乎”，但不超过V
CC
±
5%.
7.解决了
8
-A
12
必须通过线A被锁定
0
-A
4
在编程模式。
文件编号： 38-04010牧师**
第16页5
QQ：2881677436 复制
